Va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti nurafshon filiali

xarakteristika tikligi S bilan ifodalanadi:
U_KE = const bo’lganda
Bu kattalikni (6.1) ifodadan foydalanib ҳam topishmumkin:
(6.2) .
SHunday qilib, tiklik kollektor tokiga proportsional bo’lib, ҳar bir tranzistorning individual xossalariga boғliq bo’lmaydi. SHuning uchun bu kattalikni aniqlashda o’lchashlar talab qilinmaydi.
Kirish signali tasiri natijasida R_K dagi kuchlanish ortadi, U_KE kuchlanish esa kamayadi, yanimanfiy yarim davrli chiqish signali shakllanadi. Demak, bunday kuchaytirgich bosqichi chiqish va kirish kuchlanish signallari orasida 180 ⁰ ga faza siljishini amalga oshiradi. Kollektor toki Ik
.
kattalikka ortadi.
CHiqish kuchlanishi U_CHIQ esa
.
kattalikka kamayadi.
Demak kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti (yuklamamavjud bo’lmaganda (I_YU=0)), quyidagiga teng
(6.3)
Masalan, agar R_K =5 kOm; =25mV; I_K k=1mA; S= 40mA/V, u ҳolda K_U=-200.
Kollektor toki faqat U_BE kuchlanishiga emas, balki U_KE kuchlanishiga ҳam boғliq bo’ladi. Bu boғliqlik differentsial chiqish qarshiligi bilan xarakterlanadi
U_BE = const bo’lganda,
Bu yerda proportsionallik koeffitsienti U_E Erli kuchlanishi. U_E ning qiymatlari kremniyli n-p-n tranzistorlar uchun 80-200 V atrofida bo’ladi. r_KE ҳisobiga
(6.5) .

Signalmanbaiga nisbatan kuchaytirish bosqichi uchun kirish qarshiligi katta rol o’ynaydi. Uning qiymati qancha katta bo’lsa, signalmanbai shuncha kam yuklanadi va shunchalik yaxshi kirish bosqichiga uzatiladi. Kirish zanjirini yuklamaga ulangan kuchlanishmanbai ko’rinishida ifodalash uchun