Встроенные системы Лекции 6 Организация взаимодействия компонентов встроенных систем

В динамических ОЗУ (DRAM) данные хранятся в виде зарядов конденсаторов, образуемых элементами МОП-структур. Саморазряд конденсаторов ведет к разрушению данных, поэтому они должны периодически (каждые несколько миллисекунд) регенерироваться. В то же время плотность упаковки динамических элементов памяти в несколько раз превышает плотность упаковки, достижимую в статических RAM.
Регенерация данных в динамических ЗУ осуществляется с помощью специальных контроллеров. Разработаны также ЗУ с динамическими запоминающими элементами, имеющие внутреннюю встроенную систему регенерации, у которых внешнее поведение относительно управляющих сигналов становится аналогичным поведению статических ЗУ. Такие ЗУ называют квазистатическими.
Динамические ЗУ характеризуются наибольшей информационной емкостью и невысокой стоимостью, поэтому именно они используются как основная память компьютеров.
Выбор статического ОЗУ в качестве модуля встроенной основной памяти, а не динамического, определяется возможностью хранения данных при снижении частоты вплоть до полной остановки процессора. Такой режим используется для энерго-сбережения, например, при питании от батарейки.
На современном этапе модули встроенного ОЗУ не обладают значительным объемом – единицы иногда десятки килобайт. В случае мощных систем требующих больших объемов ОЗУ подключаются внешние микросхемы памяти. Это могут быть как микросхемы статического ОЗУ, так и динамическое ОЗУ (DRAM, SDRAM). В последнем случае процессор (например, AMD Am186ED, Mitsubishi M16C и др.) имеет модуль интерфейса динамического
ОЗУ, который поддерживает интерфейс классических микросхем DRAM, или SDRAM, а так же регенерацию динамической памяти. Второй важной особенностью современных модулей ОЗУ – низкое, примерно 1 В, напряжение хранения информации. Это позволяет сохранять данные при провалах питания. С этой же целью иногда в модуль статического ОЗУ включают батарейку электропитания, позволяющую хранить данные до 10 лет (семейство DS5000 Dallas Semiconductor).