X. K. Aripov, A. M. Abdullayev, N. B. Alim ova, X. X. Bustano V, ye. V. Obyedkov, sh. T. Toshm atov
Bir turdagi M DYA - tranzistorlar asosidagi mantiq elementlar
Download 11.08 Mb. Pdf ko'rish
|
- Bu sahifa navigatsiya:
- ГУ т i h J Lid I jl J
|
12.4. Bir turdagi M DYA - tranzistorlar asosidagi mantiq elementlar Axborotni qayta ishlash va saqlash vazifalarini bajaruvchi zamo- naviy mikroelektron apparatlarda turli integratsiya darajasiga ega bo‘l- gan IM Slar ishlatiladi. Ayniqsa, KIS va 0 ‘KIS integratsiya darajasiga ega bo‘lgan IM Slar keng qo‘llanilmoqda. TTM va EBM elementlari yuqori tezkorlikni ta ’minlaydi, ammo iste’mol q u w a ti va o ‘lchamlari katta bo‘lganligi sababli, faqat kichik va o ‘rta integratsiya darajasiga ega boMgan IM Slar yaratishdagina qo‘lla- niladi. 1962-yilda planar texnologik jarayon asosida kremniy oksidili ( S i0 2) M DYA - tranzistor yaratildi, keyinchalik esa uning asosida guruh usulida ishlab chiqarish yo‘lga qo‘yildi. Integral BTlardan farqli ravishda bir turdagi M DYA integral tran- zistorlarda izolatsiyalovchi cho‘ntaklar hosil qilish talab etilmaydi. Shu ning uchun, bir xil murakkablikka ega bo‘lganda, M DYA - tranzistorli IM Slar BTlarga nisbatan kristallda kichik o‘lchamlarga ega va yasalish texnologiyasi sodda bo‘ladi. Kremniy oksidili M DYA ISlam ing asosiy kamchiligi - tezkorlikning kichikligidir. Y ana bir kamchiligi - katta iste’m ol kuchlanishi bo‘lib, u M DYA ISlam i ВТ ISlar bilan muvo- fiqlashtirishni murakkablashtiradi. M DYA ISlar asosan uncha katta bo‘lmagan tezkorlikka ega b o ig a n va kichik tok iste’mol qiladigan m antiqiy sxem alar va KISlar yaratishda qoilan ilad i. M DYA ISlarda eng yuqori entegratsiya darajasiga erishilgan b o iib , bir kristallda yuz ming- lab va undan ko‘p kom ponentlar joylashishi mumkin. M DYA - tranzistorli mantiq (M DYATM ) asosida yuklamasi M DYA - tranzistorlar ( 1 1.6-paragrafda ko‘rib o iilg a n ) asosida yara tilgan elektron kalit - invertorlar yotadi. Sxem ada passiv elem entlam ing ishlatilmasligi, IM Slar tayyorlash texnologiyasini soddalashtiradi. M antiqiy IM Slar tuzishda
yoki
p - kanali induksiyalangan M D Y A - tranzistorlardan foydalanish mumkin. K o‘proq
- kanalli tranzistorlar q o ilaniladi, chunki elektronlaming harakatchanligi kovak- lam ikiga nisbatan yuqori boig an lig i sababli m antiqiy IM Slam ing yuqori tezkorligi ta ’minlanadi. Bundan tashqari,
MDYATM sxem alar kuchlanish nominali va mantiqiy 0 va 1 sathlari bo‘yicha TTM sxem alar bilan to i iq m uvofiqlikka ega. Sodda 2HAM-EMAS va 2YOKI-EM AS ME sxemalari 12.12- rasm da keltirilgan. 321
Bu sxem alarda yuklam a sifatida ishlatilayotgan VTO tranzistorlar doim ochiq holatda boMadi, chunki ulam ing zatvorlari kuchlanish m anbaining m usbat qutbiga tutashgan. U lar tok cheklagichlar (dinam ik qarshiliklar) vazifasini bajaradi. 2HAM -EM AS sxem ada (12.12a-rasm ) pastki VT1 va VT2 tranzistorlar ketma-ket, 2YOK I-EM AS sxem ada esa (12.12b-rasm) - parallel ulanadi. О +Ем
12.12-rasm. n - M D Y A tranzistorli m antiq elem entlar sxemalari. 2HAM -EM AS M E ishini ko‘rib chiqamiz. A gar qayta ulanuvchi tranzistorlar birining kirishidagi potensial b o ‘sag‘aviy potensial U 0 dan
kichik boMsa, ya’ni Ukjr < U 0 (m antiqiy 0) boMsa, u holda bu tranzistor berk boMadi. Bu vaqtda yuklam adagi VTO tranzistor stok toki ham nolga teng boMadi. Shu sababli, sxem aning chiqishida m anba kuchlanishi EM qiym atiga yaqin boMgan, y a’ni m antiqiy birga mos kuchlanish o ‘matiladi. Ikkala kirishga m antiqiy 1 sathga mos ( U 1 k i r > Щ m usbat potensial berilsa, ikkala tranzistor ochiladi va chiqishda m antiqiy 0
o ‘matiladi. 2YOKI -E M A S elem entda (12.12-b rasm) biror kirishga yuqori sath kuchlanishi ( U ' k ir > U 0) berilsa, mos ravishda VT1 yoki VT2 tranzistor ochiladi v a chiqishda m antiqiy 0
Щ o ‘m atiladi. Agar ikkala kirishga m antiqiy 0 darajasi berilsa, VT1 va VT2 berk boMadi. Chiqishda esa yuqori sath kuchlanishi — m antiqiy 1 o ‘m atiladi. i f c h iq < U o boMishi uchun, qayta ulanuvchi tranzistor (QUT) kanali kengligi yuklam a vazifasini bajaruvchi tranzistor (YuT) kanali kengligidan katta, QUT kanal uzunligi esa Y uT nikidan kichik boMishi kerak. Invertor statik rejimi va oMish jarayonlar tahlili shuni ko‘rsatdiki, 322
tezkorlik va iste’mol q u w a ti nuqtayi nazaridan EM = (2 ^ 3 )[/0 kuch lanish qiymati optimal hisoblanadi. Demak, (/y = 1,5 3 V bo‘lganda EM = 4 ,5 -h 9 V b o ia d i. M DYATM elem entlarda real
qiymati i f =
U q OL ~ 0,2 -s- 0,3 V dan katta emas,
qiymati esa U C hiq ~
E m - M os ravishda m antiqiy o ‘tish =EM- U QOLn E M • M DYATM elem entning yana bir afzalligi - xalaqitbardoshligi yuqoriligidadir. BTlardagi M Elarda mantiqiy 0 ning xalaqitbardoshligi ( l - 2 ) t / \ y a’ni 0 ,7 -4 ,4 V b o lg an d a, MDYATM da i f x ^ = U 0 - i f ~ I,5
3 V b o ia d i. HAM -EM AS elem entida kirishlar soni ortgan sari xalaqit- bardoshlik kamayadi, chunki bir vaqtda barcha tranzistorlaming qoldiq kuchlanishlari Uqql ortadi. Shu sababli HAM-EMAS elementlarda kirishlar soni 4 tadan ortmaydi, YOKI-EMAS elem entlarda esa 10-12 tagacha yetadi. Amalda YOKI-EMAS elementlar ko‘p qoilaniladi, HAM -EM AS elem entlar esa faqat IS seriyalari ning funksional to liq lig i uchun ishlatiladi. M DYA sxem alam ing yuklam a qobiliyati katta, chunki kirish (zatvor) zanjiri deyarli tok iste’mol qilmaydi. Demak, ish jarayo- nida zanjirdagi barcha M Elar bir-biriga b o g liq b o lm a g a n holda ishlay di,
sathi esa yuklamaga b o g liq bolm aydi. M DYA - tuzilm a elementlari tezkorligi esa kirish va chiqish zanjirlarini shuntlovchi sig lm lam in g qayta zaryadlanish vaqti bilan aniqlanadi. Tezkorlikni oshirish y o lid a g i barcha urinishlar boshqa kam chiliklam i yuzaga keltirdi. Masalan, tezkorlikni ortishi yuklamadagi sig lm la m i qayta zaryadlanish toki qiymatini ortishiga olib keladi. Lekin bu usul iste’mol quvvatini va chiqishdagi mantiqiy sathlar nobarqa- rorligini ortishiga olib keladi. Ko‘rsatilgan qarama-qarshiliklar turli olkazuvchanlikka ega (komplem entar) tranzistorli kalitlar yordamida, sxem otexnik usulda bartaraf etilishi mumkin. 1 2 .5 . K o m p l e m e n t a r M D Y A - t r a n z i s t o r l a r a s o s i y d a g i m a n t i q e l e m e n t l a r K om plem entar M DYA-tranzistorli elektron kalitlam ing afzalliklari I I . 6 paragrafda ko‘rib chiqilgan edi. Bu kalitlam ing statik rejimda q u w a t iste’moli o ‘nlarcha nanovattni tashkil etib, tezkorligi esa 10 MGs va undan yuqori chastotalarda ishlashga imkon beradi. MDYA - tranzistorli R ISlar ichida komplementar MDYA-tranzistorli M Elar 323
(K M D Y A TM ) yuqori xalaqitbardoshlikka ega bo‘lib, kuchlanish m an bai qiym atining 10^-45%ni tashkil etadi. Y ana b ir afzalligi - kuchlanish manbaidan samarali foydalanish hisoblanadi, chunki m antiqiy o ‘tish deyarli kuchlanish manbai qiym atiga teng. Demak, R ISlar kuchlanish m anbai qiym atining o ‘zgarishiga sezgir em as. KM DYA-tranzistorli M Eda kirish va chiqish signallari qutblari va sathlari m os tushadi, bu esa o ‘z navbatida M Elami o ‘zaro bevosita ulash im koniyatini beradi (sath siljitish qurilmasi talab etilmaydi). KM DY A-tranzistorlarda HAM -EM AS va YOKI-EM AS mantiqiy am allar oson tashkil etiladi. HAM -EM AS m antiqiy amali kirish tranzistorlarini ketm a-ket ulash yo‘li bilan, YOK I-EM AS m antiqiy amali esa - ulam i parallel ulash yo‘li bilan am alga oshiriladi. B u vaqtda har bir kirish uchun kalit-invertom i hosil qiluvchi ikkita tranzistor talab qilinadi. Yuklamadagi p - kanalli v a qayta ulanuvchi n - kanalli tranzistorlam ing bunday kom binatsiyasi K M D Y A - tranzistorlam ing asosiy xossasi - statik rejim da ixtiyoriy kirish signalida tok iste’mol qilm aslik shartini saqlab qoladi. 2HAM -EM AS sxem ada yuklam a vazifasini bajaruvchi tranzis torlar bir-biriga parallel ulanadi (12.13a-rasm ), 2YOKI-EM AS sxem ada esa - ketm a-ket (12.13b-rasm). Bunday prinsip yordam ida faqat ikki kirishli elem entlar emas, balki kirishlar soni katta boMgan sxem alar ham tuziladi. a) b)
XI o- 12.13-rasm. KMDYA tranzistorlar asosidagi 2HAM -EM AS (a) va 2YOKI-EM AS (b) m antiq elem entlam ing sxemasi. 2HAM -EM AS sxem a (12.13a-rasm ) quyidagicha ishlaydi. Sxem a kirishlariga
<
l^Bs kuchlanish berilsa, barcha qayta ulanuvchi (n - kanalli tranzsitorlar) ochiq bo‘lib, chiqish kuchlanishi if ' ga teng 324
b o ia d i. Kirish signallarining boshqa kombinatsiyalarida ketma-ket ulangan qayta ulanuvchi tranzistorlardan biri berkiladi. Bu vaqtda chiqish kuchlanishi
=
EM ga teng b o ia d i. 2 YOKI-EMAS sxem a (12.13b-rasm ) quyidagicha ishlaydi. Sxema kirishlariga i f k i r
Ifno'S kuchlanish berilsa, qayta ulanuvchi n - kanalli
tranzistorlar berk
b o ia d i, chunki
ularda kanal
induksiyalanmaydi. p - kanalli tranzistorlarda esa kanal induksiyalanadi, chunki ulam ing zatvorlari asosga nisbatan m anfiy potensialga ega b o ia d i. B u potensial qiymati i f k i r - EM ~ - EM b o iib , bo‘sag‘aviy kuchlanish qiym atidan katta b o ia d i. Lekin kanallardan berk tranzistor lam ing ju d a kichik toklari oqib o ‘tadi. Shu sababli kanallardagi kuchla nish pasayishi deyarli nolga teng b o ia d i va chiqish kuchlanishi
b o iib m antiqiy 1 ga mos keladi. A gar qayta ulanuvchi tranzistorlardan birining zatvoridagi kirish kuchlanishi bo‘sag‘aviy kuchlanish qiymatidan katta b o is a l / k ir > I f bo's, bu tranzistorda kanal induksiyalanadi. Unga mos keladigan yuklam a tranzistorida esa kanal yo‘qoladi, ya’ni tranzistor berkiladi. Sxem a chiqishidagi kuchlanish qoldiq kuchlanish qiym atiga teng, y a’ni deyarli nol b o ia d i. Shu sababli, uni m antiqiy 0 sath
deb
hisoblash mumkin. Demak, m antiqiy o ‘tish UM=EMn\ tashkil etadi. Statik holatda KM DYA-tranzistorlarda bajarilgan elementlar q u w a t iste’mol qilmaydi, chunki tranzistorlam ing bir gumhi berk bo‘lib, deyarli tok iste’mol qilmaydi. Bu vaqtda ulardan berk tranzistorlam ing ju d a kichik toki oqib o ia d i. Shu sababli RIS iste’mol qilayotgan q u w a t minimal b o iib , asosan sig im lam i qayta zaryadlash uchun sarflanayotgan q u w a t bilan aniqlanadi. KM DYATM elem entlam ing tezkorligi MDYATM elementlar tezkorligiga nisbatan sezirlarli daraja yuqori. Bu holat, KMDYATM elem entlarida kanal kengligiga cheklanishlar q o ‘yilmaganligidan kelib chiqadi. Chunki parazit sig im la r qayta zaryadlanadigan ochiq tranzistorlarda yetarli oikazuvchanlikni ta’m inlash maqsadida kanal kengligi ancha katta olinadi. Sanoatda KM DY A-tranzistorlar asosida yaratilgan M Elar bir necha seriyada ishlab chiqariladi: 164, K176, K564, 764,765. Bu seriyalar funksional va texnik to iiq lik k a ega, y a’ni ixtiyoriy arifmetik va m antiqiy am allam i ham da saqlash, yordamchi va maxsus funk siyalam i bajaradi. 325
Turli seriyadagi KM DYATM asosiy param etrlari 12.5-jadvalda keltirilgan. 12.5 - jadval KM DYATM seriya elem entlarining asosiy parametrlari KM DYATM RIS
parametrlari seriya
164 176
561 564
to'rt.kech) US
200 250
50 50
m V t 0,1
0,1 0,1
0,1 EM, V 9 9 5 9
V
0,3 0 0 i f C H IQ ,
V 7,7 8,2
5 9
tarm 50 50 50 50 1 2 .6 . I n t e g r a l - i n j c k s i o n m a n t i q e l e m e n t l a r i M ikroelektron apparatlar rivoji KIS va 0 ‘K ISlam i keng qoTlash- ga asoslangan. Bu bilan apparatlam ing texnik-iqtisodiy k o ‘rsatkichlari ortmoqda: ishonchlilik, xalaqitbardoshlik ortmoqda, m assasi, o ‘lcham- lari, narxi kam aym oqda va h.k. KIS M Elari tezkorligining kichikligiga qaram asdan M DYA - texnologiyada bajarilar edi. M E tezkorligini oshirish m uam m osi Philips va IBM firm alari tom onidan ВТ asosida integral-injeksion m antiq (I2M) negiz elementi yaratilishiga sabab boTdi. I2M negiz elementi sxemasi 12.14a-rasmda keltirilgan. Element VT1
(pi-n-p2) va VT2 (n-p 2 -n+) kom plem entar B Tlardan tashkil to p gan. VT1 tranzistor, kirish signalini inverslovchi VT2 tranzistor uchun baza toki generatori (injektori) vazifasini bajaradi. VT2 tranzistor odatda bir nechta kollektorga ega bo‘lib, elem ent m antiqiy chiqishlarini tashkil etadi. I2M turdagi elem entlarda hosil qilingan m antiqiy sxem alarda, VT1 tranzistor em itteri hisoblangan injektor (I), kuchlanish manbai bilan
rezistor orqali ulanadi va uning qarshiligi talab etilgan tokni ta ’minlaydi. Bunday tok bilan ta ’minlovchi qurilm a injektor toki qiymatini, keng diapazonda o ‘zgartirib uning tezkorligini o‘zgartirishga imkon beradi. A m alda injektor toki 1 nA 1 m Agacha o ‘zarishi m um kin, ya’ni VT1 tranzistor E O ‘idagi kuchlanishni ozgina orttirib (har 60 m V da tok 10 m arta ortadi) tok qiymatini 6 tartibga o‘zgartirish m um kin. 326
a) R r - { = h b )
+EM I Kir C bial СЬШ ? ГУ т i h J Lid I jl J d) 12.14-rasm. I2M negiz elem entning prinsipial sxemasi (a), topologiya qirqimi (b) va shartli belgilanishi (d). I2M IS kremniy li n - asosda tayyorlanadi (12.14b-rasm), u o ‘z navbatida barcha invertor emitterlarini bilashtiruvchi umumiy elektrod hisoblanadi (rasm da bitta invertor ko‘rsatilgan). n-p-n turli tranzistor bazasi bir vaqtning o ‘zida
turli tranzistom i kollektori b o iib hisoblanadi. Elem entlam ing bunday tayyorlanishi funksional integrat siya deyiladi. Bu vaqtda turli elem entlarga tegishli sohalami izolatsiya qilishga (TTM va EBM elementlaridagi kabi) ehtiyoj qolmaydi. I2M elem enti rezistorlardan holi ekanligini inobatga olsak, yaxlit element kristallda TTM dagi standart KET egallagan hajmni egallaydi. Elem entning ishlash prinsipi. Ikkita ketma-ket ulangan I2M elem entlar zanjiri 12.15-rasmda tasvirlangan. Agar sxemaning kirishiga berilgan kuchlanish ХЎKIR < U* bo‘lsa, u holda qayta ulanuvchi VT2 tranzistom ing ikkala o ‘tishi berk boMadi. VT1 injektordan berilayotgan tok
IM, qayta ulanuvchi tranzistor bazasidan kirish zanjiriga uzatiladi. Bu holatda chiqish kuchlanishi keyingi kaskad qayta ulanuvchi VT2/ tranzistorining to‘g ‘ri siljitilgan
o ‘tishi kuchlanishiga teng boMadi, y a’ni
0,7 V. A gar sxemaning kirishidagi kuchlanish i f kir > U* boMsa, u holda qayta ulanuvchi VT2 tranzistor ochiladi. p 2 327
sohaga kelib tushayotgan kovaklar bu sohani tez zaryadlaydi. VT1 injektor to ‘yinish rejim iga o ‘tadi. p 2
soha potensiali injektor potensialiga deyarli teng bo‘ladi. VT2 tranzistom ing em itter-baza o‘tishi to ‘g ‘ri yo‘nalishda siljiydi va elektronlam ing bazaga, keyin esa kollektorga injeksiyasi boshlanadi. K ollektorga kelayotgan elektronlar
sohadan kelgan kovaklam i neytrallaydi. N atijada koilektor potensiali pasayadi va baza potensialidan kichik b o ‘lib qoladi. VT2 tranzistor to ‘yinish rejim iga o ‘tadi va elem ent chiqishida to ‘yingan tranzistor kuchlanishiga teng b o ig a n kichik sathli kuchlanish o ‘m atiladi. Real sharoitda u 0,1-Ю,2 V ga teng. Shunday qilib, I2M negiz M E uchun quyidagi m unosabatlar haqiqiydir:
= 0,l-^0,2 V; i f = 0,6+0,7 V. Bundan I2M negiz M E uchun m antiqiy o ‘tish
= 0,4+0,6 V ekanligi kelib chiqadi. 12.14-rasmdagi sxemadan foydalanib 2HAM -EM AS va 2YOKI- EM AS m antiqiy am allarini bajam vchi M Elam i tuzish mumkin. M asalan, 12.16-rasmda ikkita invertom i m etall o ‘tkazgichlar bilan tutashtirish y o i i bilan 2YOKI-EM AS funksiyasini am alga oshirish mumkin. Bu vaqtda ikkala invertor VT1 tranzistorda hosil qilingan yagona ko‘p kollektorli (ikki kollektorli) injektordan ta ’minlanadi. Keltirilgan sxem adan ko‘rinib turibdiki, chiqishlar kirishdagi o ‘zgaruv- chilarga nisbatan um umiy nuqtaga parallel ulansa, YOKI-EMAS m antiqiy am al bajariladi. Chiqish signallariga nisbatan esa HAM amali bajariladi. Shuni ta ’kidlash kerakki, invertorlam ing ikkinchi kollek- torlari yordam ida qo‘shim cha kirish signallarini inkor etish mantiqiy amalini
( Y \,x i) bajarish m umkin, bu esa o ‘z navbatida M E imkoni yatlarini kengaytiradi. i A j — i n V T 1 ' t l
A M D --------------------------- VI У - R 12.15-rasm. I2M M E zanjiri. 328
I2M sxemalar tezkorligi injeksiya toki 7/ ga kuchli bog‘liq bo‘lib, tok ortgan sari ortadi. Bu vaqtda A qu ozgina ortadi va 4-ЮД pDjni tashkil etadi. Element qayta ulanishining o‘rtacha kechikish vaqti 1 CH-100 ns, ya’ni TTM elementnikiga nisbatan bir necha marta katta. Ammo quw at iste’moli 1-2 tartibga kichik boMadi. Mantiqiy oMish kichikligi tufayli I2M elementining xalaqitbardoshligi ham kichik (2CH-50 mV) boMadi. Shuning uchun bu sxemalar faqat KIS va 0 ‘KISlar tarkibida va kichik integratsiya darajasiga ega mustaqil ISlar sifatida qoMlaniladi. Я У -А7 X2= X I+ X 2 T 2 ITJ
Л З . V T I 12.16-rasm. YOKI-EM AS amalini I2M m antiqy elem entlar asosida tashkil etish sxemasi. 0,0
0,1 0,2
0,3 0.4
0,5 0,6
0.7 0.7
0.6 0.5
0,5 _ 0.4 •
0,3 0,2
0.0 -*4- o.o 0.7 0.1
0.2 0,0
0.6 0.5
U k ir . V 12.17-rasm. I2M (1) va KBT (2) invertorlaming am plituda uzatish xarakteristikalari. 329
12.6-jadval M D Y A - va BTlar asosidagi invertorlami taqqoslash № MDYA - tranzistorlar asosidagi invertor sxemalari BTlar asosidagi invertor sxemalari n -M D Y A J
I **
П — VT2
VT1 рь-M DYA
- E M V T2
3 - H V T 1 1-1 VT2
VT1 KM DY A
+E X- — jh 'V T J £ V T KBT
VT2 VT1
330 •Tvr? С ™
-TVT5 Chiqish V:-3.93mV I'.OA 12.18-rasm. “4HAM -EM AS” M E sxemasi. I2M M Ening AT kirishiga statik rejim da mantiqiy Ig a mos kuchlanish berilganda manba EM dan energiya iste’mol qilishi, uning kamchiligi hisoblanadi. Bu kamchilikni 12.6-jadval da keltirilgan kom- plem entar ВТ (KBT)larda tuzilgan invertor sxemalar yordamida bartaraf etish mum kin (12.17-rasm). KBTlarda injeksiya - voltaik rejim da ish- lovchi ikki (n-p-n va
p-n-p) turli BTlar ketma-ket ulanadi. Chiqish V: -i.Kj mV 1 : 0 A
12.19-rasm. “4YOKI-EM AS” ME sxemasi. 331
Jadvaldan I2M invertori «-M D Y A tranzistorli, n-p-n dinamik
yuklam ali p -n -p BTda bajarilgan invertor esa p-M D Y A tranzistorli invertor analogi ekanligi ko‘rinib turibdi. KBTlarda bajarilgan «4HAM -EM AS» M E 12.18-rasmda va «4YOKI-EM AS» ME 12.19-rasm da ko‘rsatilgan. Kirish va chiqish signal lari qiym atlari orasidagi aniq moslikni am alga oshiruvchi mantiqiy sxem alar
deb
ataladi. Ularga deshifratorlar va m ultipleksorlar kiradi. Deshifratorlar. Deshifrator deb и-razryadli ikkilik kodni unitar 2n - razryadli kodga o ‘zgartiruvchi M Ega aytiladi. Uning bitta razryadidan tashqari barcha kirishlari m antiqiy 1 ga teng. Deshifratorlar to‘liq va toTiq emas boTishi mumkin. ToTiq deshifrator uchun shart bajariladi. Bu yerda,
- kirishlar soni (odatda « 2, 3 yoki 4 bo‘Iadi);
chiqishlar soni. T o iiq em as deshifratorlarda kirishlar soni
ta, chiqishlar soni esa N boTadi. Demak, masalan, 4 ta kirish v a 10 ta chiqishga ega bo‘l- gan deshifrator
2 ta kirish va 4 ta chiqishga ega bo‘lgan deshifrator esa
hisoblanadi. « = 3 boMgan deshifrator 12.20- rasm da tasvirlangan. 12.7. Asosiy k o m b in a tsio n sx em ala r N = 2' Download 11.08 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|