X. K. Aripov, A. M. Abdullayev, N. B. Alim ova, X. X. Bustano V, ye. V. Obyedkov, sh. T. Toshm atov
Ia.uian va voltmetr Ua.uian
Download 11.08 Mb. Pdf ko'rish
|
- Bu sahifa navigatsiya:
- U Vu.Uian vo uzilish UVu.uzii
- Uvu.uzi| qiymatini 4.1.5 b.da olingan U a.uzi|
- JU=UKiR.m
- D A C 1 DACO Л С Н 2 +
|
Ia.uian va
ко ‘rsatmalarini hisobotga yozib oling. 4.1.4. Tiristordagi qoldiq kuchlanishni aniqlang. Buning uchun VA tashqi panelidagi Ea
sozlagich yordamida kursorni \й=10 mA ga mos keladigan VAXning tik sohasiga o'mating. Qoldiq kuchlanish и аЧо| qiymatiga mos keluvchi voltmetr Ua
ко ‘rsatmalarini hisobotga yozib oling. 4.1.5. Tiristoming uzilish vaqtidagi anod toki Ia
va anod kuchlanishi Ua
qiymatlarini aniqlang. Buning uchun VA tashqi panelidagi E a
sozlagichni boshqarish yordamida kursorni VAXning kamayib boruvchi shahobchasi sohasiga о ‘mating. Ampermetr Ia.Uzii va voltmetr Ua.uzi| ко ‘rsatmalarini hisobotga yozib oling. 2 -to p e liirlq - T lr te to r st«*lk x ir a M e rfs M M e r « В м М o fieh j S-toprniikm a ot6 li .1 14.13-rasm. 2-topshiriqni bajarishdagi VA tashqi paneli. 400
4.1.6. Boshqaruvchi elektroddagi kuchlanish qiymatini asta-sekin orttirib borib, har gal VAXni qurish uchun «0 ‘lchash» tugmasini bosing, EYuK manbaining E bosiiq.max qiymatini yozib oling. Bunda tiristor VAXida yotiq soha bo ‘Imasin. VA tashqi panelidagi raqamli indikator ko'rsattnalariga mos ravishda, boshqarish toki
1Ьмьа va tiristoming mazkur ish rejimiga mos keluvchi boshqaruv elektrodidagi kuchlanish Uboshq
qiymatini о 'lchang va hisobotga yozib oling. 4.1.7. VA tashqi panelidagi «2-topshiriqqa o ‘tish» tugmasini bosing. Ekranda 2-topshiriqni bajarishga m o‘Ijallangan VA tashqi paneli paydo bladi (14.13-rasm). 2-topshiriq. T iris to r s ta tik x a ra k te ris tik a la r oilasini olish 4.2.1. VA tashqi panelidagi raqamli boshqaruv elementlari yordamida 1-topshiriqni bajarish vaqtida olingan EYuK manbai chiqishidagi Eboshq.min m Eboshq.ma* qiymatlami о ‘mating. VA panelida « 0 ‘lchash» tugmasini bosing. VA grafik indikatorida tiristoming statik xarakteristikalar oilasi tasviri, ya 'ni о 'matilgan boshqaruvchi elektrod toki Iboshq qiymatlaridagi anod tokining anod kuchlanishiga bog'liqlik grafigi paydo bo ‘ladi. Bu vaqtda о ‘matilgan Iboshq qiymatlari grafik maydonida jadval ко ‘rinishida aks etadi. t o V r i e g i c h tsh ln i ta d q iq o tith I tufcimflgatарщри?"; iiw«;s r . . 'адя « f e ".«fti
401
4.2.2. Grafik indikatorda hosil bo'lgan tiristor statik xarakteristikalar oilasi tasvirini hisobot varag‘iga ko'chiring. M S Word vositalari yordamida har bir egri chiziqqa mos keluvchi boshqaruvchi elektrod toki Iboshq
qiymatlarini belgilang. 4.2.3. Olingan har bir xarakteristikada tiristoming ulanish vaqti uchun Ia.uian va Ua.uian parametrlarini aniqlang. Buning uchun raqamli indikatorlar bilan jihozlangan vertikal «Y» va gorizontal «X» sozlagichlardan foydalaning. Olingan natijalarni hisobotga yozib oling. 4.2.4. VA tashqi panelidagi «3-topshiriqqa o ftish» tugmasini bosing. Ekranda 3-topshiriqni bajarishga mo'Ijallangan VA tashqi paneli paydo bo 'ladi (14.14-rasm). 3-topshiriq. Yarim davrli boshqariluvchi to ‘g ‘rilagich ishini tadqiq etish
4.3.1. Mazkur topshiriqni bajarishda
sinusoida shakldagi kirish signalidan foydalaning. VA boshqaruv elementlaridan foydalanib kirish signalining quyidagi parametrlarini o'mating: chastota taxminan 2 0 0 Gs,
amplituda taxminan 9,0 V. Boshqaruv sxemasining sozlagichi yordamida (boshqaruv sxemasi dastur yordamida LabVIEW muhitida amalga oshirilgan) kirish signaliga nisbatan tiristor ulanish burchagi 90 gradusga mos keluvchi impuls kechikishini o'mating. Yuqoridagi grafik indikatorda kirish signalini (ко 'к rangda) va boshqaruv impulslarini (qizil rangda), pastki grafik indikatorda esa - yuklamadagi chiqish kuchlanishi
U Y u (ko'k rangda) va bu kuchlanishning о ‘rta darajasi
U y u . o ‘ r t
. (qizil rangda) ni kuzatish mumkin. Ikkala grafik indikator ко ‘rsatmalarini hisobotga ко 'chiring. 4.3.2. Yuklamadagi o'rtacha kuchlanish qiymati maksimal qiymatdan mini-mal qiymatigacha o'zgarishi mumkin bo'lgan tiristoming ulanish bur-chagining o'zgarish oralig'i (amw a m&x) ni aniqlang. Buning uchun boshqaruv sxemasining sozlagichi yordamida ulanish burchagini 0 dan 180° gacha o'zgartiring. Bu vaqtda grafik indikator yordamida kuchla-nish shaklini, raqamli indikator yordamida esa o'rta kuchlanish qiymati
U y u .O ‘R T . ni nazorat qilib luring. Olingan о ‘rta kuchlanish va ulanish burchagining chegaraviy qiymatlarini hisobotga yozib oling. 4.3.3. Boshqaruv sxemasining sozlagichi yordamida awalgi bandda olin-gan ulanish burchagi qiymati a min
ni o'mating. Bunda tiristor kirish kuchlanishining musbat yarim davrlari mobaynida to 'liq ochiq bo'ladi. Chiqish signali grafik indikatorining «Y» vizir chizig'i yordamida yukla-madagi kuchlanishning oniy qiymatlarini aniqlang. Bu 402
qiymatlar tiris-torning ulanish
uzilish
hamda yuklamadagi maksimal oniy kuchlanish qiymati
iga mos keladi. Olingan natijalarni hisobotga yozib oling. 4.3.4. Uvu.ulan qiymatini 4.1.3 b.da olingan Ua.uian qiymati bilan, Uvu.uzi| qiymatini 4.1.5 b.da olingan
qiymati bilan solishtiring. 4.3.5.Kirish signali amplitudasi bilan yuklamadagi maksimal oniy kuch-lanish orasidagi ayirma
-
kattalik bilan taqqoslang. 4.3.6.VA ni o'chiring, buning uchun VA ning tashqi panelidagi «Ishni tugatish» tugmasini bosing. 5. Nazorat savollari 1. Qanday yarimo ‘tkazgich asbob tiristor deb ataladi? 2. Dinistor tuzilmasini tasvirlang. 3. Dinistorning tranzistorli ekvivalent sxemasini chizing. 4. Qanday shartlarda dinistor ulanadi? 5. Qanday usullar bilan dinistor uzilishini ta ’minlash mumkin? 6 . Tiristor konstruksiyasi dinistomikidan nimasi bilan farq qiladi? 7. Tiristorlaming qanday turlarini bilasiz? 8 . Dinistorga nisbatan tiristoming VAXi qanday xususiyatlarga ega? 9. Tiristor va dinistorni uzish usullarida farq bormi? 10. Boshqariluvchi to ‘g ‘rilagichning ishlash prinsipi qanday? 11. Tiristoming parametrlari ishda qanchalik aniq o'lchangan? Olingan natijalaming sifati nimalarga bog'liq bo 'lishi mumkin? 3-laboratoriya ishi TUNNEL DIODI XARAKTERISTIKASINI TADQIQ ETISH l.Ishning maqsadi •
•
•
•
403
• polinomli regressiya modellarini qurish usullari; •
3. Laboratoriya stendi tavsifi Laboratoriya stendi tarkibiga quyidagilar kiradi: • asosiy laboratoriya stendi; •
laboratoriya moduli. 4. Topshiriqlar M S Word tahririda hisobot shablonini tayyorlang. N I ELVIS laboratoriya stansiyasining maket platasiga Lab3A laboratoriya modulini o'mating. Modulning tashqi ко‘rinishi 14.15- rasmda keltirilgan. 14.15-rasm. Tunnel diod VAXini tadqiq etishda qo'llaniladigan Lab3A modulining tashqi ко 'rinishi. Tunnel diodi VAXini tadqiq etishda 14.16-rasmda keltirilgan sxemadan foydalaniladi. 404
DACO
, L-+ - ЛСНО+ R И I O m U лсно- AIGND ACH1+ ACH 1- 14.16-rasm. Tunnel diod VAXini tadqiq etishda qo ‘llaniladigan prinsipial elektr sxema. Lab-3.vi dasturini ishga tushiring. Ishning maqsadi bilan tanishib chiqqach «Ishni boshlash» tugmasini bosing. Eh-anda 1-topshiriqni bajarishda qo'llaniladigan VA tasviri paydo bo ‘ladi (14.17-rasm). l-topihiriq. T u n n el diodi VA)3ra k u za tish Tuwelme*VAtfraoh*eUkw.«#*»*и&ИкраЫ*г 1 .
ujwiu) «ilucN»i* с к е в -к ш » .(0.1 V * m *1.46 0 ^ 4 b n o g и
405
1 - topshiriq. Tunnel diodi VAX ini kuzatish VA tunnel dioddan oqib о ‘tayotgan tok va undagi bog'liqliklar to ‘plamini olish imkonini beradi. VA olingan natijalarni foydalanuvchining individual fayliga yozib olish imkonini beradi. Har bir talaba tajriba о 'tkazishda dioddagi kuchlanishning о ‘zgarish diapazonini hamda VAXda о ‘lchashi kerak bo'lgan nuqtalar sonini tanlagan holda eksperimental nuqtalaming individual to 'plamini olishi mumkin. VAni о 'lchashlarga tayyorlang, buning uchun VA tashqi panelining mos darchalariga kuchlanishning o'zgarish diapazonini hamda VAXni о 'lchash uchun kerak nuqtalar sonini kiriting. Parametr tanlayotganda kuchlanishning pastki chegaraviy qiymati -0,1 Vdan, yuqori chegaraviy qiymati esa +1,4 Vdan oshmasligi kerakligini e ’tibordan chetda qoldirmang. О 'lchashlar о ‘tkaziladigan nuqtalaming tavsiya etilgan soni 80 tadan 1 2 0 tagacha. 2 -te p e h lriq : T unnel diodi VAXW m a te r n a l* m odetM q u rish 1 M « . « к к т « K ifc te h « Ы * pofctxrw q w o k s r e a i a « n i
1 S k » * u (fc|*re)-Mi*i ta r o b tli« iapmvft m m e sA ih g е п ф * u d w q t ite m d n tijn m r s o t e C C t n f » СИЧ) va < M
Hi ( П .М » to O S V ja th a ) k tiie g : 3. F- h - q t m l t i x hoW edi u c l« n . d o lr a * « « 8* n d a fsja b r M v M k .] « > < « » * k m n * .
Ы f ntivtetiie.ig m Ьо'*®» ro d e h i yiq tia *tio«e tljqanog. 3-topshin4q3 otish | 14.18-rasm. 2-topshiriqni bajarishdagi VA tashqi paneli. 406
4.1.1. O'lchashlarni amalga oshirish uchun VA tashqi panelidagi « VAXni qurish» tugmasini basing. VA ekranida eksperimental nuqtalar to ‘plami hosil bo 'ladi. Olingan grafikni hisobot varag ‘iga ко ‘chiring. Ekrandagi tasvimi e ’tibor bilan kuzating va olingan natijalar keyingi ishlovchilar uchun yaroqligiga ishonch hosil qiling. Agar olingan natijalar talablarga mos kelmasa, ojchashlar uchun kuchlanishlarning boshqa о ‘zgarish diapazoniniyoki o'lchash nuqtalari sonini tanlang. Agar olingan natijalar talablarga javob bersa, ma'lumotlami saqlab qo'ying. Buning uchun VA tashqi paneli kiritish darchasida saqlanayotgan faylning to ‘liq nomini ко ‘rsating va 4iSaqlash ” tugmasini bosing. 4.1.2. VA tashqi panelidagi «2-topshiriqqa o*tish» tugmasini bosing. Ekranda 2-topshiriqni bajarishga mo ‘Ijallangan VA tashqi paneli paydo bo ‘ladi (14.18-rasm). 2-topshiriq. Tunnel diodi VAXi m atem atik modelini qurish Bu bo ‘limda chiziqli regressiya koeffitsiyentlarini standart ayirish amalini bajarish yo 4i bilan polinomli regressiya modeli quriladi va и statik baholanadi. VA tashqi paneli darchasida modelni qurish uchun zarur bo jgan polinom darajasini ко ‘rsating (polinom ikkita lokal maksimumga ega bo ‘lishi uchun, hisoblami uchinchi darajadan boshlash kerak). Shovqinlar xususiyatlarini baholash uchun tajribalar sonini tanlang. Bu son 10 dan yuqori b o ‘lishi kerak. VAX tushishi sohasida dioddagi kuchlanish qiymatini belgilab oling (taxminan 0,2V- 0 ,4 V). Fisher taqsimotidagi F parametmi aniqlash uchun dolzarb va erkin darajalar sonini kiriting. 4.2.1. VA tashqi panelidagi «Modelni qurish» tugmasini bosing. VA ekranida uzluksiz qizil egri chiziq ko'rinishida grafik quriladi. Grafik indikatorda olingan tasvimi та ’lumotlar buferi hamda hisobot varag‘iga к о ‘chiring. Olingan bog'liqlikni tajribada olingan m a’lumotlar bilan mosligini solishtiring. F ning hisoblash natijasida hamda tajriba yordamida olingan qiymatlari avtomatik ravishda aniqlanib VA ekraniga chiqariladi. 407
• ikkinchi shahobchadagi tok qiymati cho ‘qqidagi tok qiymatiga teng bo ‘Igandagi kuchlanish Un»;
• kuchlanishlar farqi Ufp - UR. Bu kattaliklaming qiymatlarini hisobotga yozib oling. VA ni о ‘chiring, buning uchun VA ning tashqi panelidagi «Ishni tugatish» tugmasini bosing. 5.
Nazorat savollari 1. Tunnel effekti nima? 2. Tunnel diodi tuzilmasi to ‘g ‘rilovchi diod tuzilmasidan farqlanuvchi qanday xususiyatga ega? 3. Tunnel diodi VAXi to'g'rilovchi diodnikidan nimasi bilan farq qiladi? 4. Tunnel diod VAXining qanday sohasi ishchi hisoblanadi? 5. Tunnel diodning asosiy elektr parametrlarini sanab bering. 6 . Tunnel diod asosida qanday elektron qurilmalar yasash mumkin? 7. Regressiya paramertlari qanday qilib to ‘g ‘ri tanlanadi? 8 . Olingan VAXni qanday baholash mumkin? 9. Ishda tunnel diod elektr ulanish sxemasi parametrlari qanday mulohazalar asosida tanlanishini tushuntiring. 10. Ishda tunnel diod parametrlari qanchalik aniq topilgan? Olingan natijalaming sifati nimalarga bog ‘liq bo ‘ladi? 4-laboratoriya ishi BIPOLYAR TRANZISTORXARAKTERISTIKALAR1NI TADQIQ E TISH l.Ishning maqsadi •
aniqlash; •
emitter sxemada ulangan tranzistor kirish xarakteristikasini о ‘lchash; •
emitter sxemada ulangan tranzistor chiqish xarakteristikalar oilasini о ‘lchash; • umumiy emitter sxemada ulangan tranzistorli kaskad ishchi nuqtacini о ‘rnatish. 2.1sh bajarishyuzasidan m a’lumotlar Ish bajarishdan avval quyidagilar bilan taniishib chiqish tavsiya etiladi: 410
• bipolar tranzistor tuzilmasi va ishlash prinsipi; bipolar tranzistor asosiy xarakteristikalari; bipolar tranzistoming ulanish sxemalari va ishchi rejimlari; tranzistorning kichik signal rejimida ishlash xossalari. 3. Laboratoriya stendi tavsifi Laboratoriya stendi tarkibiga quyidagilar kiradi: •
•
411
D A C 1 DACO Л С Н 2 + R2 № Ом ACHO+ A C H 2 - R 1 10 Ом ACHO- АСН1+ + АСНЗ- ► AIGND АСН1- < 14.22-rasm. Bipolar tranzistor xarakteristikalarini tadqiq etishda qo 'llaniladigan prinsipial elektr sxema. M o p tN riq : T r m z b to m i o z g * m a : to k b o V k lia u z H u h k o rfflU y tn tm l aniqlash Kuchbmsh mafAJt EB v a EkttnflterS gan q i j w a a a r * . M leM m M ki»„baia tokl № vakucNam sh Uke m a t g n t t l n g . Trandstomi sttti* k u t e i # k h kee#«Bl*eoti |!« formula yordamida aniqian» К»ВеИ ог-м »я« KuthbnbhU i (таойммп) zgannai tok b»Vkha ШЖЯ1 kM ffittlytntigaoshifii Щ b f l ш Ч Щ ; 4 :
' ул S .4 -
. . -•
412
L a b - 4 M dasturini ishga tushiring. Ishning maqsadi bilan tanishib chiqqach « Is h n i b o sh la sh » tugmasini bosing. Ekranda 1-topshiriqni bajarishda q o ‘llaniladigan VA tasviri paydo bo 'ladi (14.23-rasm). 1 - to p sh iriq . T ra n z isto rn i o ‘z g a rm as to k bo‘yicha uzatish koeffit- siyentini an iq lash
E B
va E K
kuchlanish manbalari qiymatlarini 4.1-jadvaldagi qiymatlarga taxminan mos qilib о 'mating va mos ravishda kollektor toki Ik,
baza toki IB
va kollektor- emitter kuchlanishi U Ke
qiymatlarini o'lchang. Olingan natijalarni 4.1- jadvalga kiriting. 4.1-jadval Е в , К
Е к Л Ik »
МА IB,
mkA U k e . P P d C 1,25 5 2,5 5 5 5 1,25 1 0 2,5 1 0 5 1 0 4.1.2. Tranzistor statik kuchaytirish koeffitsiyenti рос
qiymatini hisoblang va 14.1-jadvalga kiriting. Kollektor-emitter kuchlanishi Uke
tranzistor kuchaytirish koeffitsiyentiga ta ’sir ко 'rsatishi haqida xulosa chiqaring. 4.1.3. VA tashqi panelidagi «2-topshiriqqa o ‘tish» tugmasini bosing. Ekranda 2-topshiriqni bajarishga mo 'Ijallangan VA tashqi paneli paydo bo'ladi (14.24-rasm). 2-topshiriq. U m um iy e m itte r sxem ada ulangan b ip o la r tra n z isto r k irish x a ra k te ristik a sin i o ‘lchash
EK
ni 5 V qilib о 'mating. VA panelidagi « 0 ‘lchash» tugmasini bosing. VA ning grafik indikatorida tranzistor kirish toki IB
ning kirish kuchlanishi UBE
ga bog'liqlikgrafigi hosil bo 'ladi. 413
G rafik indikatorda hosil bo ‘Igan tasvirni hisobotga ко ‘chiring. 24o|>sl W ; to n tfn ly '« Ш е г exemaaidii ulangaiv ЫрЫум tranzistorni kirish xarakterlstlkM lnl o’lchash
o 'm sH n g . • Т г а е э я в г I r i s h M r a tie tn n titm l e lk h u c h u n -OTchash"
Download 11.08 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|