Yarimoʻtkazgich material kumush sulfidi bilan oʻtkazgan tajribadan boshlangan yarimoʻtkazgichlar elektronikasi sohasining keskin rivojlanishiga sabab boʻldi

21. INTEGRAL TRANZISTORLAR
Integral tranzistorlar kremniy monokristalidan tayyorlangan plastina asosida yasaladi. Plastina maxsus texnologiya asosida baza, emitter va kollektor sohalarida turli konsentratsiyali aralashmalar hosil qilinadi. So‘ngra bu sohalardan plastinalar ustki qismiga uchlar chiqariladi. Integral tranzistorning bazasi juda yupqa bo‘lib, emitter baz potensial sathi yuqori bo‘ladi. Integral sxemalarda asosan, kollektor zanjiri ta’minlovchi manbaning manfiy qutbiga ulanadi.
Hozirda integral sxemalar (IS) da, diskret sxemalarda qo‘llanilmaydigan maxsus p-r-p tipli tranzistorlar ishlatiladi. Bularga ko‘p emitterli va ko‘p kollektorli tranzistorlar, SHotki to‘sig‘iga ega bo‘lgan tranzistor va superbetatranzistorlar kiradi.
Ko‘p emitterli integral tranzistorning shartli belgilanishi 21.1a – rasmda keltirilgan bo‘lib, bu tranzistorlar asosan raqamli IS da keng qo‘llaniladi. Bu tranzistor ikki holatda: «ochiq» va «yopiq» holatda ishlashga mo‘ljallangan. Bunda baza va kollektor hamma emitter uchun umumiy hisoblanadi. SHu sababli baza va kollektorga qo‘yilgan ma’lum kuchlanishda, emitterlar kuchlanishiga qarab ba’zilari ochiq bo‘lsa, ba’zilari yopiq bo‘ladi.

21.1 – rasm. Integral tranzistorlarning shartli belgilanishi:
a – ko‘p emittkrli tranzistor, b – ko‘p kollektorli tranzistor, v – SHotki to‘sig‘iga ega bo‘lgan tranzistor
Ko‘p kollektorli integral tranzistorning shartli belgilanishi 21.1b – rasmda keltirilgan bo‘lib, uning tuzilishi ko‘p emitterli tranzistordan uncha farv vilmaydi. Faqat farqi shundaki, u inversiya rejimida ishlaydi. SHu boisdan p⁺ qatlam baza sohasiga yaqinroq qilib yasaladi. Bunda p⁺ qatlam elektronlar injektori vazifasini bajaradi.
SHotki to‘sig‘iga ega bo‘lgan tranzistorning shartli belgilanishi 21.2v – rasmda keltirilgan. Tranzistor bazasidan alyuminiyli kontakt chiqarilgan bo‘lib, u kollektor tomon cho‘zilgan. Bu kontakt kollektorning p- sohasi bilan SHotki diodini hosil qiladi va natijada tranzistorning to‘yinishiga yo‘l qo‘yilmaydi. Bazadagi kuchlanish kollektordagi kuchlanishdan yuqori bo‘lganda SHotki diodi ochilib, baza va kollektorni qisqa tutashtiradi. SHotki diodining borligi tranzistorning ishlash tezligini oshiradi.