Ўзбекистон миллий университети қошидаги яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқИҚот институти ҳузуридаги илмий

3-жадвал
Турли хил диффузия ҳароратида назорат ва никел билан легирланган кремний 
намуналари асосий бўлмаган заряд ташувчиларининг яшаш вақти ҳамда электр 
параметрларининг ўзгариши 
 
№ 
Термик ишловдан олдин 
Термик ишлов 
шартлари 
Термик ишловдан кейин 
ЎТ 
ρ, 
τ,
Т, °С 
T,°С 
ЎТ 
ρ,
τ,
Ом·см 
мкс 
t, 
соат 
К 
Н 
Ом·см 
мкс 
Н-1 
p 
9,7 
(25÷40) 
1200 
2 
Ni 
p 
10,9 
(15÷20) 
p 
10,1 
- 
- 
- 
- 
- 
Ni 
p 
11,6 
(15÷20) 
p 
11,2 
- 
Н 
n 
285 
(2÷4) 
p 
9,7 
- 
1150 
2 
Ni 
p 
10,9 
(20÷30) 
Н-2 
p 
11,3 
- 
- 
- 
- 
- 
Ni 
p 
10,9 
(20÷30) 
p 
10,6 
- 
Н 
n 
9·10
4
4 
p 
11 
- 
1100 
2 
Ni 
p 
11,2 
(15÷20) 
Н-3 
p 
11,3 
- 
- 
- 
- 
- 
Ni 
p 
10,9 
(15÷20) 
p 
11,4 
- 
Н 
i 
2,9·10
5
1 
p 
11,2 
- 
1050 
2 
Ni 
p 
10,9 
(20÷35) 
Н-4 
p 
12,2 
- 
- 
- 
- 
- 
Ni 
p 
12,3 
(20÷35) 
p 
7,2 
- 
Н 
p 
13,6 
(15÷40) 
Н-5 
p 
41 
- 
- 
1150 
2 
Ni 
p 
42,5 
(10÷30) 
p 
40 
- 
- 
Н 
n 
1,1·10
3
τ < 1 
Н-6 
n 
11,9 
(40÷50) 
1150 
2 
Ni 
n 
11,4 
(50÷70) 
n 
10,2 
- 
- 
- 
- 
- 
Н 
n 
12,8 
(15÷30) 
Н-7 
n 
43 
1100 
2 
Ni 
n 
42,7 
(50÷70) 
n 
41 
- 
- 
Н 
n 
40,5 
(15÷30) 
6-расм. Si ва назорат намуналаридаги термодонорлар концентрацияси ва 
ўтказувчанлигини термик ишлов бериш вақтига боғлиқлиги, Т= 450 °С.
1-Si, 2, 3 - назорат намуналари 
Бу тажриба натижалари НКАКларнинг мавжудлигини (яъни уларнинг 
электр жиҳатдан нейтрал қисми) ҳамда улар ҳароратнинг кенг оралиғида 
(Т=450÷1200 °С) амалда термодонорлар генерациясини бутунлай тўхтатиб 
қўйишини яна бир бор тасдиқлади. 

---

4-жадвал 
Кремнийнинг 
дастлабки 
параметрлари 
Ni 
диффузиясини 
ҳарорати 
Диффузия 
вақти 
Термик ишловдан кейинги 
электр параметрлар 
Намуналарнинг 
дастлабки 
параметрларининг 
сақлашининг 
ҳарорат оралиғи 
ЎТ 
ρ,
Ом·см 
Т, 

С 
t, 
мин 
ρ, 
Ом·см 
τ,
мкс 
Т, 

С 
t, 
соат 
n 
n 
n 
p 
p 
p 
≤ 10 
≤ 40 
≤ 100 
≤ 10 
≤ 40 
≤ 100 
1100÷1150 
1060÷1100 
1050 
1150÷1100 
1100÷1050 
1050÷1000 
15÷20 
25 
30÷35 
15÷20 
20÷25 
30÷35 
10÷12 
42÷45 
95÷102 
9÷11 
40÷43 
98÷104 
ўзгармайди 
макс 10% ўзгаради 
макс 15% ўзгаради 
озгина ўзгаради
15 ÷ 20% ўзгаради
10÷15% ўзгаради 
100÷700 
100÷600 
100÷500 
100÷700 
100÷700 
100÷500 
t=1÷20 
t=1÷20 
t=1÷20 
t=1÷20 
t=1÷20 
t=1÷20 
4-жадвалда 
кремнийнинг бошлағич электр ва рекомбинацион 
параметрларини никел киришма атомларининг диффузияланиш жараёнида 
ҳамда узоқ муддатли термик ишловлар вақтида сақлаб қолишини 
таъминлайдиган легирлашнинг асосий технологик шартлари келтирилган. 
ХУЛОСА 
 
1. Замонавий тадқиқот усуллари орқали киришма атомларнинг 
кластерларини концетрацияси, таркиби ва тузилиши аниқланди. Кластерлар 
таркибида кислород ва никел атомларини қатнашиши кўрсатиб берилди. 
Бунда кластернинг барча атомлари панжарада тугунлар аро жойлашган 
бўлади. 
2. Паст ҳароратли ишлов бериш орқали кремний панжарасида 
кластерлар ҳолатини бошқариш мумкинлиги кўрсатилди. Қўшимча термик 
ишлов бериш ҳароратини камайиши (Т=1100÷700 °С, t=0,5÷5 соат) билан 
кластерларнинг концентрацияси камаяди ва уларнинг ўлчами 0,1÷4 мкм гача 
ортиши аниқланди. 
3. Янги ҳодиса кластерларнинг маълум чизиқ бўйлаб тартибланиши 
аниқланди. Тартибланиш дислокациялар зичлигига боғлиқ эмаслиги 
кўрсатилди. 
Бу 
натижалар 
кластерларнинг 
тартибланиши 
никел 
атомларининг дислокацияларда ўтириб қолишидан эмаслигини тасдиқлади. 
4. Кластерларнинг тартибланиши никел кластерларининг кремний 
панжарасида миграция ҳисобига бўлиш механизми таклиф этилди. 
5. 
Берилган 
ҳароратда 
кремнийда 
кластерларнинг 
миграция 
коэффициентини қиймати никел атомларини алоҳида диффузиясига нисбатан 
1,5÷2 даражага кам бўлиб D=1,2∙10
-8
÷10
-9
см
2
/с эканлиги аниқланди. 
6. Илк бора никел атомлари кластерларининг миграция хусусияти билан 
боғлиқ бўлган, кремнийни никел киришма атомлари билан легирлашда ҳосил 
бўлган кластерлар билан ҳар хил нуқсон ва киришма атомларини 
геттерлашнинг самарадорлиги кўрсатилди. Никел атомларининг кластерлари 
кремнийни геттерлашнинг самарадор усул эканлиги аниқланди. 

---

7. 
Кремнийни 
электрик 
ва 
рекомбинацион 
параметрларни 
стабиллаштиришнинг ноёб технологик усули ва кремнийга никел диффузия 
қилишнинг янги технологик маршрути таклиф этилди. Бу ҳолатда 
кремнийнинг параметрлари диффузия вақтида ҳамда қўшимча Т=100÷700 °С 
оралиғида ҳароратли ишлов беришда ҳам t=20 соатгача ўз хусусиятини 
сақлаб қолди.

---

НАУЧНЫЙ СОВЕТ DSс.03/30.12.2019.FM/T.01.12 ПО ПРИСУЖДЕНИЮ 
УЧЕНЫХ СТЕПЕНЕЙ ПРИ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОМ 
ИНСТИТУТЕ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И 
МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ ПРИ НАЦИОНАЛЬНОМ УНИВЕРСИТЕТЕ 
УЗБЕКИСТАНА 
 
КАРАКАЛПАКСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
 
ТАШКЕНТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ 
УНИВЕРСИТЕТ
ИСМАЙЛОВ БАЙРАМБАЙ КАНАТБАЕВИЧ
 
МИГРАЦИЯ И ГЕТТЕРИРУЮЩИЕ СВОЙСТВА КЛАСТЕРОВ 
АТОМОВ НИКЕЛЯ В РЕШЕТКЕ КРЕМНИЯ 
 
01.04.10 – Физика полупроводников