11- laboratoriya ishi umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt amper xarakteristikalarini tadqiq etish Ishdan maqsad


Download 0.62 Mb.
Pdf ko'rish
Sana28.11.2020
Hajmi0.62 Mb.

11- LABORATORIYA ISHI  

Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt- 

amper xarakteristikalarini tadqiq etish 

Ishdan maqsad: 

Umumiy emitter ulanish sxemasida bipolyar 

tranzistorlaming asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish. 

Variant N:25. Bipolyar tranzistor: 2N3859A; R

1

=21 kOm; U

KE

=10V. 

 

2N3859A Bipolyar tranzistorining texnik xarakteristikalari: 



 

 

1-qism. Kirish va chiqish xarakteristikalari oilasini o‘lchash: 

 

1- rasm. Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish 

xarakteristikalar oilasini o‘lchash prinspial sxemasi 

 

 

Parametrlar

 

Qiymatlari

 

Strukturasi



 

n-p-n


 

Material turi

 

Si

 



Maksimal belgilangan Kollektor-Emitter kuchlanishi

 

80V



 

Maksimal belgilangan Kollektor-Baza kuchlanishi

 

120 V


 

Maksimal belgilangan doimiy Kollektor toki

 

0.25 A


 

Kollektor quvvatining tarqalishi

 

0.31 Wt


 

Tranzistorning tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsenti (hfe)

 

60

 



Tokni uzatish belgilangan chastotasi

 

60MHz



 

p-n o‘tishda ishlash harorati (Tj)

 

135 ° C


 

Kollektor o‘tish sig‘imi (Cc)

 

12pF


 

Korpusi


 

TO-92


 

 

 



 

 

 



Uke=0V 

Ie 


mkA 

20 



40 

60 


80 

100 


120 

140 


160 

180 


200 

Ueb  


0,52



0,53


0,54


0,56


0,57


0,59


0,60


0,62 


0,63

0,648



Uke=10


Ie 


mkA 

20 



40 

60 


80 

100 


120 

140 


160 

180 


200 

Ueb  


0,70



0,72


0,74


0,76


0,78


0,80


0,82


0,84


0,86


0,89 


 

2 – jadval. UE ulanish sxemasidagi BT ning chiqish xarakteristikalari oilasi: 

 

I=25mkA 


Ik 

(mA







10 



12 

14 


16 

Ukb 


(V

3,89



3,95


4,01


4,07


4,19


4,32


4,44


4,57


4,69


4,81




I=150mk

Ik 


(mA







10 

12 


14 

16 


Ukb 

(V

16,2


16,5 


16,7

17,0



17,5


18,0


18,5


19,0


19,6 


20,1



I=200mk



Ik 


(mA







10 

12 


14 

16 


Ukb 

(V

19,7


20,1


20,4


20,7


21,4


22 


22,6

23,2



23,8


24,5


 

2. Olingan natijalarga ishlov berish: 



 

Kirish xarakteristikasi oilasi (KXO) IB=f(UBE) bunda UKE=0 va 10 V. 

 

 

 



Chiqish xarakteristikasi oliasi (ChXO) IK=f(UKE) bunda IB=25;150 va 

200mkA. 


 

 

 



3. h parametrlarni hisoblash: 1. h11E parametr - tranzistorning kirish 

differensial qarshiligini hisoblash: 

0

50

100



150

200


250

0

0,2



0,4

0,6


0,8

1

Ib 



, m

kA

Ube,V



Uke=0V

Uke=10V


0

2

4



6

8

10



12

14

16



18

0

5



10

15

20



25

30

Ik



, m

kA

Uk,V



lb=25mkA

ib=150mkA

ib=200mkA


 

 

 



2. h12E parametr - tranzistorning Kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa 

koeffitsiyentini hisoblash: 

 


 

 

 



3. h21B parametr - tranzistorning tok bo‘yicha differensial 

uzatish koeffitsiyentini hisoblash: 

 

 


 

 

4. h22B parametr - tranzistorning differensial o‘tkazuvchanligini 



hisoblash 

 

 



 

 


 

 

Xulosa. 



Biz  navbatdagi  laboratoriya  ishida  umumiy  emitter  ulanish 

sxemasidagi  bipolyar  tranzistorningning  statik  Volt-amper 

xarakteristikalarini tadqiq etish o’rgandik.Laboratoriyani bajarish 

davomida kirish xarakteristikasi oilasi va chiqish xarakteristikasi 

oilasi  qiymatlarini  hisobladik.Kirish  xarakteristikasi  oilasi  va 

chiqish xarakteristikasi oilasi qiymatlarini hisoblashda kollektor  

va  emitter  toklarini  kamaytirib  bordik.Natijada  kollektor  va 

emitterdagi kuchlanishlar mos Ravishda kamayib bordi. 



 

Download 0.62 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2020
ma'muriyatiga murojaat qiling