Илмий хабарномага 2020

УДК 666.3.017


Получение, структура и электрофизические свойства твердого раствора
(GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y


А.Й. Бобоев, Ж.Н. Усмонов, Д.П. Абдурахимов, М.И. Уринбоев,
Н.Ю. Юнусалиев, А.К. Тожимухаммадов


Андижанский государственный университет им. З.М. Бабура
д.129, ул. Университетская, г. Андижан, 170100, Узбекистан.
Тел.:[phone]; e-mail: [e-mail]
Аннотация. Определены оптимальные технологичные режимы выращивания структурно совершенных эпитаксиальных слоев твердых растворов (GaAs_1-δBi_δ)₀,₄₆(Ge₂)_0,31(ZnSe)_0,23 на GaР подложках. Обнаружены, что выращенные пленки являются монокристаллическими с ориентацией (111), размером блоков 62 нм, и имеют сфалеритную структуру, а параметр кристаллической решетки пленки составляет a_f = 0,05656 нм. Установлено, что вольтамперная характеристика гетероструктуры n-GaP – p-(GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y в прямом направлении тока хорошо описывается экспоненциальной зависимостью.
Ключевые слова: подложка, рентгенограмма, пленка, твердый раствор, монокристалл, ориентация, сфалерит, структура, эпитаксия.
Аннотация. GaР тагликларига мукаммал тузилмали (GaAs_1-δBi_δ)₀,₄₆(Ge₂)_0,31(ZnSe)_0,23 эпитаксиал қатлам қаттиқ қоришларини ўстиришнинг энг қулай шарт-шароитлари аниқланган. Ўстирилган пленкалар (111) кристаллографик ориентацияли, 62 нм блок ўлчамли монокристал ҳисобланиб сфеларит тузилишга эга, шунингдек пленканинг кристалл панжара қиймати a_f = 0,05656 нмни ташкил этиши аниқланди. n-GaP – p-(GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y гетеротузилмасининг вольтампер тавсифи токнинг тўғри йўналишида экспоненциал боғланиш билан ифодаланди.