Очистка поверхности кремния


Download 25.26 Kb.
Sana22.01.2021
Hajmi25.26 Kb.
#205225
Bog'liq
Очистка поверхности кремния
web yakuniy, 2 5411248752432253321, 2 5440487390839833218, 5, 2 5411147421268839128, 2 5411248752432253321, yozma ish-4, 6-amaliy.Cisco packet tracer yordamida dhcp serverini ko’tarish, yozma ish-4, 5-amaliy.cisco packet tracer dasturida telnet va ssh, 4-amaliy.Mavzu Cisco Packet Tracer dasturida wan tar, jaxon tarixi, 2 5332362512581003873, 9-sinf-fizika-fanidan-ii-chorak-uchun-testi 1396-6-20-6-45

Очистка поверхности кремния
Метод химической очистки поверхности Si
Вопрос о химической очистке и подготовке поверхности Si сразу же встал с момента начала активного использования Si при производстве приборов для микро-, оптоэлектроники.
Методы очистки поверхности разделяются на «жидкостные» и «сухие» в зависимости от агрегатного состояния среды. «Жидкостные» методы включают обработку в жидкостях и парах [10,16]. Если пластина обрабатывается в газовой среде или в вакууме, то очистка называется «сухой». Среди разнообразных методов наиболее экономичными и доступными были и остаются методы влажной (”жидкостные“ методы) химической очистки благодаря относительной простоте технологического оформления и разработанным технологиям получения особо чистых химических реагентов, на основе которых приготавливают растворы для травления и очистки поверхности пластин кремния.
Проблемам разработки методов влажной химической очистки посвящены сотни публикаций.
Наиболее продвинулась в этом направлении американская фирма RCA в лице основного автора разработки стандартной методики химической очистки и пассивирования Si В. Керна. Метод очистки, разработанный этой фирмой, называется ”RCA Standard Clean“. Результаты работ сотрудников фирмы RCA, создавших метод ”RCA Standard Clean“, обобщены в обзорах [10,13,14].
Фирмы RCA [10,1315], в которой использованы легко получаемые в промышленности особо чистые химические компоненты: соляная (хлористоводородная) кислота (HCl), водный раствор аммиака (NH4OH), нестабилизированный пероксид водорода (H2O2) и деионизированная вода (DI H2O).
Оригинальная разработка RCA состоит из двух последовательных операций химической очистки пластин кремния двумя водными растворами травления.
Операция № 1 заключается в травлении стандартным ”очистителем“ 1 (Standard Clean 1, или SC-1), представляющим собой пероксидно-аммиачный раствор (ПАР). ПАР состоит из 5 объемов H2O, 1 объема H2O2 (30%) и 1 объема NH4OH (29%). Травление проводится при температуре 70-80◦C с последующей промывкой пластин в деионизированной воде (DI H2O).
Операция № 2 заключается в травлении стандартным ”очистителем“ 2 (Standard Clean 2, или SC-2), представляющим собой пероксидно-солянокислый раствор (ПСP). Данный ПСР состоит из 6 объемов H2O, 1 объема H2O2 (30%) и 1 объема HCl (37%). Травление проводится при температуре 75-80◦C с последующей промывкой пластин в DI H2O.

Download 25.26 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2022
ma'muriyatiga murojaat qiling