Bipolyar tranzistorlar elektron kaliti


Download 361.97 Kb.
bet1/15
Sana12.05.2022
Hajmi361.97 Kb.
#667087
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   15
Bog'liq
2 5427333928941785844
buhoro.uz tarixiy obidalari saytini yaratish mavzusida, aniq integralning tatbiqlari , aniq integralning tatbiqlari , Oliy matematika MP-1 guruh talabasi Toʻlqinov Sobirjon, 12-mavzu, O1, 6-sinf informatika(15 ta test), Course work 2020 Feruzaxon, Intellektual fa, Intellektual fa, Турғунов З. малака иши, Турғунов З. малака иши, DHN Konst-h HMQO, ruuuus-tili, rxJBonsun-by uKHeUXKGLuwgYFkZRSN

MUNDAREJA
1-KIRISH
2-BOB.NAZARIY QISM.
2;1BIPOLYAR TRANZITORLAR ASOSIDA INTEGRAL MIKROSXEMALARNI TAYYORLASH..
2;2.BIPOLYAR TRANZISTORNING ULANISH SXEMALARI.
2;3.BIPOLYARTRANZISTORNING VA CHASTOTA XUSUSIYAT
BIPOLYAR TRANZISTORLAR ELEKTRON KALITI
3-BOB.HISOBLASH QISMI
1-UMUMUY EMITTET.2-UMUMIY KOLLEKTIR ULASH.3-UMUMIY BAZA ULASH.

2-BOB.NAZARIY QISIM.


2;1.BIPOLYAR TRANZITORLAR ASOSIDA INTEGRAL MIKROSXEMALARNI TAYYORLASH.


Bipolyar tranzistorlar asosida integral mikrosexemalrni tayyorlash (tra n z is to rla r, d io d la r, re zisto rlar,kondensatorlar) asosini n+ - p — n tuzilm a tashkil etadi.IM S tayyorlash uchun planar, planar epitaksial texnologiyalardan
foydalaniladi. P lanar texnologiyada elem entlar p — yoki n — turli
yarim o'tkazgich asosda hosil qilinadi. Planar-epitaksial texnologiyasida
elem entlar asos sirtiga o'stirilgan epitaksial qatlam da hosil qilinadi.
Texnologiya asosni (epitaksial qatlam ni) navbatm a-navbat d onor
va akseptor kiritm alar bilan legirlashga asoslanadi, natijada sirt tagida
turli o ‘tkazuvchanlikka ega yupqa qatlam lar va qatlam lar chegarasida
p —n
o ‘tishlar hosil b o ‘ladi. Alohida qatlam lar rezistorlar sifatida, p —
n
o 'tis h la r esa diod va tran z isto r tu zilm alari sifatida ishlatiladi.
K ondensatorlar sifatida teskari siljitilgan p MUNDAREJA
1-KIRISH
2-BOB.NAZARIY QISM.
2;1BIPOLYAR TRANZITORLAR ASOSIDA INTEGRAL MIKROSXEMALARNI TAYYORLASH..
2;2.BIPOLYAR TRANZISTORNING ULANISH SXEMALARI.
2;3.BIPOLYARTRANZISTORNING VA CHASTOTA XUSUSIYAT
BIPOLYAR TRANZISTORLAR ELEKTRON KALITI
3-BOB.HISOBLASH QISMI
1-UMUMUY EMITTET.2-UMUMIY KOLLEKTIR ULASH.3-UMUMIY BAZA ULASH.

2-BOB.NAZARIY QISIM.


2;1.BIPOLYAR TRANZITORLAR ASOSIDA INTEGRAL MIKROSXEMALARNI TAYYORLASH.


Bipolyar tranzistorlar asosida integral mikrosexemalrni tayyorlash (tra n z is to rla r, d io d la r, re zisto rlar,kondensatorlar) asosini n+ - p — n tuzilm a tashkil etadi.IM S tayyorlash uchun planar, planar —epitaksial texnologiyalardan
foydalaniladi. P lanar texnologiyada elem entlar p — yoki n — turli
yarim o'tkazgich asosda hosil qilinadi. Planar-epitaksial texnologiyasida
elem entlar asos sirtiga o'stirilgan epitaksial qatlam da hosil qilinadi.
Texnologiya asosni (epitaksial qatlam ni) navbatm a-navbat d onor
va akseptor kiritm alar bilan legirlashga asoslanadi, natijada sirt tagida
turli o ‘tkazuvchanlikka ega yupqa qatlam lar va qatlam lar chegarasida
p —n o ‘tishlar hosil b o ‘ladi. Alohida qatlam lar rezistorlar sifatida, p —
n o 'tis h la r esa diod va tran z isto r tu zilm alari sifatida ishlatiladi.
K ondensatorlar sifatida teskari siljitilgan p —n o ‘tishIar xizm at qiladi.
Integral rezistorlar. Integral rezistorlar tranzistorlarning baza yoki
em itter sohasini hosil qilish operatsiyasi bilan bir vaqtda tayyorlanadi.
Rezistor qarshiligi berk holatdagi p —n o ‘tish chegarasi bilan cheklangan
qatlam ning hajm iy qarshiligidan iborat b o ‘ladi.
E m itter soha asosida qarshiligi 3-MOO O m b o ‘lgan kichik qarshilikli
rezisto rlar hosil q ilin ad i, chunki e m itte r q atlam n in g so lish tirm a
qarshiligi kichik b o ‘ladi.

Download 361.97 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   15




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2022
ma'muriyatiga murojaat qiling