Bt da yasalgan ub kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish Ishning maqsadi

BT da yasalgan UB kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish

Ishning maqsadi: Sxemalarda bipolar transistor (BT) bazasi umumiy (UB) qilib bajarilgan kuchaytirgich kaskadlarini tajribada taxlil qilish; yuklama (omik) qarshiligi qiymatining kuchaytirgich parametrlariga ta’sirini o’rganish.

Sxemalarda signal manbai BT ning baza yoki emitter elektrodiga, yuklama esa kollektor yoki emitter elektrodiga ulanishi mumkin. Bu xollarda BTning uchinchi elektrodi kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy boʼlib qoladi. Sxemalarda tranzistorning qaysi elektrodi signal (oʼzgaruvchan tok) boʼyicha umumiyligiga qarab, tranzistor UE, UB, UK ulanishlarga ega deyiladi. Bunday sxemalar umumiy emitter (UE)li, umumiy baza (UB)li, umumiy kollektor (UK)li deb nomlangan .

Elektron sxemalarni tahlil qilish uchun BT ning elektrodlari orasidagi tok va kuchlanishlar bir-biri bilan qanday bogʼlanganligini, yaʼni uning volьt-amper xarakteristikasi (VАX)ni bilish zarur.

Kuchaytirgich kaskadlarini tahlil qilishda bizni qoʼyidagi parametrlar qiziqtiradi: quvvatni kuchaytirish koeffitsienti Kr, kuchlanish boʼyicha kuchaytirish koeffitsienti KU, tok boʼyicha kuchaytirish koeffitsienti K1, kuchaytirgich kaskadining past chastotalari oraligʼidagi kirish qarshiligi RKIR va chiqish qarshiligi RChIQ. Past chastotalarda (kvazistatik rejimda) BTning tok boʼyicha kuchaytirish koeffitsientini va r-n oʼtishlar parazit sigʼimlarning chastotaviy oʼzgarishlari hisobga olinmaydi. S1, S2 va S3 kondensatorlar sigʼimlari shu qadar katta (mkF) olinadiki, ishchi chastotalarda ularning qarshiliklarini hisobga olmasa boʼladi. Bu elektr taʼminlash manbai YeK ga ham tegishli chunki Sf kondensator elektr manbai oʼzgaruvchan tok boʼyicha shuntlanadi.

Variant 2

A = 0.5 , R_E = 400 , R_K = 1.1 k, E_n = 14 V , I_k = 3.5 mA , E₁ = E₀(1+A*sinα) , S = E₁-E₀