Ишнинг мақсади

11-ЛАБОРАТОРИЯ ИШИ
УЭ уланиш схемасидаги БТни статик ВАХларини тадқиқ этиш.
Ишнинг мақсади: УЕ уланиш схемасида биполяр транзисторларнинг асосий статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш, характеристикаларни ўлчаш ва тажриба натижаларини қайта ишлаш услуби билан танишиш.
11.1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик:
График кўринишда ифодаланган ток ва кучланиш орасидаги боғлиқлик транзистор статик характеристикалари деб аталади. Умумий эмиттер уланиш схемасида мустақил ўзгарувчилар сифатида база токи ва коллектор – эмиттер кучланиши танланади, шунда:
(11.1)
Икки ўзгарувчили функтсия график кўринишда характеристикалар оиласи каби тасвирланади.
БТ кириш характеристикалари оиласи 11.1 а- расмда, чиқиш характеристикалар оиласи 11.1 б-расмда келтирилган.

а) б)
11.1-расм
Характеристикаларнинг ҳар бири қуйидаги боғлиқлик билан ифодаланади:
, бўлганда (11.2)
, бўлганда (11.3)
Кичик амплитудали сиганллар билан ишланганда ва қийматлар билан бериладиган ихтиёрий ишчи нуқта атрофидаги ночизиқли боғлиқликлар (11.1-11.3), чизиқли тенгламалар билан алмаштирилиши мумкин, масалан транзисторнинг ҳ- параметрлар тизимидан фойдаланиб.
(11.4)
ёзиш мумкин, бу эрда , бўлганда
, бўлганда
, бўлганда (11.5)
, бўлганда
ҳ- параметрлар (11.5) формулалари ёрдамида хараткеристикалар оиласидан аниқланиши мумкин (ҳ_11Е ва ҳ_12Е – кириш хараткеристикалар оиласидан, ҳ_21Е ва ҳ_22Е – чиқиш характеристикалар оиласидан).
Амалий ҳисобларда кўпинча БТ статик характеристикаларини бўлакли- чизиқли апрроксиматсиясидан ҳам кенг фойдаланишади. (11.2- расмга қаранг)

11.2-расм
Аппроксиматсияланган кириш хараткеристиклари учун
(11.6)
га эгамиз.
Чиқиш характеристикалари учун эса
(11.7)
11.6 ва 11.7 формулаларда
У_БЎС- эмиттер ўтишдаги бўсағавий кучланиш,
- транзистор кириш қаршилигининг ўрта қиймати ( ),
- тўйиниш режимидаги транзистор чиқиш қаршилиги (бошланғич соҳада).
, ва (11.8)
- актив режимда чиқиш қаршилиги нинг ўрта қиймати.
ва бўлганда (11.9)