Исследование ключевых схем на биполярных транзисторах

Министерство по развитию информационных технологий и коммуникаций
Республики Узбекистан
Ташкентский университет информационных технологий имени Мухаммада ал-Хоразмий

Самостоятельная работа

по дисциплине «Схемотехника и электроника 2»
на тему:
«ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ»

Выполнил:Олимов Диёрбек

ТАШКЕНТ-2023

Цель работы:
1. Изучить принцип действия, основные характеристики и параметры электронных ключей на БТ.
2. Выполнить инженерный расчет транзисторного ключа на БТ.
Исходные данные:

Вариант	Напряжение источника питания UИП, В	Сопротивление нагрузки RН, Ом	Коллекторное сопротивление RК, Ом
9	8	900	220

1. Расчёт параметров транзисторного ключа на БТ
На рис.1 приведена принципиальная схема электронного ключа БТ с ОЭ для кремниевого транзистора.



Рис. 1. Схема электронного ключа на кремниевом БТ с ОЭ: а) принципиальная схема; б) эквивалентная схема

Произведем выбор типа транзистора.

Рассчитываем ток коллектора:
I_К=(U_ИП-U_КЭНАС)/R_К ,
где
U_ИП – напряжение источника питания (8В)
U_КЭНАС - напряжение насыщения биполярного транзистора (типично от 0.2 до 0.8В, хотя и может различаться для разных транзисторов), в нашем случае примем 0.5В
R_К- коллекторное сопротивление (220Ом)

Таким образом:

I_К = (8-0.5)/220 = 0.034A = 34мА
На практике из соображений надежности элементы всегда необходимо выбирать с запасом. Возьмем коэффициент 1.5
Таким образом, нужен транзистор с допустимым током коллектора не менее 1.5*0.034=0.051А и максимальным напряжением коллектор-эмиттер не менее 1.5*8=12В.
По заданным параметрам подходит транзистор BC337