Kafedrasi Raqamli qurulmalarni loyhalashga kirish fani bo’yicha

O’zbekiston Respublikasi Axborot 

Texnologiyalari va Kommunikatsiyalarini Rivojlantirish 

Vazirligi Muhammad Al-Xorazmiy Nomidagi Toshkent 

Axborot Texnologiyalari Unversiteti 

 

Elektronika va radiotexnika kafedrasi 

 

Raqamli qurulmalarni loyhalashga kirish fani bo’yicha 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Mavzu: 

TTM, SHTTM, n-MDYA, p-MDYA va KMDYA 

mantiq elementlarining xususyatlari

 

 

 

 

                                  

Bajardi

 : Ermamatov Farrux. 410-18 guruh 

                                                             

Tekshirdi

 : Aripov Xayrulla. 

  

Toshkent 2020 

REJA 

1.1    2 HAM-EMAS funksiyasini bajaruvchi TTM sxemasi 

 

1.2    2HAM-EMAS funksiyasini bajaruvchi SHTTM sxemasi 

 

1.3    YOKI funksiyasini bajaruvchu n-MDYA 

 

1.4    4HAM funksiyasini bajaruvchi p-MDYA 

 

1.5    5 YOKI funksiyasini bajaruvchi KMDYA sxemasi 

 

 

1.1 2 HAM-EMAS funksiyasini bajaruvchi TTM sxemasi. 

 

 

Barcha kirishlar (X1 va X2) potensiali nolga teng yoki shu qiymatga yaqin 

bo’lsin: U

x

 = U° = 0. U holda barcha EO‘lar K O‘ kabi to’g’ri yo'nalishda siljigan 

bo’ladi. Barcha tranzistorlar to’yinish rejimiga o‘tadilar. Bu holatda I

o

 tok ham 

ochiq EO’laridan, ham KET ning ochiq KO‘dan oqib o’tishi mumkin. Тоk KET 

EO’lardan oqib o’tayotganda bu o'tishlardagi kuchlanish +0,7 V ga teng bo’ladi. 

Parallel ulangan EO’larga ega KET ni ikki barobar katta hajmdagi yagona 

tranzistor deb qarash mumkin. KET KO’dan oqib o’tayotgan tok deyarli nolga 

teng, chunki unga VT1 ning EO’i ketma-ket ulangan. Tok bu zanjirdan oqib o’tishi 

uchun, KET baza potensiali 2 U*=1,4 V ga teng bo’lishi kerak. Demak, VT1 

ochiq, emitter va kollektorning qoldiq toklarini nolga teng deb hisoblash mumkin. 

Chiqish kuchlanishi esa EMga yaqin bo’ladi, ya’ni mantiqiy 1 sathini U' = E

m

 

beradi. Bu vaqtda I

0

 quyidagicha aniqlanadi: 

I

0

 = (E

M

 –U*)/Rl . 

 Agar faqat bitta kirishga mantiqiy 0, qolganlariga mantiqiy 1 berilsa, VT1 

berk bo’ladi. Shunday qilib, biror kirishga mantiqiy 0 berilsa chiqishda mantiqiy 1 

olinar ekan. Faqat barcha kirishlarga mantiqiy 1 berilsagina, chiqishda mantiqiy 0 

ga ega bo’lamiz. Shunday qilib, mazkur sxema 2HAM-EMAS mantiqiy amalini 

bajaradi, bu yerda 2 raqami ME kirishlari sonini bildiradi. 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.2  2HAM-EMAS funksiyasini bajaruvchi SHTTM sxemasi 

 

  

 

Mantiqiy elementlarning tezligini oshirish uchun  Shottki tranzistorlaridan 

foydalanadi (Shotti diodli tranzistorlar), ularning o'ziga xos xususiyati shundaki, 

ularning dizaynida pn birikmasi o'rniga metall-yarimo'tkazgich rektifikatsion 

kontaktidan foydalaniladi. Ushbu qurilmalarning ishlashi davomida ozchiligida 

tashuvchilarni in'ektsiyasi va zaryadning to'planishi va rezorbsiyasi hodisasi 

mavjud emas, bu esa yuqori ish faoliyatini ta'minlaydi. Ushbu diodlarni kollektor 

o'tish joyi bilan parallel ravishda ulash transistorlarning to'yinganligini bloklaydi, 

bu esa mantiqiy 0 va 1 soniyalarining kuchlanishini oshiradi, lekin mantiqiy 

elementni bir xil oqim sarfida almashtirish uchun vaqt yo'qotilishini kamaytiradi 

(yoki standart javob tezligini saqlab, oqim sarfini kamaytirishga imkon beradi). 

Shunday qilib, 74xx seriyali va 74LSxx seriyali taxminan bir xil ishlashga ega 

(aslida 74LSxx seriyali biroz tezroq), lekin quvvat manbaidan iste'mol qilinadigan 

oqim 4-5 baravar kam (mantiqiy elementning kirish oqimi bir vaqtning o'zida). 

 

1.3  YOKI funksiyasini bajaruvchi n-MDYA sxemasi 

 

 

 

 

 

1.4 4HAM funksiyasini bajaruvchi p-MDYA 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.5 5 YOKI funksiyasini bajaruvchi KMDYA sxemasi 

 

 

KMDYA  - mantiq elementining asosiy afzalligi, unda kam – kam energiya 

sarflanishidir. MDYA – tranzistorlar nol`ga yaqin zatvor tokiga ega, shuning uchun ham 

maydoniy tranzistorni boshqarishda kam quvvat talab etiladi. Maydoniy tranzistorli tez 

ishlovchi sxemalarda quvvatning asosiy qismi maydoniy tranzistor  kirishidagi 

zaryadlash va zaryadsizlantirishga sarflanadi xolos. Shuni ta'kidlash joyizki, KMDYA – 

elementli sxemalarda energiya yo'qotishga sabab bo'luvchi rezistorlar bo'lmaydi. 

Maydoniy tranzistorlarni tayyorlashda zatvor o'lchamini kichraytirib, zatvor va stok, 

zatvor va istok sig'imlarini kamaytirib, tez ishlaydigan KMDYA – elementlar qurish 

mumkin. Shuning uchun KMDYA – mantiq hozirgi zamonaviy mikroprotsessorlarni va 

yuqori darajada integrallashgan mikrosxemalarni qurishda keng qo'llanilmoqda.