Kis 201- guruh talabasi


Download 0.58 Mb.
bet1/4
Sana16.05.2022
Hajmi0.58 Mb.
#672429
  1   2   3   4
Bog'liq
4-mus-7
hoshimov, 3-ma'ruza (1), 4-ma'ruza (1), Osmotik bosim (2), 7-8- МАЪРУЗА УЧУН САВОЛЛАР, 1, 6-amaliy mashg’ulot., Kamolova M practical english, rabotax, Task 1, ТARMOQ TENALOGIYALARI ОН ЯН, Abduqodir tojiboyevdan, Óz-betinshe, 192-guruh talabasi Ro’zmetova Nafisa Muhammad Rahimxon II




MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI


KIS 201- guruh talabasi

ismoilov dilshod



FAN NOMI





Elektronika va sxemalar









MAVZU:





Emitterlari bog‘langan mantiq elementlar.



ISHDAN MAQSAD:







4-mustaqil ish
Mavzu : Emitterlari bog‘langan mantiq elementlar.

Reja :

  1. Emitterlari bog’langan mantiq elementlari

  2. ikkita kirishli emitterli bog’kangan mantiq elementlari ME

  3. Ikkita chiqishlarining emitterli bog’kangan mantiq elementlari ME birgalikda ulanishi.



Emitterlari bog’langan Mantiq elementlari
Emitterlari boglangan mantiq element(EBM ) ning yaratilishiga
raqamli qurilm alar tezkorligini oshirish m u am m o si sababboM gan. EBM elem entda qayta ulanuvchi tranzistor yoki berk, yoki ochiq boMadiva b azad a q o ‘s h im c h a noasosiy zaryad tash u v ch ilar t o ‘p la n ay o tg an d a ВТ t o ‘yinish rejim ida ishlaydi. T ranzistorni bir h o la td a n ikkinchisiga o ’tishi uzoq k ech ad ig an jaray o n b o ’lganligi sababli, T T M elem ent tezkorligi cheklangan. BTdagi kalit inersiyaliligini kam aytirish maqsadida shunday sxemalar yaratish kerakki, unda qayta ulanuvchi
tranzistor ochiq holatda aktiv rejimda ishlasin.
EBM shunday sxematexnik yechimlardan biri hisoblanadi. BTning
to ‘yinm agan rejimi yuklam a va parazit sigM mlarning tez qayta
zaryadlanishi uchun talab qilinadigan ishchi toklarni oshirish imkonini
beradi. Qayta ulanuvchi clement ulanish vaqti m inim um ga keladi.
Bu vaqtda BTning berkilish vaqti ortmaydi. Shu sababli EBM elementlar yuqori tezkorlikka ega.
EBM elem ent asosini tok qayta ulagichi tashkil etadi (1-rasm).
U D K kabi ikkita simmetrik yelkadan tashkil topgan boMib, ularning
har biri tranzistor va rezistordan iborat. U m um iy em itter zanjirida
BTG /у ishlaydi. D K dan farqli ravishda kirishlardan biri (VT2) tayanch deb ataluvchi doim iy kuchlanish m anbayi f/„ga ulangan. T ok /f,qiym ati tranzistorning aktiv ish rejim iga m o s keladi va EB M negiz e le m e n tla rid a / y = 0,5->2 mA. B T G m avjudligi tufayli baza p o te n sia lla rin in g ixtiyoriy qiymatlarida em itter oMishlarda avtomatik ravishda


1-rasm tok qayta ulagichi
Aktiv rejim da e m itte r to k in in g b a z a — e m itte r ku ch lan ish ig a
bo g ‘liqligi kirishdagi VTl tranzistor uch u n quyidagi ifoda bilan
approksimatsiyalanadi

Bu ifodalarda em itter tokining = 0 va ^ A/^ 0 boMgandagi qoldiq
qiymati IFjr Integral texnologiyada egizaklik prinsipiga muvofiq IE0I =
IEI)2. Xona temperaturasida (pT = k T I q = 0,025 V.
(12.2), (12.3) va (12.4)lardan foydalanib


Sxema simmetrik, shuning uchun ikkala ВТ baza potensiallari
teng bo'lganda ( U KIR = Uf) har bir yelkadan oqib o'tayotgan tok

Download 0.58 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2   3   4




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2022
ma'muriyatiga murojaat qiling