O'zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va kommunikasiyalarini rivojlantirish vazirligi muxammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti mustaqil ish


Download 193.31 Kb.
Sana14.10.2023
Hajmi193.31 Kb.
#1703366
Bog'liq
Bipolyar tranzistorlardagi kalit sxemalarni tadqiq etish-fayllar.org


Bipolyar tranzistorlardagi kalit sxemalarni tadqiq etish

O'ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKASIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI

MUXAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI

Mustaqil ish
“ELEKTRONIKA VA SXEMALAR 2”
fanidan
“BIPOLYAR TRANZISTORLARDAGI KALIT

SXEMALARNI TADQIQ ETISH”


Guruh: САЕ 014_L1
Bajardi: Nurmatov Shukrullo
Tekshirdi: D.Arziyev
TOSHKENT 2020
Berilgan ma'lumotlar:


Variant

Elektr ta'minoti kuchlanishi Um, V

Yuklama qarshilik


Ryu, Om

Kollektor qarshiligi RК, Ом


33

15

1100

220



  1. BT-da tranzistor kalitining parametrlarini hisoblash.


1-rasmda kremniyli BT ning UE ulanish sxemasi elektron kalitning prinspial sxemasi ko'rsatilgan.




1- rasm. Kremniyli BT ning UE elektron kalit sxemasi: a) prinspial sxema; b) ekvivalent sxema

Tranzistor turini tanlaymiz.


Kollektor tokini hisoblaymiz:

IK=(Um-Uto’y)/RK

Um (UИП) - kuchlanish manbai (15V),
Uto’y (UКЭНАС) - bipolyar tranzistorning to'yinishini 0,4V ni olamiz,
RK- Kollektor qarshiligi (220 Оm).
Shunday qilib:

IK = (15-0.4)/220 = 0.066A = 66мА


Amalda, ishonchlilik sababli, elementlar har doim ortig’i bilan tanlanishi kerak. Koeffitsientni 1,5 olamiz.
Shunday qilib, tranzistor qabul qilinadigan kollektor toki kamida 1,5 * 0.066 = 0.099A ​​va maksimal 1,5 * 15 = 22,5V maksimal kollektor-emitter kuchlanishiga ega bo'lishi kerak.
Berilgan parametrlarga ko'ra, BC547A tranzistori mos keladi (Ikmax = 0.1A Uke = 45V)
BC547A bipolyar tranzistorining xarakteristikasi:
Tuzilishi - n-p-n
Kollektor-emitter kuchlanishi: 45 V
Kollektor-baza kuchlanishi: 50 V
Emitter-baza kuchlanishi: 6 V
Kollektor toki: 0,1 A
Kollektor quvvatining ajralishi, ko'pi bilan 0,5 Vt
Tranzistorning tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti (hfe): 110 dan 220 gacha
O'tish tokining chegaraviy chastotasi: 150 MGz
Korpus: TO-92

Ekvivalent kalit sxemasining parametrlarini hisoblaymiz:











RB = h11E

    1. UE ulanish sxemasiga mos keladigan BC547A tranzistorining statik kirish va chiqish xarakteristikalari oilasini quramiz.


OE Ib = f (Ube) da Uke = 0 V va Uke = 10 V ga mos keladigan BC547A tranzistorining kirish xarakteristikalarini ajratib olamiz.


Tranzistorning parametrlarini o'lchash uchun 2-rasmdagi sxemani yig'dik.


2-rasm. Transistorning kirish xarakteristikalari oilasini olish sxemasi
Olingan IB va UBE qiymatlari 1-jadvalda umumlashtirildi. Ulardan foydalanib, biz BC547A tranzistorining statik kirish xarakteristikalarini yaratamiz.
1-jadval.

UE Ib = f (Ube) da Uke = 0 V va Uke = 10 V ga mos keladigan BC547A tranzistorining statik kirish xarakteristikalari oilasi.


Uкe=0V


Uкe=15V


Ib, мкА


UBE, мV


Ib, мкА


UBE, мV


25

546

25

652

50

566

50

673

75

578

75

685

100

587

100

694

125

593

125

701

150

599

150

706

175

603

175

711

200

607

200

715

250

614

250

721

300

620

300

727

350

624

350

731

400

628

400

736

450

632

450

739

500

635

500

742

Tegishli ma'lumotlarga ko'ra, biz tranzistorning kirish xarakteristikalarining Ib = f (Ube) grafigini chizamiz (3-rasm).




3-rasm. BC547A tranzistorining kirish xarakteristikalarining Ib = f (Ube) grafigi
UE Ik = f (Uke) da Ib = const qiymatga mos keladigan tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasini qurish.
UE ulanish sxemasiga mos keladigan BC547A tranzistorining statik chiqish xarakteristikalari turkumini qurish uchun biz multisim dasturiy ta'minot muhitida xarakteriograf-IV dan foydalanamiz (4-rasm). Xarakteriograf-IVdan qanday foydalanish haqida https://cxem.net/comp/comp193.php saytida batafsil tushuntirilgan.



4-rasm. Transistorning chiqish xarakteristikalari
Xarakterografda siz 5 tadan kam bo’lmagan chiqish xarakteristikalarini olishingiz kerak. Buning uchun, «параметры моделирования» oynasida, Ib baza toki uchun 5 parametr olindi. UKE kuchlanishi 0 dan 20 V gacha o'zgartirildi.
Xarakteriograf-IV yordamida 2-jadvalni to'ldiramiz. Shu bilan birga, Ib ning joriy qiymatlarini xarakteriograf qiymatiga o'rnatamiz.

2-jadval.


UE Ik = f (Uke) ning Ib= const qiymatiga mos keladigan BC547A tranzistorining statik chiqish xarakteristikalari.


Uke, В


Ib=0


Ib=90 мкА


Ib=180 мкА


Ib=270 мкА


Ib=360 мкА


Ib=450 мкА


mA

mA

mA

mA

mA

mA

0

0

0

0

0

0

0

0,125

0

5,971

11

16

19

23

0,25

0

9,01

16

22

27

31

0,5

0

9,517

17

23

29

33

1

0

10

19

26

32

37

2

-0,00044


12

22

31

38

44

3

0

14

26

35

44

51

4

-0,00089

16

29

40

50

59

5

-0,00089


18

33

45

56

66

6

0

19

36

5

62

73

7

0

21

39

55

68

81

8

0

23

43

60

75

88

9

0

25

46

65

81

95

10

-0,00178


27

50

69

87

102

15

0

28

67

94

117

139

20

0

44

84

118

148

175

Olingan ma'lumotlarga asosida, tranzistorning chiqish xarakteristikalari grafigini Ik = f (Uke) quramiz (4-rasm).


5-rasm. BC547A tranzistorining chiqish xarakteristikalarining Ik = f (Uke) grafigi


shu to’plamga kiruvchi BT chiqish xarakateristikasiga quyidagi tenglama orqali , koordinata o’qlarida yotuvchi 2 ta nuqta orqali, to’g’ri chiziqli urinma o’tkazamiz, koordinata nuqtalari , koordinata o’qidagi kuchlanish va , toklar. , ifoda orqali baza toki va chiqish kuchlanishdagi kalitni ( ), aniqlovchi yuklamaning to’g’ri va egri chiziqli kesishish nuqtalarini topamiz, N –shu kabi nuqtalar soni.
Jadval 3. Chiqish kuchlanishining qiymatlari


UКEi, В


UКЭ0


UКЭ1


UКЭ2


UКЭ3


UКЭ4


UКЭ5


Uвыхi=UКEi, В


9,2

7,9

5,8

4,2

3,7

2,9

RB-ni aniqlaymiz


RB = h11э
Buning uchun 5-rasmdagi 2-nuqtadan foydalanamiz, bunda IB2 = 250 mkA.
Kirish xarakteristikasidan h11E-ni aniqlaymiz:



7-rasm. h11e ni aniqlash
Rasmdan biz Ib1 = 140 mkA, Ib3 = 330 mkA, Ube1 = 710 mV, Ube3 = 740 mV ekanligini aniqlaymiz. Keyin h11e aniqlanadi:
BT ning kirish VAXi , da chiqish kuchlanishiga mos keladigan kuchlanishni topishga imkon beradi.



8-rasm. Ubei ni aniqlash
Olingan qiymatlar va juftligi kalitning uzatish xarakteristikasini qurishga imkon beradi. ning Yuqori chiqish darajasi BT ning kesishish sohasiga mos keladi (6-rasmda "0" nuqtasi):
.
Chiqish darajasi pastligi to'yinish rejimiga to'g'ri keladi (6-rasmdagi "5" nuqtasi)

Uzatish xarakteristikasini quramiz:
Jadval 5. Uzatish xarakteristikasi

Uвхi, В


0

3,762

5,034

7,831

8,871

9,908

Uвыхi, В


9,2

7,9

5,8

4,2

3,7

2,9




9-rasm. Transistor Transistor kalitining xarakteristikasi
Uzatish xarakteristikasida kalitning 3 ta sohasi mavjud: kesilgan soha – kichik darajadagi kirishdagi kuchlanishga mos keluvchi soha, aktiv soha- BT ni kesilgan rejimdan to’yinish rejimiga o’tuvchi va aksincha bo’lgan rejim, to’yinish sohasi – yuqori darajadagi kirish kuchlanishiga mos keluvchi soha.
Kalitning uzatish xarakteristikasini yanada aniq hisoblash uchun tok bo’yicha statik koeffisiyenti orqali uzatish tokining baza toki qiymatiga bog’liqligini hisobga olish kerak.


Xulosa

Men ushbu mustakil ishni o'zimga belgilangan variantga mos keluvchi parameterlardan foydalanib bajardim.Ushbu mustakil ishda berilgan labaratoriya mashg'ilotini virtual sxemasini NI Multsim 13.0 dasturi yordamida yig'ib chiqdim va o'lchab topilishi kerak bo'lgan parametrlarni o'lchab topdim . Mustakil ishni bajarish davomida davomida BC848 tranzistoridan foydalandim. Olingan natijalar asosida xisob kitob kilib kiymatlarni topdim . Ushbu olingan qiymatlardan foydalanib parametrlarni bir-biriga bog'liqlik grafiklarini Microsoft Excel yordamida chizdim.


http://fayllar.org
Download 193.31 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling