Reja: Integral mikrosxema (ims)larning turlari va elementlari. Planar epitaksial texnologiya. Mdya-tranzistorlar asosidagi imslar. Raqamli sxemalarning tasniflanishi. Integral mikrosxema (ims)larning turlari va elementlari
Download 16.86 Kb.
|
Reja- Integral mikrosxema (ims)larning turlari va elementlari. P-fayllar.org
- Bu sahifa navigatsiya:
- Integral mikrosxema (IMS)larning turlari va elementlari.
- Dielektrik asosli
- Dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi
- Yupqa pardali IS
- Asosiy afzalligi
- Planar epitaksial texnologiya.
- MDYA-tranzistorlar asosidagi IMSlar.
- Raqamli sxemalarning tasniflanishi.
Reja: Integral mikrosxema (ims)larning turlari va elementlari. Planar epitaksial texnologiya. Mdya-tranzistorlar asosidagi imslar. Raqamli sxemalarning tasniflanishi. Integral mikrosxema (ims)larning turlari va elementlari Mavzu: Integral mikrosxemalar. Reja: 1.Integral mikrosxema (IMS)larning turlari va elementlari. 2.Planar epitaksial texnologiya. 3.MDYA-tranzistorlar asosidagi IMSlar. 4.Raqamli sxemalarning tasniflanishi.
Integral mikrosxema (IMS)larning turlari va elementlari. Bugungi kunda alohida mikrosxemalar birlashtirilgan tarzda ishlab chiqarilmoqda. Bunday mikrosxemalarga
deyiladi. Birinchi IMSlar 1958 yilda yaratilgan bo’lib uning hajmi ihcham, og‘irligi kam, energiya sarfi kichik, ishonchliligi yuqori hisoblanadi. 1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji G. Mur qonuniga muvofiq bormoqda, ya’ni har ikki yilda zamonaviy IMSlardagi elementlar soni ikki marta ortmoqda. Hozirgi kunda elementlar soni 10 6
9 ta bo‘lgan o‘ta yuqori (O‘YUIS) va giga yuqori (GYUIS) IMSlar ishlab chiqarilmoqda.
IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv va texnologik. Konstruktiv belgisi- IMSning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jihatdan birlashtirilgan va yagona
qobiqqa joylashtirilgan bo‘lib, yaxlit hisoblanadi. Texnologik belgisi-IMS elementlarining hammasi yoki bir qismi va elementlararo bog‘lanishlar yagona texnologik siklda bajariladi. Shu sababli integral mirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik tannarxga ega.
Hozirgi kunda yasalish turi va hosil bo‘ladigan tuzilmaga ko‘ra IMSlarning uchta prinsipial turi mavjud: yarim o‘tkazgichli, pardali va gibrid. Har bir IMS turi konstruksiyasi, mikrosxema tarkibiga kiradigan element va komponentlar sonini ifodalovchi integratsiya darajasi bilan
xarakterlanadi. Element deb
biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator va boshqalar) funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruksiyada yasaladi.
IMS komponentasi deb uning diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi. Asosiy IMS konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib asos turi hisoblanadi: - yarim o‘tkazgichli; - dielektrik.
Asos sifatida yarim o‘tkazgichli materiallar orasida Si va GaAs keng qo‘llaniladi. IMSning barcha elementlari yoki elementlarning bir qismi yarim o‘tkazgichli monokristall plastina ko‘rinishida asos ichida joylashadi.
joylashadi. Yarim o‘tkazgich asosli mikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta integratsiya darajasi hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda cheklangan bo‘lib ular bir - biridan izolyasiyalanishni talab qiladi. Dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi
izolyasiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining kengligi.
Pardali IS – bu dielektrik asos sirtiga surtilgan elementlari parda ko‘rinishida bajarilgan mikrosxema. Pardalar past
bosimda turli
materiallardan yupqa
paradalar ko‘rinishida cho‘kmalar hosil qilish yo‘li bilan olinadi.
mkmgacha. Qalin pardali IS -parda qalinligi 10 – 20 mkm gacha va undan katta. Hozirgi kunda barqaror pardali diodlar va tranzistorlar mavjud emas, shu sababli pardali ISlar faqat passiv elementlar (rezistorlar, kondensatorlar va x.z.) dan tashkil topadi.
Gibrid IS (yoki GIS) – pardali passiv elementlar bilan diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan tashkil topgan, yagona
dielektrik asosda
joylashgan mikrosxema. Diskret komponentlarni osma elementlar deb atashadi. Qobiqsiz yoki mikrominiatyur metall qobiqli mikrosxemalar gibrid IMSlar uchun aktiv elementlar bo‘lib hisoblanadilar.
raqamli mikrosxemalarning keng turlarini yaratish imkoniyati; -keng nomentkaluturaga ega bo‘lgan passiv elementlar hosil qilish imkoniyati; -MDYA – asboblar, diodli va tranzistorli matritsalar va yuqori yaroqli mikrosxemalar chiqishi.
Planar epitaksial texnologiya. Bipolyar va MDYa IMSlar ushbu texnologiyada yasaladi. Planar texnologiyada n-p–n tranzistor tuzilmasini yasashda p–turdagi yarim o‘tkazgichli plastinaning alohida sohalariga teshiklari mavjud bo‘lgan maxsus maskalar orqali mahalliy legirlash amalga oshiriladi. Maska rolini SiO 2 o‘ynaydi. Bu pardada maxsus usullar (fotolitografiya) yordamida teshiklar shakllanadi. Kiritmalar kiritish diffuziya yoki ionli legirlash yordamida amalga oshiriladi. Ionli legirlashda maxsus manbalardan olingan kiritma ionlari tezlashadi va elektr maydonda fokuslanib asosga tushadi va yarim o‘tkazgichning sirt qatlamiga singadi
.
Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi
Zamonaviy IMSlar qotishmali planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. Bu texnologiyada barcha elementlar p–turdagi asosda o‘stirilgan n–turdagi kremniy qatlamida hosil qilinadi. Epitaksiya deb kristall tuzilmasi asosnikidan bo‘lgan qatlam o‘stirishga aytiladi. Planar – epitaksial texnologiyada yasalgan tranzistorlar ancha tejamli, hamda nisbatan yaxshilangan parametr va xarateristikalarga ega. Mikrosxema turli elementlarini elektr jihatdan birlashtirish uchun
metallizatsiyalash qo‘llaniladi. Metallizatsiyalash jarayonida oltin, kumush, xrom yoki alyuminiydan yupqa metall pardalar hosil qilinadi. Kremniyli IMSlarda metallizatsiyalash uchun alyuminiydan keng foydalaniladi.
MDYA-tranzistorlar asosidagi IMSlar. Yarim o‘tkazgichli IMSlar- bipolyar va MDYA IMS larga ajratiladi. IMSlarda zatvori izolyasiyalangan va kanali
induksiyalangan MDYa–tranzistorlar qo‘llaniladi. Tranzistor kanallari p- va n– turli bo‘lishi mumkin. MDYa–tranzistorlar faqat tranzistorlar sifatida emas, balki kondensatorlar va rezistorlar sifatida ham qo‘llaniladi, ya’ni barcha sxema funksiyalari birgina MDYa – tuzilmalarda amalga oshiriladi.
Agar dielektrik sifatida SiO 2 qo‘llanilsa, u holda bu tranzistorlar MOYa–tranzistorlar deb ataladi. MDYa –
tuzilmalarni yaratishda elementlarni bir – biridan izolyasiya qilish operatsiyasi mavjud emas, chunki qo‘shni tranzistorlarning istok va stok sohalari bir–biriga yo‘nalgan tomonda ulangan p-n o‘tishlar bilan izolyasiyalangan. Shu sababli MDYa–tranzstorlar bir–biriga juda yaqin joylashishi mumkin, demak katta zichlikni ta’minlaydi.
Mikroelektronikada ko‘p emitterli va ko‘p kollektorli tranzistorlar ham qo‘llaniladi. Ko‘p emitterli tranzistorlar (KET) umumiy baza qatlami bilan birlashtirilgan bir kollektor va bir necha (8-10 gacha va ko‘p) emitterdan tashkil topgan. Ular tranzistor – tranzistorli mantiq (TTM) sxemalarni yaratishda qo‘llaniladi. Ko‘p kollektorli tranzistor tuzilmasi ham, KET tuzilmasiga o‘xshash bo‘ladi, lekin integral – injeksion mantiq (I 2 M) deb ataluvchi injeksion manbali mantiqiy sxemalar yasashda qo‘llaniladi.
Raqamli sxemalarning tasniflanishi. IMS bajarayotgan asosiy vazifa –elektr signali (tok yoki kuchlanish) ko‘rinishida berilayotgan axborotni qayta ishlash hisoblanadi. Elektr signallari uzluksiz (analog) yoki diskret (raqamli) shaklda ifodalanishi mumkin. Shu sababli, analog signallarni qayta ishlaydigan mikrosxemalar – analog integral mikrosxemalar (AIS), raqamli signallarni qayta ishlaydiganlari esa –
Integral mikrosxemalarning murakkablik darajasi komponent integratsiya darajasi kattaligi bilan ifodalanadi. Bu kattalik raqamli IMSlar uchun kristallda joylashishi mumkin bo‘lgan mantiqiy ventillar soni bilan belgilanadi. 100 ta dan kam ventilga ega bo‘lgan IMSlar
kiradi. O‘rta darajali ISlar 10 2 , katta ISlar 10 2 10 5 , o‘ta katta ISlar 10 5
7 va ultra katta ISlar10 7 darajadan ortiq ventillardan tashkil topadi. Bunday sinflanish tizimi analog mikrosxemalar uchun ham qabul qilingan.
Integral mikrosxemalar GOST 11.073.915.—8 bo‘yicha to‘rtta element yordamida markalanadi: -birinchi element mikrosxemaning konstruktiv-texnologik gruppasini bildiradi: 1,5,6,7 yarim
o‘tkazgichli mikrosxemalarni; 2,4, 8— duragay mikrosxemalarni; qolganlari 3 raqami bilan belgilanadi. -ikkinchi element tartib nomerini; -uchinchi element ishlatilish sohasini bildiradi. Masalan, generatorlar — G, detektorlar — D; kommutator va kalitlar — K; ko‘p funksiyali sxema — X; modulyatorlar — M; yarim o‘tkazgichli passiv elementlar to‘plami — N; ikkilamchi tok manbai sxemalari — G va kuchaytirgichlar — U (usilitel) harfi bilan belgilanadi; -to‘rtinchi element bitta seriyadagi bir xil operatsiyani bajara oladigan mikrosxemaning nomerini bildiradi. To‘rtinchi elementdan so‘ng, mikrosxemani bir yoki bir nechpa parametri bo‘yicha farqlovchi harf qo‘yiladi.
Keng qo‘llaniladigan integral mikrosxemalarda shartli belgilardan oldin K harfi qo‘yiladi. Mikrosxema korpusining materiali va tipini ko‘rsatish uchun K harfidan keyin quyidagi harflar qo‘yiladi: R—ikkinchi tip plastmassali korpuslar uchun; M—ikkinchi tip keramika, metall-keramika va metallshishali korpuslar uchun; E—ikkinchi tip metall-polimer korpuslar uchun; A—to‘rtinchi tip plastmassa korpuslar uchun; I — to‘rtinchi tip keramika-shisha korpuslar uchun. 1974 yilgacha ishlab
chiqarilgan mikrosxemalarda uchinchi element birinchi raqamdan so‘ng yozilgan. Masalan: К174УН7 – keng qo’llaniluvchi IMS(К), 174- seriya, yarimo’tkazgichli texnologiya(I), kuchaytirgichlar guruhu(У), past chastotali (H), ishlanma tartib raqami 7. http://fayllar.org Download 16.86 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: |
ma'muriyatiga murojaat qiling