Suyuq qalay ichidagi kremniy va germaniy klasterlarining radiusi va taqsimotini aniqlash


Download 39.38 Kb.
Sana30.10.2021
Hajmi39.38 Kb.
#169475
Bog'liq
Tezis Andijon
1 -илова Ариза, Konsp Lekz ZM-конвертирован, Toshkent xazinasi, Rasm, Musiqa tarixi, Referat, 8-sinf-jahon-tarixi, Lecture 1, algebra 7, aylana 2, Kimyo 9 uz 30ta, Akramov R Yosh fudbolchilarni tanlab olish va tayorlash, MAVZU, Полиз экинлари биологияси ва етиштириш технологияси 0

Suyuq qalay ichidagi kremniy va germaniy klasterlarining radiusi va taqsimotini aniqlash.

D.Sh.Qurbanov, D.E.Koshchanova

Urganch davlat Universiteti, Urganch shahar, Xorazm viloyati, O`zbekiston

Hozirgi kunda yarimo’tkazgichlarni suyuq fazali epitaksiya usulida o’stirishda optimal rejimni topish asosiy muammolardan biri hisoblanadi.O’stirish davomida dislokatsiyasi kam bo’lgan yarimo’tkazchgich material olishda tagliklar orasidagi suyuqlik ichidagi klasterlarning radiusi va taqsimoti muhim ahamiyatga ega.Shundan kelib chiqqan holda tezisda Si1-xGex qotishmasini hosil bo’lishida suyuq qalay ichidagi Si va Ge klasterlari taqsimoti va shularning radiusni aniqlaymiz.Buning uchun biz sedementatsiya usulidan foydalanamiz.Dastlab Si va Ge klasterlari radiuslarini aniqlaymiz.Buni quyidagicha amalga oshiramiz.



(1)

(2)

Bu yerda -dinamik qovushqoqlik, -berilgan temperaturadagi qalayning zichligi, -germaniy va kremniyning berilgan temperaturadi zichligi, -o’sish jarayoning davom etish vaqti, -yuqorigi va pastgi taglikka o’sgan Si1-xGex plyonkalarining farqi, -farqning yarmi kremniydan qolgan yarmi esa germaniydan iborat.Shu (1) va (2) formulalar yordamida olingan natijalar quyidagilar.


rSi =4,4 nm boshlang’ich krisstalizatsiya temperaturasi uchun Tнк=900 0С

rSi =4,71 nm boshlang’ich krisstalizatsiya temperaturasi uchun Tнк=970 0С

rSi =5,55 nm boshlang’ich krisstalizatsiya temperaturasi uchun Tнк=1050 0С

Germaniy klasterlari uchun ham ushbu quyidagi natijalarni olamiz.

rGe =7,98 nm boshlang’ich krisstalizatsiya temperaturasi uchun Tнк=900 0С

rGe =10 nm boshlang’ich krisstalizatsiya temperaturasi uchun Tнк=970 0С

rGe=11,3 nm boshlang’ich krisstalizatsiya temperaturasi uchun Tнк=1050 0С

Ularning kremniy tagliklari orasidagi nisbiy taqsimoti quyidagicha bo’ladi.Dastlab kremniy klasterlari uchun ko’rib chiqamiz.



boshlang’ich krisstalizatsiya temperaturasi uchun Tнк=900 0С

boshlang’ich krisstalizatsiya temperaturasi uchun Tнк=970 0С

boshlang’ich krisstalizatsiya temperaturasi uchun Tнк=1050 0С

Bu hisob kitobni Germaniy klastelari uchun ham quyidagi formulalari olamiz.



boshlang’ich krisstalizatsiya temperaturasi uchun Tнк=900 0С boshlang’ich krisstalizatsiya temperaturasi uchun Tнк=970 0С boshlang’ich krisstalizatsiya temperaturasi uchun Tнк=1050 0С

Bu hisob kitoblardan ko’rinib turibdiki Ge klasterlarining nisbiy taqsimoti Si klasterining nisbiy taqsimotiga nisbatan tezroq kamayadi.Yuqori taglikka yaqin joylarda Kremniy klasterlarining miqdori Germaniy klasterlarining miqdoridan ko’proq bo’ladi,yuqoridagi taglikka o’sganda ham ehtimollik bo’yicha dastlab Si klasterlari va atomlari o’sadi keyin kremniy atomlari kamaya boradi va uni o’rnini qoplash uchun Germaniy atomlari va klasterlari o’sa boshlaydi.Bu ishda biz asosan yuqori taglikka o’sayotgan klasterlani ko’ramiz.Suyuq qalay ichida Ge va Si klasterlari soni ularning atomlari sonidan juda kam bo’lsa ham o’sish jarayonida atomlarning o’sish davriyligini buzib yuboradi.Bu esa turli xil nuqsonlani yuzaga keltiradi.Nuqsonlani kamaytirish uchun klasterlar sonini kamaytirsak ko’proq atomlarning o’sishiga olib keladi bu esa jarayonda tartibli o’sishni taminlaydi.

O’z navbatida tatibli o’sish yuqori texnologiyaga asosida ishlovchi elektron qurilmalar olish uchun poydevor yaratadi.

Foydalanilgan adabiyotlar

1. А.Ш.Раззаков, Д.Ш.Курбанов. Зависимость дислокаций на твердом растворе Si1-xGexот температур роста на контактной фазе «твердое тело-жидкость». РИАК-XII-2020. Республиканская конференция – 2020. 19 май, стр.275-277.



2.А.И.Клындюк. Поверхностные явления и дисперсные системы. БГТУ,Минск.2011

3. Саидов А.С. Жидкофазная эпитаксия метастабильных варизонных твердых растворов (Si2)1-x(GaP)x. ДАН УзССР,1,14,1990 ст. 78-81
Download 39.38 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2022
ma'muriyatiga murojaat qiling