V a z ir L ig I sa m a r q a n d d a V l a t u n IV e r sit e t I in teg ra L sx em a la r n I l o y ih a L a s
Download 256.81 Kb. Pdf ko'rish
|
Integral sxemalarni loyihalash
|
0 ‘Z B E K I S T 0 N R E S P U B L IK A S I O L IY V A 0 ‘R T A M A X S U S T A ’LIM V A Z IR L IG I SA M A R Q A N D D A V L A T U N IV E R SIT E T I IN TEG RA L SX EM A LA R N I L O Y IH A L A Sh V A K O N ST R U K SIY aLA Sh fanining
0 ‘Q U V D A ST U R I Bilim sohasi: 300 000 - Ishlab chiqarish texnik soha Т а’lim sohasi: 310 000 - M uhandislik ishi Ta’lim yo ‘naiishi: 5310800
K asbtalim i - 511000 (Elektronika va asbobsozlik (elektronika sanoatida)) S am a rq a n d -2 0 1 9
Fanning o ’quv dasturi Samarqand davlat universiteti fizika fakulteti kengashida k o ’rib chiqilgan va tavsiya qilingan (2 0 d) yil
V_______ dagi “rf/f”- sonli bayonnoma). 0
A rziqulov E.U. Qattiq jism lar fizikasi kafedrasi dosenti, fizika-matematika fanlari nomzodi Toshboyev T.U. Qattiq jism lar fizikasi kafedrasi dosenti, fizika-matematika fanlari nomzodi
A bdukarimova X.R. Qattiq jism lar fizikasi kafedrasi dotsenti, fizika-matematika fanlari nomzodi Rajabov R.M. Umumiy fizika va magnetizm kafedrasi dotsenti, fizika- matem atika fanlari nomzodi Fanning dasturi Samarqand davlat universiteti o ’quv-uslubiy kengashning 20___ yil “__ ” _______ dagi “____” - son m ajlis bayoni bilan m a’qullangan.
2
KIRISh Ushbu dastur in te g r a l s x e m a la r n i lo y ih a la s h v a k o n s tr u k s iy a la s h elektronika sohasida ishlatiladigan o ’lchash asboblari tasnifi, ulam ing tuzilishi va hisoblash usullari, fan tarixi va rivojining an’anasi, istiqboli xam da respublikam izdagi ijtimoiy-iqtisodiy islohotlar natijalari va xududiy muammolarning elektronika sohasida ishlatiladigan o ’lchash asboblari istiqboliga ta’siri masalalarini qamraydi. O ’quv fan n in g m aqsad va vazifalari Fan o ’qitilishidan maqsad - zamonaviy yarim o ’tkazgichli asboblar, integral sxem alar va mikroelektronika texnologiyasi asoslari b o ’yicha y o ’nalish profiliga mos, ta ’lim standartiga talab qilingan bilimlar, ko’nikm alar va tajribalar darajasini ta ’minlashdir. Fanning vazifasi - uni o ’rganuvchilarga: - talabalarga in te g r a l s x e m a la rn i lo y ih a la s h v a k o n s tr u k s iy a la s h asoslarini, usullarini, bosqichlarini, maxsus dasturiy ta ’minotlardan foydalanib loyihalashni o’rgatishdan iborat.
“Integral sxemalarni loyihalash va konstruksiyalash” fanini o ’zlashtirish jarayonida talaba: - integral sxemalarni loyihalash va konstruksiyalash asosida m ikroelektron asboblarni ishlab chiqishda va tayyorlashda qo’llanaladigan texnologiyalar, texnologik jarayonlar ham da ularning elektrofizik parametrlariga, shuningdek tavsiflariga qo’yiladigan talablar Itaqida tasavvurga ega b o ’lishi; - ishlab chiqarishdagi texnalogik jarayonlam i, ulam ing fizik — kimyoviy asoslarini, asosiy texnalogik uslublam i, texnologik jarayonlar ketm a - ketligini; - texnologik uskunalam ing asosiy turlarini integral sxem a elementlarini loyihalash va konstruksiyalashni; - elektronika soxalarida qo’llaniladigan o ’lchash asboblarining optimal tavsiflarini texnik va iqtisodiy asoslangan holda to ’g ’ri tanlashni; - ulam ing optimal ko’rsatkichlari va rejimlari asosida parametrlarini hisoblashni; - boshqa turdagi asboblar bilan moslashtirishni; quyilgan talablarga muvofiq sanoat tomonidan ishlab chiqarilayotgan o’lchash asboblarini tanlashni - bunday qurilmalarda sodir bo’ladigan fizik jarayonlarni tahlil qilish, loyihalash va hisoblash usullarini bilishi va ulardan foydalana olishi; -
turli soxalarda q o ’llaniladigan elektron zanjirlar va m ikrosxem o-texnika qurilmalarini qo ’yilgan talablarga binoan texnik va iqtisodiy asoslangan holda to ’g ’ri tanlashni; - ulam ing optimal ko’rsatkichlari va rejimlarini hisoblashni; boshqa turdagi qurilm alar bilan moslashtirishni; qo ’yilgan talablarga muvofiq elektron sanoati tom onidan ishlab chiqarilayotgan mikrosxemalami tanlashni; -integral sxemalarini loyihalash va konstruksiyalash asosida ishlab chiqarilayotgan qurilm alam i texnik - iqtisodiy tahlil qilishni; ularni aniq sharoitlarda samarali з
ishlatishni- qurilm alam ing optimal k o ’rsatkichlari va ish rejimlarini belgilash ко 'nikmalariga ega bo ’lishi kerak ;
- boshqa turdagi qurilm alar bilan birga ishlatish; - integral sxemalarni loyihalash va konstruksiyalash asosida mikroprosessor qurilmalarini boshqa sxemalar bilan birgalikda ishlatish, elektron sxemalarni o ’lchash va nazorat qilish malakalariga ega b o ’lishi kerak. F an n in g o ’quv rejadagi boshqa fa n la r bilan o ’zaro b o g ’liqligi va uslubiy jih a td a n uzviyligi I n te g r a l s x e m a la r n i lo y ih a la s h v a k o n s tr u k s iy a la s h fani asosiy ixtisoslik fanlam ing biri, bu fan 7-8 - semestrlarda o ’qitiladi. Dastumi amalga oshirish o’quv rejasida rejalashtirilgan matem atika va tabiiy-ilmiy (fizika, oliy matematika) va umumkasbiy (elektron texnika materiallari va elementlari, yarim o’tkazgichlar fizikasi) fanlaridan yetarli bilim v a ko’nikm alarga ega bo’lishlik talab etiladi.
I n te g r a l s x e m a la rn i lo y ih a la s h v a k o n s tr u k s iy a la s h fani mikroelektronika sanoatida ishlab chiqariladigan m axsulotlam ing texnologiyasini hamda texnologik qurilm alam ing asosini tashkil etadi. Shuningdek yarim o ’tkazgichli asboblar va integral sxemalar ishlab chiqarishdagi texnologik jarayonlarni o ’z ichiga oladi. Ushbu fan asosiy ixtisoslik fani hisoblanib, elektronika va mikroelektronika sanoat ishlab chiqarish tizimining ajralmas b o ’g ’inidir. Fanni o ’qitishda za m o n a v iy a x b o ro t va p ed a g o g ik texn ologiyalar Talabalaming in te g r a l s x e m a la r n i lo y ih a la s h v a k o n s tr u k s iy a la s h fanini o’zlashtirishlari uchun o’qitishning ilg’or va zamonaviy usullaridan foydalanish, yangi informasion - pedagogik texnologiyalami tadbiq qilish muhim ahamiyatga egadir. Fanni o ’zlashtirishda darslik, o ’quv va uslubiy q o ’llanmalar, m a’ruza matnlari, tarqatma materiallar, elektron versiyalar, virtual stendlardan foydalaniladi. M a’ruza va amaliy m ashg’ulotlarida mos ravishdagi ilg’or pedagogik texnologiyalardan foydalaniladi.
I n te g r a l s x e m a la r n i lo y ih a la s h v a k o n s tr u k s iy a la s h fanining tarixi va rivojlanish an’analari. Shu fanda erishilgan ilm - fan, texnika va texnologiya yutuqlari. Fanni o ’zlashtirishda qo’yilgan asosiy vazifalar. Y arim o ’tkazgachli asbobsozlik va m ikroelektronikaning hozirgi davrdagi holati v a asosli rivojlanish an ’analari. Integral sxem alar ishlab chiqarishda planar-epitaksial jarayonlarning umumiy tizim i m isolida texnologiyaning fizik-kim yoviy asoslariga qisqacha ta fs ilo t b e rish . P lanar-epitaksional IMS tranzistorlarning konstruktiv texnologik xususiyatlari va uning tavsiflari. Q o’shqutbli tranzistor yarim o ’tkazgichli IMS tuzilishining asosiy elem enti, boshqa elem entlar yaratilishidagi asos sifatida. Q o ’shqutbli tranzistorlar konstruksiyasining rivojlanish tarixi. Q o ’shqutbli tranzistorlar konstm ktiv asoslari.
Elem entlararo izolyasiya uslubini tanlashda vertikal n-p-n tranzistorlar turiga bo g ’liqligi. G orizontal n-p-n tranzistorlar. Shottki diodli tranzistorlar. Tranzistor tuzilm ali asosda tuzilgan IM S diodlari va ularning konstruktiv-texnologik tavsiflari. Diodlarni konstruktiv hisoblash asoslari. Shottki diodlari. Yarim o ’tkazgichli IMS lam ing rezistiv v a sig ’imli elem entlari, konstruksiya turlari, tavsiflari, konstruktiv hisob
asoslari. K om m utasiya elem entlari, o ’zaro ulashlar tizim i, konstruksiya turlari, zam onaviy KIS m etallizasiyasi k o ’rsatkichli tizim i. M D P - tranzistorlarining konstruktiv - texnologik xususiyatlari, integral bir qutbli tranzistorlar variantlari. Bir qutbli tranzistorlarda M DP - tranzistor IM Sdagi yagona sxem a elem enti sifatida, M D P-tranzistor yarim o ’tkazgichli xotiraning asosiy elem enti sifatida KM DP-IM S elem entlari. B irlashgan ikki qutbli va bir qutbli tranzistorlardagi IMS elem entlari. Kremniyli integral mikrosxemalar ishlab chiqarishning struktura elementlari va texnologik jarayonlar! Kremniyli mikrosxemalar tayyorlashning tipik texnologik jarayoni, integral mikrosemalar texnologiyasining o ‘ziga xos jihatlari.
Yarimo‘tkazgichli quymalar kristallografik yo‘nalishini aniqlash Kremniiyga mexanik ishlov berish, kremniy sirtini tozalash , kremniyni yemirish.
Diffuzii tenglamasini yechish, diffuzantlar xarakteristikalari, diffiiziya jarayonini o‘tkazishninig amaliy usullari, diffiizion qatlamlar xarakteristikalarini o ‘rganish usullari. Kremniyga aralashmalarni ionli kiritish Ionli kiritishda aralashmalar taqsimoti, radiasion effektlar va ulaming legirlangan qatlamlar xossalariga ta’siri, ionlami kiritish jarayonini o'tkazishning amaliy usullari. Krem niy qatlamlarini epitaksial o ‘stirish. Kremniyda xloridli va silanli avtoeiitaksiya metodlari, molekulyar-nurli epitaksiya, kremniyning sapfir sirtida geteroepitaksiyasi, epitaksial qatlamlar xarakteristikalarini o ‘rganish metodlari Yupqa pardalarni olish va ularni qayta ishlash. Kremniy ikki oksidining pardasini termik oksidlash metodi yordamida olish, vakuumli termik
changlatish, ion-plazmali changlatish, bug‘— gaz aralashmalaridan yupqa pardalarni o‘tqazish, pardalar qalinligini aniqlash metodlari, yupqa pardalarni qayta ishlashning ion-plazmali va plazmokimyoviy metodlari.
Fotolitografiya, elsktronolitografiya, rentgen nurli va ion litografii. Krem niyli integral mikrosxemlarni tayyorlashning texnologik jarayonlari Bipolyar mikrosxemalarda elementlami izolyasiyalash metodlari, bipolyar mikrosxemalami tayyorlashning texnologik jarayonlari, moyatranzistorlari asosida mikrosxemalami tayyorlashning texnologik jarayonlari, elektrik ulashlami hosil qilish va kremniyli mikrosxemalami yig‘ish.
Gibrid integral mikrosxemalami tayyorlashningtexnologikjarayonlari Taglik materiallari. yupqa pardali mikrosxemlarda pardalar materiallari, yupqa pardalarda tasvirlar hosil qilish, yupqa pardali integral mikrosxemlar tayyorlashning tipik texnologik jarayoni, gibrid mikrosxemalami yig‘ish. Integral mikrosxemalami konstruksiyalashning predmeti va dastlabki ma’lumotlari Integral mikrosxemalami konstruksiyalash prinsiplari, integral mikrosxemalar, ulaming elementlari va komponentalari, elementlar parametrlarini hisoblash masalalari. Integral mikrosxemalar strukturlarining elektrofizik parametrlari Integral mikrosxemalar ishchi qatlamlari, p-n o ‘tishlar solishtirma baryer sig‘imi, p-n o ‘tish teshilish kuchlanishi, qatlamlar solishtirma elektr qarshiligi, emitter tokining baza qatlamida emitter qatlami bilan chegaralangan siqib chiqarish effekti (n-p-n tranzistorlar faol baza sohasi), p-n o‘tishlar issiqlik toklari.
Integral n-p-n tranzistorlar spesifikasi, n-p-n tranzistorlarni loyihalash, n-p-n tranzistor uzatish koeffisiyentini hisoblash, p-n-p tranzistorlarni loyihalash, p-n o‘tishlar asosidagi integral diodlami loyihalash, Shotki baryerli diod va tranzistorlarni loyihalash, ko‘p emitterli
tranzistorlarni loyihalash. Yarimo‘tkazgichIi bipolyar integral mikrosxemalar passiv elementlarini loyihalash DifTuzion kondensatorlami loyihalash, rezistorlami loyihalash Mdya mikrosxemalar elementlarini loyihalash MDYA kondensatorlami loyihalash, MDYA tranzistorlarni loyihalash, zaryad bog'lanishli asboblami loyihalash, elementlararo ulashlami loyihalash.
Yarimo‘tkazgichli integral mikrosxemalar topologiysini ishlab chiqish, MDYA tranzistorlar asosidagi raqamli mikrosxemalar topologiysini ishlab chiqish, chiqishida differesial kaskadi bo‘lgan analogli integral mikrosxemalar topologiyasini loyihalashning o ‘zga xosliklari, Integral injeksion mantiq, integral mikrosxemalami konstruktiv bezash, integral mikrosxemalar hujjatlari.
Gibrid integral mikrosxemalarning pardali elementlarini loyihalash, gibrid integral mikrosxemalar topologiysini ishlab chiqish.
Konstruksiyalashning o'ziga xosligi, elementlar strukturasining o ‘ziga xosligi, mashinada konstruksiyalash masalasi, elementlaming fiziko-topologik modeli, elementlaming matematik modellari, topologiyani mashinada yaratish, konstruktorlik hujjatlami va fotoshablonlami mashinada yaratish.
Galliy
arsenidi asosidagi mikrosxema elementlarini tayyorlash texnologiyasi, Shottki zatvorli galliy arsenidi asosidagi maydon tranzistorlarining elektrik va konstruktiv parametrlari. 1. IMS ni optimal statik xisoblash usullari. 2. Bipolyar tranzistor parametrlarini xisoblash. 3. IMS
elementlarini xisobi
uchun q o ’llaniladigan tranzistom ing fizik strukturasi. 4.
Diodlami loyixalash va xisoblash. 5.
Diffuzion rezistorlami loyixalash va xisoblash. 6.
Yarim o’tkazgichli kondensatorlami loyixalash va
xisoblash 7.
MDP-tranzistorlarini ishlash prinsiplari va asosiy parametrlari. 8.
Zaryad aloqali asboblarda IMS ni loyixalash . 9.
GIS lami
loyixalashni konstruktiv-texnologik xususiyatlari. 10. Plyonkali rezistorlarni loyixalash va xisoblash. 11. Y upqa plyonkali rezistorlam i xisoblash. 12. M urakkab konfigurasiyali rezistorlarni xisoblash. 13. M eandrtipli rezistorlarni xisoblash. 14. Qalin plyonkali rezistorlarni xisoblash. 15. Plyonkali kondensatorlami loyixalash va xisoblash. 16. Y upqa plyonkali kondensatorlam i xisoblash. 17. Gibrid IMS topologik strukturasini loyixalash va komponovka prinsiplari. 18. KIS larni xioblash va loyixalashni asosiy bosqichlari.
A m aliy m ashg’u lotlarda m a’ru zalarda k o ’rilgan asosiy sxem alar taxlil etiladi ham da sxemalami loyihlash va hisoblashlarni oddiy usullari o ’rganiladi. T alabalar q o ’llanm alar va elektron v e rsiy a la r bilan ish lash la rn i o ’rg an ish lari kerak. Amaliy m ashg’ulotlami tashkil etish bo’yicha kafedra professor-o’qituvchilari tom onidan ko’rsatma va tavsiyalar ishlab chiqiladi. U nda talabalar asosiy m a’ruza mavzulari bo ’yicha olgan bilim va ko’nikmalarini amaliy m ashg’ulotlar orqali yanada boyitadilar. Shuningdek, darslik va o ’quv qo’llanm alar asosida talabalar bilimlarini mustahkamlashga erishish, tarqatma materiallardan foydalanish, ilmiy maqolalar va tezislam i chop etish orqali talabalar bilimini oshirish, mavzular b o ’yicha taqdimotlar va ko ’rgazmali qurollar tayyorlash tavsiya etiladi. Laboratoriya ishlarining taxm iniy ro’yxati 1.
Integral RC-filtrlaming konstruksiyasi va
xarakteristikalarini o ’rganish 2.
Y arim o’tkazgichli integral sxem a va tranzistorlarni diodli yoqilish xususiyatlari. 3 Plyonkalar parametrini nazorat usullarini o ’rganish. 4 Gibrid integral mikrosxemani konstruktiv-texnologik A m aliy m ash g’u lotlarn in g taxm in iy r o ’yxati x u su siy atlarin i tax lil qilish. 5.
D iffuzion rezistorlar. 6.
Y a rim o ’tk azg ich li m ik ro sx em a kondensatorlari. 7.
Y a rim o ’tk azg ich li IM S larni bipolyar tranzistorlari. 8.
M ik ro y ig ’m alam i xiso b lash v a konstruktorlash. 9.
Y upqa plyo n k alarn i shakllantirish usullarini o ’rganish. 10.
Integral m ik ro sx em alard a kontaktlar yaratish usullarini o ’rganish. 11. F o to lito g rafik j arayonni o ’rganish. 12. Integral m ik ro sx em o lam i germ etizasiya qilish usullarini o ’rganish. 13. B erilg an o ’tk azu v c h an lik turlarini yaratish usullari (diffuziya, epitaksiya, ion kirgizish(ionnoye vn ed ren iy e)) o ’rganish. 14. P ly o n k ali integral m ikrosxem alar topologiyasini o ’rganish. Laboratoriya ishlarini tashkil etish bo’yicha ko’rsatm alar L ab o rato riy a ishlarini tash k il etish b o ’yicha kafed ra p ro fe sso r-o ’qituvchilari to m o n id an k o ’rsa tm a v a tav siy alar ishlab chiqiladi. L ab o rato riy a ishlari talab alar y a rim o ’tk azg ich li IM S, b ip o ly ar va m aydonli tranzistorlar, sh u n in g d ek tiristo rlam i tad q iq o t qilish, u larn in g param etrlarini aniqlash va IM S topo p lo g iy asin i o ’rganish tax lil qilish b o ’y ic h a am aliy k o ’nikm a v a m alaka xosil qiladilar. Mustaqil ta’lim ning shakli va mazmuni T alab a m u staq il ishni tay y o rlash d a m uayyan fanning xusu siy atlarin i x iso b g a olgan h o ld a quyidagi shakllardan foydalinishi tav siy a etiladi: • D arslik v a o ’q u v q o ’llanm alar b o ’y ich a fan boblari v a m avzularini o ’rganish; • T a rq a tm a m ateriallar b o ’y ich a m a ’ruzalar qism ini o ’zlashtirish; • M axsus ad ab iy o tlar b o ’y ich a fanlar b o ’lim lari yoki m avzulari u stid a ishlash; • Y angi tex n ik alam i, apparaturalarni, ja ra y o n la r va texno lo g iy alarn i o ’rganish; • T alab an in g o ’q u v -ilm iy -ta d q iq o t ishlarini b ajarish bilan b o g ’liq b o ’lgan fanlar b o ’lim lari v a m av zu lam i chuqur o ’rganish; • Faol v a m uam m oli o ’qitish uslubidan foydalaniladigan o ’q u v m a sh g ’ulotlari. M ustaqil ish bajarilad ig an m avzular b o ’y ich a sav o ln o m alar tu zish , sav o llarg a fo y d alan ish g a ta v siy a etilg an adabiyotlardan foydalangan h o ld a y o z m a ta rz d a ja v o b berish v a boshqalar.
1. F an n in g riv o jlan ish istiqbollari. 2. Integral sxem alam ing sinflari. 3. Integral sxem alam i loyihalash usullari. 4. K atta integral sxem alam i loyihalash usullari. 5. O ’ta katta integral sxem alam i loyihalash usullari. 6. Integral sxem alam i loyihalashda ishlatiladigan dasturiy ta ’m inotlar. 7. Integral sxem alam i loyihalashning asosiy bosqichlari. 8. M antiqiy integral sxem alam i loyihalash usullari.
9. IM S ni ishlab chiqish bosqichlari, konstruktorlik xuijatlarini tarkibi v a ulam i rasm iylashtirish qoidalari. 10. K M D P tipidagi kom plem entar tranzistorli struktura. 11. M D Y a strukturali unipolyar (m aydonli) tran zisto r konstruksiyasi. 12. Y a rim o ’tkazgichli IM S li integral d io d lar k o n struksiyasi. 13. IM S dielektrik p odloj-kalarining asosiy p aram etrlarin i n azo rat qilish usullari. 14. M antiqiy integral sxem alam i loyihalash usullari. 15. K eram ik k o ’pqatlam li qalin plyonkali p lata asosidagi G IS konstruksiyalari v a tay y o rlash texnologiyalari. 16. Y a rim o ’tkazgichli m ikro-sxem a k o n d en sato rlarin in g konstruksiyasi. 17. Y a rim o ’tkazgichli plastina param etrlarini nazo rat qilish usullari. 18 Plyonkali kondensatorlar konstruksiyasi. 19. P lyonkali induktiv elem entlar konstruksiyasi. 20. Q alin plyonkalarni tayyorlash qurilm alari. 21. Y a rim o ’tkazgichli rezistorlam i konstruksiyasi v a te x n o lo g iy a s i. 22. Y u p q a qatlam li rezistorlarni tay y o rlash u chun q o ’llaniladigan m ateriallam in g xususiyatlari 23. Q alin plyonkali G IS i M SB konstruksiyasi v a ishlab chiqarish texnologiyasi. DASTURNING INFORM ASION-USLUBIY T A ’MINOTI M azk u r fanni o ’kitish ja ra y o n id a ta ’lim ning zam o n av iy m etodlari, pedagogik v a a x b o ro t - kom m unikasiya texnologiyalari q o ’llanilishi n az a rd a tutulgan. F a n n i o ’z la s h tir is h d a m a s o fa d a n o ’q itis h , d a r s lik , o ’q u v q o ’lla n m a la ri v a m a ’r u z a la r m a tn la r in in g e le k tr o n v e r s iy a la r id a n , m a ’lu m o tla r e le k tr o n b a z a s id a n , k o m p y u te r j o ’r l ig i d a m a ’r u z a l a r o ’q is h , e le k tr o n p la k a tla r v a v ir tu a l la b o r a to r iy a is h la r id a n f o y d a l a n il a d i, a m a liy m a s h g ’u lo tla r d a k ic h ik g u r u x l a r m u s o b a q la ri, g u ru h li f ik r la s h p e d a g o g ik te x n o lo g iy a la r n i q o ’lla s h n a z a r d a tu tila d i. Foydalaniladigan adabiyotlar ro’yxati: Asosiy adabiyotlar: 1. K urnosov A .I., Yudin V .V . Texnologiya proizvodstva poluprovodnikovbix priborov i integralnbix mikrosxem. U c h e b n ik - M .:Radio i svyaz, 1996 2. A yupov Q .S., Iliyev X.M. “Y arim o’tkazgichli asboblar va integral sxemalar texnologiyasi” fanidan m a’ruzalar to ’plami. - T: TDTU, 1999 3. Jigalskiy A.A. Proyektirovaniye i konstruirovaniye m ikrosxem : Uchebnoye posobiye. - Tomsk: TUSUR, 2007 4. Pichugin I.G., Tairov Yu.M. Texnologiya poluprovodnikovbix priborov. Uchebnik. -М.: Vbisshaya shkola, 1994 5. Berezin A.S., M ochalkina O.R. Texnologiya i konstruirovaniye integralnbix m ikrosxem . U chebnik. - Radio i svyaz, 2002, 320 s. 6. Jigalskiy A .A. Proyektirovaniye i konstruirovaniye m ikrosxem : U chebnoye posobiye. - Tom sk: TUSUR, 2007. - 195 s. 7. M ayzda F. Integralnbiye sxemw i ix primeneniya. Izdatelstvo “ M ir” 2001 Q o’shimcha adabiyotlar: 1. Iliyev X .M . «Texnologiya poluprovodnikovbix priborov i integralnbix sxem». M etodicheskiye ukazaniya к laboratornbim rabotam.- Tashkent, TGTU, 2004 2. B erezin A .S., M ochalkina O.R. T exnologiya i konstruirovaniye integralnbix m ikrosxem .U chebnoye posobiye.-М.: Radio i svyaz, 1993 3. Gil U., Lakson Dj. Integralnbiye mikrosxembi. Materialbi. Priborbi. Izgotovleniye. Per. s ang. pod red. M.V. Galperina. Uchebnik. -М .: Mir, 1998 4. Vaysburd F.I. Elektronika. Polnwy kurs leksiy. - SPb.: KORONA PRINT, 2004 5. Baxodirxonov M.K., Iliyev X.M .«Yarim o ’tkazgichli asboblar va integral sxem alar texnologiyasi kursiga oid atamalar». -T oshkent: TD TU ,2004 Internet saytlar: 1. w w w .z iv o n e t.u z 2. http://avnsite.narod.ru/phvsic/pp/index.htm 3. http://www.ad.ugatu.ac.ru/knbase/conten.htm 4. www.zivonet.uz: 5. w w w .lex.uz; 6. w w w.bilim .uz; 7. w w w.gov.uz. 10 Download 256.81 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|