V a z ir L ig I sa m a r q a n d d a V l a t u n IV e r sit e t I in teg ra L sx em a la r n I l o y ih a L a s


Download 256.81 Kb.
Pdf ko'rish
Sana18.09.2020
Hajmi256.81 Kb.

0 ‘Z B E K I S T 0 N   R E S P U B L IK A S I  O L IY   V A   0 ‘R T A  M A X S U S  T A ’LIM

V A Z IR L IG I 

SA M A R Q A N D   D A V L A T   U N IV E R SIT E T I

IN TEG RA L SX EM A LA R N I L O Y IH A L A Sh V A  K O N ST R U K SIY aLA Sh

fanining


0 ‘Q U V   D A ST U R I

Bilim sohasi: 

300  000 

-   Ishlab chiqarish texnik

soha

Т а’lim  sohasi: 



310 000 

-   M uhandislik ishi

Ta’lim yo ‘naiishi: 

5310800 


K asbtalim i

-  511000 

(Elektronika va 

asbobsozlik 

(elektronika 

sanoatida))

S am a rq a n d -2 0 1 9


Fanning o ’quv dasturi  Samarqand  davlat universiteti  fizika fakulteti  kengashida

k o ’rib chiqilgan va tavsiya qilingan (2 0



d)

 yil 


V_______ dagi 

“rf/f”-

sonli bayonnoma). 

0

F ak u ltet  k engashi  r

dots.  A .A b san ov

Fan  d astu ri  Sam arq an d   davlat  u n iversitetid a  ish lab  ch iq ild i

T u zuvchilar:

A rziqulov  E.U.  Qattiq  jism lar  fizikasi  kafedrasi  dosenti,  fizika-matematika 

fanlari  nomzodi

Toshboyev  T.U.  Qattiq  jism lar  fizikasi  kafedrasi  dosenti,  fizika-matematika 

fanlari nomzodi

T aq rizch ilar:

A bdukarimova X.R. Qattiq jism lar fizikasi kafedrasi dotsenti, fizika-matematika 

fanlari nomzodi

Rajabov  R.M.  Umumiy  fizika  va  magnetizm  kafedrasi  dotsenti,  fizika- 

matem atika fanlari nomzodi

Fanning dasturi  Samarqand davlat universiteti  o ’quv-uslubiy  kengashning  20___ yil

“__ ” _______ dagi “____” -  son m ajlis bayoni bilan m a’qullangan.

O ’q u v-uslubiy  kengash  raisi:

2


KIRISh

Ushbu  dastur  in te g r a l  s x e m a la r n i  lo y ih a la s h   v a   k o n s tr u k s iy a la s h  

elektronika  sohasida  ishlatiladigan  o ’lchash  asboblari  tasnifi,  ulam ing  tuzilishi  va 

hisoblash usullari, fan tarixi va rivojining an’anasi, istiqboli  xam da respublikam izdagi 

ijtimoiy-iqtisodiy islohotlar natijalari va xududiy muammolarning elektronika sohasida 

ishlatiladigan o ’lchash asboblari istiqboliga ta’siri masalalarini  qamraydi.



O ’quv fan n in g m aqsad va vazifalari

Fan  o ’qitilishidan  maqsad  -   zamonaviy  yarim   o ’tkazgichli  asboblar,  integral 

sxem alar va mikroelektronika texnologiyasi asoslari b o ’yicha y o ’nalish profiliga mos, 

ta ’lim  standartiga  talab  qilingan  bilimlar,  ko’nikm alar  va  tajribalar  darajasini 

ta ’minlashdir.

Fanning vazifasi -  uni  o ’rganuvchilarga:

-   talabalarga  in te g r a l  s x e m a la rn i  lo y ih a la s h   v a   k o n s tr u k s iy a la s h  

asoslarini,  usullarini,  bosqichlarini,  maxsus  dasturiy  ta ’minotlardan  foydalanib 

loyihalashni  o’rgatishdan iborat.

Fan  b o ’yicha talab alarn in g tasavvu r, b ilim ,  k o ’nikm a  va 

m alakalariga  q o ’yilad igan   talab lar

“Integral  sxemalarni  loyihalash  va  konstruksiyalash”  fanini  o ’zlashtirish 

jarayonida talaba:

-  integral  sxemalarni  loyihalash  va  konstruksiyalash  asosida  m ikroelektron 

asboblarni  ishlab  chiqishda  va  tayyorlashda 

qo’llanaladigan  texnologiyalar, 

texnologik  jarayonlar  ham da  ularning  elektrofizik  parametrlariga,  shuningdek 

tavsiflariga  qo’yiladigan  talablar 



Itaqida tasavvurga ega b o ’lishi;

-   ishlab  chiqarishdagi  texnalogik  jarayonlam i,  ulam ing  fizik  —  kimyoviy 

asoslarini, asosiy texnalogik uslublam i, texnologik jarayonlar ketm a -  ketligini;

-   texnologik  uskunalam ing  asosiy  turlarini  integral  sxem a  elementlarini 

loyihalash va konstruksiyalashni;

-   elektronika  soxalarida  qo’llaniladigan  o ’lchash  asboblarining  optimal 

tavsiflarini texnik va iqtisodiy asoslangan holda to ’g ’ri tanlashni;

-  ulam ing optimal ko’rsatkichlari va rejimlari asosida parametrlarini  hisoblashni;

-   boshqa  turdagi  asboblar  bilan  moslashtirishni;  quyilgan  talablarga  muvofiq 

sanoat tomonidan  ishlab chiqarilayotgan  o’lchash  asboblarini tanlashni

-  bunday  qurilmalarda sodir bo’ladigan  fizik jarayonlarni  tahlil  qilish,  loyihalash 

va hisoblash  usullarini 



bilishi va ulardan  foydalana olishi;

-

 

turli  soxalarda  q o ’llaniladigan  elektron  zanjirlar  va  m ikrosxem o-texnika 



qurilmalarini  qo ’yilgan talablarga binoan texnik va iqtisodiy  asoslangan  holda to ’g ’ri 

tanlashni;

-  ulam ing  optimal  ko’rsatkichlari  va  rejimlarini  hisoblashni;  boshqa  turdagi 

qurilm alar  bilan  moslashtirishni;  qo ’yilgan  talablarga  muvofiq  elektron  sanoati 

tom onidan  ishlab chiqarilayotgan mikrosxemalami tanlashni;

-integral  sxemalarini  loyihalash va konstruksiyalash  asosida  ishlab  chiqarilayotgan 

qurilm alam i  texnik  -   iqtisodiy  tahlil  qilishni;  ularni  aniq  sharoitlarda  samarali

з


ishlatishni- 

qurilm alam ing  optimal  k o ’rsatkichlari  va  ish  rejimlarini  belgilash 



ко 'nikmalariga  ega bo ’lishi kerak

  ;


-  boshqa turdagi  qurilm alar bilan birga ishlatish;

-   integral  sxemalarni  loyihalash  va  konstruksiyalash  asosida  mikroprosessor 

qurilmalarini  boshqa sxemalar bilan birgalikda ishlatish, elektron sxemalarni o ’lchash 

va nazorat qilish 



malakalariga ega b o ’lishi kerak.

F an n in g o ’quv  rejadagi  boshqa  fa n la r bilan  o ’zaro  b o g ’liqligi va  uslubiy 

jih a td a n   uzviyligi

I n te g r a l  s x e m a la r n i  lo y ih a la s h   v a  k o n s tr u k s iy a la s h   fani  asosiy 

ixtisoslik  fanlam ing  biri,  bu  fan  7-8  -   semestrlarda  o ’qitiladi.  Dastumi  amalga 

oshirish  o’quv  rejasida  rejalashtirilgan  matem atika  va  tabiiy-ilmiy  (fizika,  oliy 

matematika)  va  umumkasbiy  (elektron  texnika  materiallari  va  elementlari, 

yarim o’tkazgichlar fizikasi) fanlaridan yetarli bilim  v a ko’nikm alarga ega bo’lishlik 

talab etiladi.

F an n in g ilm -fan  va  ish lab   ch iq arish d agi o ’rni

I n te g r a l  s x e m a la rn i  lo y ih a la s h   v a   k o n s tr u k s iy a la s h   fani mikroelektronika 

sanoatida  ishlab  chiqariladigan  m axsulotlam ing  texnologiyasini  hamda  texnologik 

qurilm alam ing asosini tashkil  etadi.

Shuningdek yarim  o ’tkazgichli  asboblar va  integral  sxemalar ishlab chiqarishdagi 

texnologik jarayonlarni  o ’z  ichiga oladi.  Ushbu  fan  asosiy  ixtisoslik  fani  hisoblanib, 

elektronika  va  mikroelektronika  sanoat  ishlab  chiqarish  tizimining  ajralmas 

b o ’g ’inidir.



Fanni o ’qitishda za m o n a v iy  a x b o ro t va  p ed a g o g ik  texn ologiyalar

Talabalaming in te g r a l  s x e m a la r n i  lo y ih a la s h   v a   k o n s tr u k s iy a la s h   fanini 

o’zlashtirishlari  uchun  o’qitishning  ilg’or va  zamonaviy  usullaridan foydalanish, yangi 

informasion -  pedagogik texnologiyalami tadbiq qilish muhim ahamiyatga egadir. Fanni 

o ’zlashtirishda  darslik,  o ’quv  va  uslubiy  q o ’llanmalar,  m a’ruza  matnlari,  tarqatma 

materiallar,  elektron  versiyalar,  virtual  stendlardan  foydalaniladi.  M a’ruza  va  amaliy 

m ashg’ulotlarida mos ravishdagi ilg’or pedagogik texnologiyalardan foydalaniladi.

F anning  n azariy  m a sh g ’u lotlari m azm u n i.

I n te g r a l  s x e m a la r n i  lo y ih a la s h   v a   k o n s tr u k s iy a la s h   fanining tarixi  va 

rivojlanish an’analari.  Shu fanda erishilgan ilm -  fan, texnika va texnologiya yutuqlari. 

Fanni  o ’zlashtirishda  qo’yilgan  asosiy  vazifalar.  Y arim   o ’tkazgachli  asbobsozlik  va 

m ikroelektronikaning  hozirgi  davrdagi  holati  v a  asosli  rivojlanish  an ’analari. 

Integral  sxem alar ishlab chiqarishda planar-epitaksial jarayonlarning umumiy tizim i 

m isolida  texnologiyaning  fizik-kim yoviy  asoslariga  qisqacha  ta fs ilo t  b e rish . 

P lanar-epitaksional  IMS  tranzistorlarning  konstruktiv  texnologik  xususiyatlari  va 

uning tavsiflari.  Q o’shqutbli tranzistor yarim   o ’tkazgichli  IMS  tuzilishining asosiy 

elem enti,  boshqa  elem entlar yaratilishidagi  asos  sifatida.  Q o ’shqutbli tranzistorlar 

konstruksiyasining  rivojlanish tarixi.  Q o ’shqutbli tranzistorlar konstm ktiv asoslari.


Elem entlararo  izolyasiya  uslubini  tanlashda  vertikal 

n-p-n  tranzistorlar  turiga 

bo g ’liqligi.  G orizontal  n-p-n tranzistorlar.

Shottki  diodli tranzistorlar.  Tranzistor tuzilm ali  asosda tuzilgan IM S  diodlari 

va  ularning  konstruktiv-texnologik  tavsiflari.  Diodlarni  konstruktiv  hisoblash 

asoslari.  Shottki  diodlari.  Yarim   o ’tkazgichli  IMS  lam ing  rezistiv  v a  sig ’imli 

elem entlari, 

konstruksiya 

turlari, 

tavsiflari, 

konstruktiv 

hisob 


asoslari. 

K om m utasiya  elem entlari,  o ’zaro  ulashlar  tizim i,  konstruksiya  turlari,  zam onaviy 

KIS  m etallizasiyasi  k o ’rsatkichli  tizim i.

M D P -  tranzistorlarining  konstruktiv -  texnologik xususiyatlari,  integral  bir 

qutbli tranzistorlar variantlari.  Bir  qutbli  tranzistorlarda M DP -  tranzistor IM Sdagi 

yagona  sxem a  elem enti  sifatida,  M D P-tranzistor  yarim   o ’tkazgichli  xotiraning 

asosiy elem enti sifatida KM DP-IM S elem entlari. B irlashgan ikki qutbli va bir qutbli 

tranzistorlardagi  IMS  elem entlari.



Kremniyli  integral  mikrosxemalar  ishlab  chiqarishning  struktura 

elementlari va texnologik jarayonlar!

Kremniyli  mikrosxemalar  tayyorlashning  tipik  texnologik jarayoni,  integral 

mikrosemalar texnologiyasining o ‘ziga xos jihatlari.

Krem niyli tagliklarga ishlov berish.

Yarimo‘tkazgichli  quymalar kristallografik yo‘nalishini  aniqlash Kremniiyga 

mexanik ishlov berish, kremniy sirtini tozalash  , kremniyni yemirish.

Kremniyga aralashmalar diffuziyasi

Diffuzii  tenglamasini  yechish,  diffuzantlar  xarakteristikalari,  diffiiziya 

jarayonini  o‘tkazishninig  amaliy  usullari,  diffiizion  qatlamlar  xarakteristikalarini 

o ‘rganish usullari.



Kremniyga aralashmalarni ionli kiritish

Ionli  kiritishda  aralashmalar  taqsimoti,  radiasion  effektlar  va  ulaming 

legirlangan  qatlamlar xossalariga ta’siri,  ionlami  kiritish jarayonini  o'tkazishning 

amaliy usullari. 



Krem niy qatlamlarini epitaksial o ‘stirish.

Kremniyda  xloridli  va  silanli  avtoeiitaksiya  metodlari,  molekulyar-nurli 

epitaksiya,  kremniyning  sapfir  sirtida  geteroepitaksiyasi,  epitaksial  qatlamlar 

xarakteristikalarini o ‘rganish metodlari



Yupqa pardalarni olish va ularni qayta ishlash.

Kremniy  ikki oksidining pardasini termik oksidlash metodi yordamida olish, 

vakuumli 

termik 


changlatish, 

ion-plazmali 

changlatish, 

bug‘— gaz 

aralashmalaridan  yupqa  pardalarni  o‘tqazish,  pardalar  qalinligini  aniqlash 

metodlari,  yupqa  pardalarni  qayta  ishlashning  ion-plazmali  va  plazmokimyoviy 

metodlari.

Litografiya

Fotolitografiya, elsktronolitografiya, rentgen nurli va ion litografii.



Krem niyli integral 

mikrosxemlarni 

tayyorlashning 

texnologik 

jarayonlari

Bipolyar  mikrosxemalarda  elementlami  izolyasiyalash  metodlari,  bipolyar 

mikrosxemalami tayyorlashning texnologik jarayonlari, moyatranzistorlari asosida 

mikrosxemalami  tayyorlashning  texnologik jarayonlari,  elektrik  ulashlami  hosil 

qilish va kremniyli mikrosxemalami yig‘ish.


Gibrid integral mikrosxemalami  tayyorlashningtexnologikjarayonlari

Taglik materiallari. yupqa pardali mikrosxemlarda pardalar materiallari, yupqa 

pardalarda  tasvirlar  hosil  qilish,  yupqa  pardali  integral  mikrosxemlar 

tayyorlashning tipik  texnologik jarayoni, gibrid mikrosxemalami yig‘ish.



Integral  mikrosxemalami  konstruksiyalashning  predmeti  va  dastlabki 

ma’lumotlari

Integral mikrosxemalami konstruksiyalash prinsiplari, integral mikrosxemalar

ulaming  elementlari  va  komponentalari,  elementlar  parametrlarini  hisoblash 

masalalari.



Integral mikrosxemalar strukturlarining elektrofizik parametrlari

Integral  mikrosxemalar  ishchi  qatlamlari,  p-n  o ‘tishlar  solishtirma  baryer 

sig‘imi,  p-n  o ‘tish  teshilish  kuchlanishi,  qatlamlar  solishtirma  elektr  qarshiligi, 

emitter tokining baza qatlamida emitter qatlami bilan chegaralangan siqib chiqarish 

effekti (n-p-n tranzistorlar faol baza sohasi), p-n o‘tishlar issiqlik toklari.

Integral  yarimo‘tkazgichli  mikrosxemalar  bipolyar  tranzistorlari  va 

diodlarini loyihalash

Integral  n-p-n tranzistorlar  spesifikasi,  n-p-n  tranzistorlarni  loyihalash,  n-p-n 

tranzistor  uzatish  koeffisiyentini  hisoblash,  p-n-p  tranzistorlarni  loyihalash,  p-n 

o‘tishlar  asosidagi  integral  diodlami  loyihalash,  Shotki  baryerli  diod  va 

tranzistorlarni loyihalash, ko‘p emitterli 

n-p-n

 tranzistorlarni loyihalash.



Yarimo‘tkazgichIi  bipolyar  integral  mikrosxemalar  passiv  elementlarini 

loyihalash

DifTuzion kondensatorlami loyihalash, rezistorlami loyihalash



Mdya mikrosxemalar elementlarini loyihalash

MDYA kondensatorlami loyihalash, MDYA tranzistorlarni loyihalash, zaryad 

bog'lanishli asboblami loyihalash, elementlararo ulashlami loyihalash.

Yarimo‘tkazgichli integral mikrosxemalarni loyihalash

Yarimo‘tkazgichli  integral  mikrosxemalar  topologiysini  ishlab  chiqish, 

MDYA tranzistorlar asosidagi raqamli mikrosxemalar topologiysini ishlab chiqish, 

chiqishida  differesial  kaskadi 

bo‘lgan  analogli 

integral 

mikrosxemalar 

topologiyasini  loyihalashning o ‘zga xosliklari,  Integral  injeksion  mantiq,  integral 

mikrosxemalami konstruktiv bezash, integral mikrosxemalar hujjatlari.

Gibrid integral mikrosxemalarni loyihalash

Gibrid  integral  mikrosxemalarning  pardali  elementlarini  loyihalash,  gibrid 

integral mikrosxemalar topologiysini ishlab chiqish.

Katta integral mikrosxemalarni loyihalash

Konstruksiyalashning o'ziga xosligi, elementlar strukturasining o ‘ziga xosligi, 

mashinada  konstruksiyalash  masalasi,  elementlaming  fiziko-topologik  modeli, 

elementlaming 

matematik 

modellari, 

topologiyani 

mashinada  yaratish, 

konstruktorlik hujjatlami va fotoshablonlami mashinada yaratish.

Galliy arsenidi asosidagi integral mikrosxemalar 

Galliy 


arsenidi 

asosidagi  mikrosxema  elementlarini  tayyorlash  texnologiyasi,  Shottki  zatvorli 

galliy  arsenidi  asosidagi  maydon  tranzistorlarining  elektrik  va  konstruktiv 

parametrlari.



1. 

IMS  ni  optimal  statik xisoblash usullari.

2. 

Bipolyar tranzistor parametrlarini xisoblash.



3. 

IMS 


elementlarini 

xisobi 


uchun 

q o ’llaniladigan 

tranzistom ing fizik strukturasi.

4. 


Diodlami  loyixalash va xisoblash.

5. 


Diffuzion rezistorlami loyixalash va xisoblash.

6. 


Yarim o’tkazgichli 

kondensatorlami 

loyixalash 

va 


xisoblash

7. 


MDP-tranzistorlarini  ishlash 

prinsiplari  va  asosiy 

parametrlari.

8. 


Zaryad aloqali asboblarda IMS ni  loyixalash  .

9. 


GIS 

lami 


loyixalashni 

konstruktiv-texnologik 

xususiyatlari.

10.  Plyonkali rezistorlarni  loyixalash va xisoblash.

11.  Y upqa plyonkali rezistorlam i xisoblash.

12.  M urakkab konfigurasiyali  rezistorlarni  xisoblash.

13.  M eandrtipli  rezistorlarni  xisoblash.

14.  Qalin plyonkali  rezistorlarni xisoblash.

15.  Plyonkali  kondensatorlami  loyixalash va xisoblash.

16.  Y upqa plyonkali kondensatorlam i xisoblash.

17.  Gibrid  IMS  topologik  strukturasini  loyixalash  va 

komponovka prinsiplari.

18.  KIS  larni  xioblash va loyixalashni asosiy bosqichlari.

Amaliy m ashg’ulotlarni tashkil etish  bo’yicha tavsiyalar 

A m aliy m ashg’u lotlarda m a’ru zalarda k o ’rilgan  asosiy  sxem alar taxlil etiladi 

ham da sxemalami  loyihlash  va  hisoblashlarni  oddiy  usullari  o ’rganiladi.  T alabalar 

q o ’llanm alar  va  elektron  v e rsiy a la r  bilan  ish lash la rn i  o ’rg an ish lari  kerak. 

Amaliy 

m ashg’ulotlami  tashkil  etish  bo’yicha  kafedra  professor-o’qituvchilari 



tom onidan  ko’rsatma  va  tavsiyalar  ishlab  chiqiladi.  U nda  talabalar  asosiy  m a’ruza 

mavzulari bo ’yicha olgan  bilim va ko’nikmalarini  amaliy m ashg’ulotlar orqali yanada 

boyitadilar.  Shuningdek,  darslik  va  o ’quv  qo’llanm alar  asosida  talabalar  bilimlarini 

mustahkamlashga  erishish,  tarqatma  materiallardan  foydalanish,  ilmiy  maqolalar  va 

tezislam i  chop etish  orqali  talabalar bilimini  oshirish,  mavzular b o ’yicha taqdimotlar 

va ko ’rgazmali qurollar tayyorlash tavsiya etiladi.



Laboratoriya  ishlarining taxm iniy ro’yxati

1. 


Integral 

RC-filtrlaming 

konstruksiyasi 

va 


xarakteristikalarini o ’rganish

2. 


Y arim o’tkazgichli  integral  sxem a  va  tranzistorlarni 

diodli  yoqilish  xususiyatlari.

Plyonkalar parametrini nazorat usullarini  o ’rganish.



Gibrid  integral  mikrosxemani  konstruktiv-texnologik



A m aliy  m ash g’u lotlarn in g taxm in iy  r o ’yxati

x u su siy atlarin i tax lil qilish.

5. 


D iffuzion  rezistorlar.

6. 


Y a rim o ’tk azg ich li  m ik ro sx em a kondensatorlari.

7. 


Y a rim o ’tk azg ich li IM S  larni bipolyar tranzistorlari.

8. 


M ik ro y ig ’m alam i xiso b lash  v a  konstruktorlash.

9. 


Y upqa plyo n k alarn i  shakllantirish  usullarini  o ’rganish.

10. 


Integral  m ik ro sx em alard a  kontaktlar  yaratish  usullarini 

o ’rganish.

11.  F o to lito g rafik  j arayonni  o ’rganish.

12.  Integral  m ik ro sx em o lam i  germ etizasiya qilish usullarini 

o ’rganish.

13.  B erilg an   o ’tk azu v c h an lik   turlarini  yaratish  usullari 

(diffuziya, 

epitaksiya, 

ion 

kirgizish(ionnoye 



vn ed ren iy e)) o ’rganish.

14.  P ly o n k ali 

integral 

m ikrosxem alar 

topologiyasini 

o ’rganish.



Laboratoriya  ishlarini  tashkil etish  bo’yicha  ko’rsatm alar

L ab o rato riy a  ishlarini  tash k il  etish  b o ’yicha  kafed ra  p ro fe sso r-o ’qituvchilari 

to m o n id an   k o ’rsa tm a   v a   tav siy alar  ishlab  chiqiladi.  L ab o rato riy a  ishlari  talab alar 

y a rim o ’tk azg ich li  IM S,  b ip o ly ar  va  m aydonli  tranzistorlar,  sh u n in g d ek   tiristo rlam i 

tad q iq o t  qilish,  u larn in g   param etrlarini  aniqlash  va  IM S  topo p lo g iy asin i  o ’rganish 

tax lil  qilish  b o ’y ic h a  am aliy k o ’nikm a v a  m alaka xosil  qiladilar.



Mustaqil ta’lim ning shakli va  mazmuni 

T alab a  m u staq il  ishni  tay y o rlash d a  m uayyan  fanning  xusu siy atlarin i  x iso b g a 

olgan  h o ld a quyidagi  shakllardan foydalinishi tav siy a etiladi:

•   D arslik v a  o ’q u v  q o ’llanm alar b o ’y ich a fan  boblari v a  m avzularini  o ’rganish;

•   T a rq a tm a  m ateriallar b o ’y ich a m a ’ruzalar qism ini  o ’zlashtirish;

•   M axsus  ad ab iy o tlar b o ’y ich a fanlar b o ’lim lari  yoki  m avzulari  u stid a ishlash;

•   Y angi tex n ik alam i,  apparaturalarni, ja ra y o n la r va texno lo g iy alarn i  o ’rganish;

•   T alab an in g   o ’q u v -ilm iy -ta d q iq o t  ishlarini  b ajarish  bilan  b o g ’liq  b o ’lgan  fanlar 

b o ’lim lari v a  m av zu lam i  chuqur o ’rganish;

•   Faol  v a  m uam m oli o ’qitish uslubidan foydalaniladigan o ’q u v  m a sh g ’ulotlari. 

M ustaqil  ish  bajarilad ig an   m avzular  b o ’y ich a  sav o ln o m alar  tu zish ,  sav o llarg a

fo y d alan ish g a  ta v siy a   etilg an   adabiyotlardan  foydalangan  h o ld a   y o z m a   ta rz d a  ja v o b  

berish v a  boshqalar.

Tavsiya  etilayotgan  mustaqil  ishlarning m avzulari

1.  F an n in g  riv o jlan ish  istiqbollari.

2.  Integral  sxem alam ing sinflari.

3.  Integral  sxem alam i loyihalash usullari.

4.  K atta integral sxem alam i  loyihalash usullari.

5.  O ’ta  katta integral sxem alam i  loyihalash usullari.

6.  Integral  sxem alam i loyihalashda ishlatiladigan dasturiy ta ’m inotlar.

7.  Integral  sxem alam i loyihalashning asosiy bosqichlari.

8.  M antiqiy  integral sxem alam i  loyihalash usullari.


9.  IM S ni ishlab chiqish bosqichlari, konstruktorlik xuijatlarini tarkibi v a  ulam i 

rasm iylashtirish qoidalari.

10.  K M D P tipidagi  kom plem entar tranzistorli  struktura.

11.  M D Y a strukturali  unipolyar (m aydonli) tran zisto r konstruksiyasi.

12.  Y a rim o ’tkazgichli  IM S  li  integral d io d lar k o n struksiyasi.

13.  IM S  dielektrik p odloj-kalarining asosiy p aram etrlarin i n azo rat qilish usullari.

14.  M antiqiy  integral  sxem alam i  loyihalash usullari.

15.  K eram ik k o ’pqatlam li  qalin plyonkali p lata asosidagi  G IS  konstruksiyalari  v a  

tay y o rlash  texnologiyalari.

16.  Y a rim o ’tkazgichli  m ikro-sxem a k o n d en sato rlarin in g  konstruksiyasi.

17.  Y a rim o ’tkazgichli  plastina param etrlarini  nazo rat qilish  usullari.

18  Plyonkali  kondensatorlar konstruksiyasi.

19.  P lyonkali  induktiv elem entlar konstruksiyasi.

20.  Q alin  plyonkalarni tayyorlash qurilm alari.

21.  Y a rim o ’tkazgichli  rezistorlam i  konstruksiyasi  v a te x n o lo g iy a s i.

22.  Y u p q a qatlam li  rezistorlarni tay y o rlash  u chun q o ’llaniladigan m ateriallam in g  

xususiyatlari

23.  Q alin plyonkali G IS  i  M SB   konstruksiyasi v a  ishlab chiqarish texnologiyasi.



DASTURNING  INFORM ASION-USLUBIY T A ’MINOTI

M azk u r fanni o ’kitish ja ra y o n id a  ta ’lim ning zam o n av iy  m etodlari, pedagogik v a  

a x b o ro t -  kom m unikasiya texnologiyalari q o ’llanilishi n az a rd a  tutulgan.

F a n n i  o ’z la s h tir is h d a  m a s o fa d a n  o ’q itis h ,  d a r s lik ,  o ’q u v  q o ’lla n m a la ri  v a  

m a ’r u z a la r  

m a tn la r in in g  

e le k tr o n  

v e r s iy a la r id a n , 

m a ’lu m o tla r  

e le k tr o n  

b a z a s id a n ,  k o m p y u te r  j o ’r l ig i d a   m a ’r u z a l a r   o ’q is h ,  e le k tr o n   p la k a tla r   v a  

v ir tu a l  la b o r a to r iy a   is h la r id a n   f o y d a l a n il a d i,  a m a liy   m a s h g ’u lo tla r d a   k ic h ik  

g u r u x l a r   m u s o b a q la ri,  g u ru h li  f ik r la s h   p e d a g o g ik   te x n o lo g iy a la r n i  q o ’lla s h  

n a z a r d a   tu tila d i.



Foydalaniladigan  adabiyotlar ro’yxati:

Asosiy adabiyotlar:

1.  K urnosov  A .I.,  Yudin  V .V .  Texnologiya  proizvodstva  poluprovodnikovbix 

priborov i  integralnbix  mikrosxem.  U c h e b n ik - M .:Radio  i  svyaz,  1996

2.  A yupov  Q .S.,  Iliyev  X.M.  “Y arim o’tkazgichli  asboblar  va  integral  sxemalar 

texnologiyasi”  fanidan m a’ruzalar  to ’plami. - T:  TDTU,  1999

3.  Jigalskiy  A.A.  Proyektirovaniye  i  konstruirovaniye  m ikrosxem :  Uchebnoye 

posobiye.  -  Tomsk:  TUSUR, 2007

4.  Pichugin  I.G.,  Tairov  Yu.M.  Texnologiya  poluprovodnikovbix  priborov. 

Uchebnik.  -М.:  Vbisshaya shkola,  1994

5.  Berezin  A.S.,  M ochalkina  O.R.  Texnologiya  i  konstruirovaniye  integralnbix 

m ikrosxem .  U chebnik.  - Radio  i svyaz, 2002,  320 s.

6.  Jigalskiy  A .A.  Proyektirovaniye  i  konstruirovaniye  m ikrosxem :  U chebnoye 

posobiye.  - Tom sk:  TUSUR, 2007.  -  195  s.

7.  M ayzda  F.  Integralnbiye sxemw i  ix primeneniya.  Izdatelstvo “ M ir”  2001



Q o’shimcha  adabiyotlar:

1.  Iliyev  X .M .  «Texnologiya  poluprovodnikovbix  priborov  i  integralnbix  sxem». 

M etodicheskiye  ukazaniya к laboratornbim rabotam.- Tashkent,  TGTU,  2004

2.  B erezin  A .S.,  M ochalkina  O.R.  T exnologiya  i  konstruirovaniye  integralnbix 

m ikrosxem .U chebnoye  posobiye.-М.:  Radio  i  svyaz,  1993

3.  Gil  U.,  Lakson  Dj.  Integralnbiye  mikrosxembi.  Materialbi.  Priborbi.  Izgotovleniye. 

Per.  s ang.  pod red.  M.V.  Galperina.  Uchebnik. -М .:  Mir,  1998

4.  Vaysburd  F.I.  Elektronika.  Polnwy kurs  leksiy. -  SPb.:  KORONA  PRINT,  2004

5.  Baxodirxonov  M.K.,  Iliyev  X.M .«Yarim  o ’tkazgichli  asboblar  va  integral 

sxem alar texnologiyasi  kursiga oid atamalar». -T oshkent:  TD TU ,2004



Internet saytlar:

1.  w w w .z iv o n e t.u z

2.  http://avnsite.narod.ru/phvsic/pp/index.htm

3.  http://www.ad.ugatu.ac.ru/knbase/conten.htm

4.  www.zivonet.uz:

5.  w w w .lex.uz;

6.  w w w.bilim .uz;

7.  w w w.gov.uz.



10

Download 256.81 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2020
ma'muriyatiga murojaat qiling