Yarimo‘tkazgich diodlarning ekvivalent sxemalari, qo‘llanish sohalari


Download 19.42 Kb.
Sana31.01.2024
Hajmi19.42 Kb.
#1828208
Bog'liq
DILSHOD 1 MUSTAQIL ISH




TT-21_04 GURUH

FAN:ELEKTRONIKA VA SXEMALAR


TOPSHIRDI: Islomov Dilshodbek
Mustaqil ish 2

Yarimo‘tkazgich diodlarning ekvivalent sxemalari, qo‘llanish sohalari.
Tayyorlov operatsiyalari. Y arim o’tkazgich IM Slar tayyorlash uchun asosiy m aterial b o i g a n — krem niy m onokristall quym alari olishdan boshlanadi. Monokristall quymalar hosil qilishning bir qancha usullari mavjud. Choxralskiy usulida tarkibiga donor yoki akseptor kiritmalar qo'shilgan o*ta toza krem niy eritmasi yuziga krem niy monokristali tushiriladi. E ritm a eritgan m onokristall o*z o ‘qi atrofida asta-sekin aylantirilib ko‘tariladi. Monokristall ko‘tarilishi bilan eritm a kristalanadi va kremniy monokristali hosil bo'ladi. Hosil bo'lgan kremniy quymasi /? — yoki p - turli elektr o ‘tkazu v ch an lik k a ega b o 'lad i. Q u y m a uzunligi 150 sm, diam etri esa 150 mm va undan katta bodishi m um kin. Zona/i eritish usulida monokristall ifloslantiruvchi kiritmalardan qo'shim cha tozalanadi. Bunda kristalning tor zonasi eritilib, eritilgan zona kristalning bir uchidan ikkinchi uchiga asta siljitib boriladi. K iritm a la rn in g erig an fazada eruv ch an lig i q a ttiq h o latd ag i eruvchanligiga qaraganda katta b o ‘Isa, o 'sh a kiritm alar suyuq fazaga o ‘tib kristalning ikkinchi uchiga siljib boradi, va o ‘sha yerda to'p lan ad i. K iritm alar t o ‘plangan soha tozalash jarayonlari tugagandan s o 'n g kesib tashlanadi. Epitaksiya, Epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristall ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi. Asos b u n d a m ustahkam likni ta ’m inlash va kristalanayotgan 162 qatlam takrorlashi zarur bo'lgan kristall panjara sifatida xizmat qiladi. Keyingi texnologik jarayonlarda epitaksial qatlamda IM Sning aktiv va passiv elementlari hosil qilinadi. G az fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo'lib, ular monokristall asos siitida n— yoki / 7— turli o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan epitaksial qatlamlar hosil qilish imkonini beradi. Termik oksidlash. T e rm ik oksidlash — krem niy sirtida oksid ( S i 0 2) qatlam (parda) hosil qilish m aqsadida su n ’iy yo'l bilan oksidlashdan iborat jarayon. U yuqori (100CH-1200) °C tem peraturalarda kechadi. IM Slar tayyorlashda SiO, qatlam bir necha m uhim funksiyalarni bajaradi: sirtni himoyalovchi qatlam; niqob vazifasini bajarib, undagi tirqishdan zaru r kiritm alar kiritiladi; M D Y — tra n z isto rla rd a zatvor ostidagi yupqa dielektrik qatlam sifatida ishlaydi. Legirlash. Yarimo'tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni legirlash deb ataladi. IMSlar tayyorlashda legirlash sxemaning aktiv va passiv elementlarini hosil qilish uchun, zarur o'tkazuvchanlikni ta ’m inlash u ch u n kerak. L egirlashning asosiy usullari yuqori tem peraturalarda kiritm alar atom larini diffuziyalash va yuqori energiyali ionlar bilan bom bardim on qilish (ionlarni kristall panjaraga kiritish) dan iborat. Dijfuziya yordamida legirlash b u tu n kristall yuzasi b o 'у lab yoki niqobdagi tirqishlar orqali m a ’lum so h alard a (lokal) am alg a oshiriladi. Ion legirlash yetarli energiyagacha tezlatilgan kiritma ionlarini niqobdagi tirqishlar orqali kristalga kiritish bilan amalga oshiriladi. Ion legirlash universalligi va oson amalga oshirilishi bilan xarakterlanadi. Ionlar tokini o'zgartirib legirlovchi kiritmalar konsentratsiyasini, energiyasini o'zgartirib esa — legirlash chuqurligini boshqarish m um kin. Yemirish. Y arim o'tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalami kimyoviy moddalar hamda ularning aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoniga yemirish deyiladi. Yemirish yarimo'tkazgich sirtini tozalash, oksid qatlam d a “ d arch a’Mar ochish va turli ko'rinishga e g a b o 'l g a n “ c h u q u r c h a l a r ” h o sil q ilis h u c h u n q o 'l l a n i l a d i . Yarimo'tkazgich sirtini tozalash va “darcha”lar hosil qilish uchun izotrop yemirishd&n foydalaniladi, bunda yarimo'tkazgich barcha kristalografik yo'nalishlar b ylab bir xil tezlikda eritiladi. B a’zan yarim  tkazgichni turli kristalografik yo'nalishlar bo'ylab turli tezlikda eritish va natijada turli ko'rinishga ega bo'lgan “chuqurcha”lar hosil qilish zarur bo'ladi. 163 Anizotrop yemirish bilan, m asalan, m ikrosxem alar tayyorlashda (elementlarni bir-biridan dielektrik bilan izolatsiyalashda) dielektrik qatlam o'stiriluvchi “chuqurcha”lar hosil qilinadi. Fotolitografiya. Yarimo'tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida m a’lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni fotolitografiya deb ataladi. Ushbu sohalar kimyoviy yemirishdan himoyalangan boNishi shart. Fotolitografiya jarayonida ultrabinafsha n u r ta ’sirida o ‘z xususiyatlarini o'zgartiruvchi, fotorezist deb ataluvchi, maxsus moddalar ishlatiladi. Fotorezist oksidlangan kremniy plastinasi sirtiga surtiladi va kvars shisha niqob orqali yoritiladi. N iqoblar shaffof va shafFof em as sohalarga ega bo'lgani uchun fotorezistning m a’lum sohalariga yorugfiik (ultrabinafsha nur) ta ’sir etib, uning xususiyati o'zgartiriiadi. B unday niqoblar fotoshahlonlar deb ataladi. Fotorezist turiga bogMiq holda uning eruvchanligi ortishi (pozitiv fotorezist) yoki kamayishi (negativ fotorezist) m u m k in . Pozitiv fotorezist qatlam yorugMik nuri t a ’sirida n o b a rq a ro r holatga o ‘tadi va erituvchi t a ’sirida eriydigan, negativ fotorezist esa — aksincha, yorugMik ta ’sirida erim aydigan boMib qoladi, unin g yorugMik ta ’siridan him oyalangan sohalari eriydi. S h u n d ay qilib, fotorezist qatlamdan fotoshablondagi shaklni takrorlovchi himoyalovchi niqob hosil qilinadi. Fotorezist qatlam da hosil qilingan “ d a r c h a ’Mar orqali oksidlangan yarimoMkazgichning himoyaianmagan sohalariga kimyoviy ishlov beriladi (yemiriladi).


TEST
1)Elektr maydon kaerda xosil buladi?

    1. Zanjirda
      Elektr kurilmada
    2. *Tokli utkazgichda


    3. Tarmokda

  1. Elektr karshiligi nima?

    1. Potensial


    2. Imkoniyat


    3. *Elektr tokiga utkazishning teskari ta’siri


    4. Elektron

  2. Kuvvat nima?

    1. Vakt

    2. *Vakt birligi ichida bajarilgan ishi

    3. Elektr tarmok


    4. Kontur

  3. Tok kuchi nima?

    1. *Zaryadli zarralarni bir tomonlama xarakatidir


    2. Sistema

    3. Manba

    4. Element

  4. Sigim nima?

    1. *Utkazgichning zaryad tuplash xususiyatidir


    2. Kondeksator


    3. Kuchlaganlik


    4. Maydon

  5. Sigim birligi nima?

    1. *Farada

    2. Om

    3. Amper

    4. Volt

  6. Gisterezis suzini ma’nosi nima?


    1. *Kechikish


    2. Kaytish

    3. Sirtmok

    4. Ferromagnit


  7. Om konuni maksadi


    1. Elektr mashina uchun


    2. *Magnit zanjir uchun


    3. Elektr apparatlar uchun


    4. Kondensator


  8. Bir faza necha volt buladi?


    1. 380 volt

    2. 500 volt

    3. *220 volt




    4. 600 volt

Download 19.42 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling