014 L3: Алимов Жамшид №1

Схеманинг NI-Multisim дастурий муҳитида йиғилган ҳолати

Берилган параметр: E_П=V₁=12 В I_у=9 мА, U_зи=2В.

Берилган параметр бўйича дастлабки ҳисоблашлар:

R₁ қаршиликни ҳисоблаш.

Уч транзисторли (Уилсон) БТГ учун R₁ қаршиликни ҳисоблаш.

Кремнийдан тайёрланган транзисторларда U_БЭ=0,6….0,8 В гача бўлади. R₁ ни қуйидаги формула билан ҳисоблаш мумкин. Бунда, U_БЭ=0,7В.
R1= (Е_П – 2U_зи) / I_у = =888.888Ω.
Ишни бажариш.

Келтирилган схемани берилган параметрлар асосида NI Multisim датурий муҳитида йиғиб, олинган натижаларни жадвални тўлдирамиз:

Юклама қаршилигининг қийматини R_Н = 0 Ом дан R_Н = 1,5R1 кОм гача 0,1 кОм қийматга ошириб борамиз ва натижаларни жадвалга ёзиб оламиз.

R_H1 = 0 R1 = 0 Ω

R_H2 = 0.1 R1 = 88.88 Ω

R_H3 = 0.2 R1 = 177.7776 Ω

R_H4 = 0.3 R1 = 266.6664 Ω

R_H5 = 0.4 R1 = 355.5552 Ω

R_H6 = 0.5 R1 = 444.444 Ω

R_H7 = 0.6 R1 = 533.3328 Ω

R_H8 = 0.7 R1 = 622.2216 Ω

R_H9 = 0.8 R1 = 711.1104Ω

R_H10 = 0.9 R1 = 799.9992Ω

R_H11 = 1 R1 = 888.888 Ω

R_H12 = 1.1 R1 = 977.7768 Ω

R_H13 = 1.2 R1 = 1066.6656 Ω

R_H14 = 1.3 R1 = 1155.5544 Ω

R_H15 = 1.4 R1 = 1244.4432 Ω

R_H16 = 1.5 R1 = 1333.332Ω

Rн,кОм	0	88,88	177,7776	266,6664	355,5552	444,444	533,3328	622,2216
URН, В	0	0.799	1.598	2.397	3.196	3.995	4.794	5.592
IН, мА	100	8.988	8.988	8.990	8.988	8.988	8.988	8.988
δ, %	0.133	0.133	0.133	0.133	0.133	0.133	0.133	0.133

Rн,кОм	711,1104	799,9992	888,888	977,7768	1066,6656	1155,5544	1244,4432	1333,332
URН, В	6.391	7.190	7989	8.788	9.587	9.935	9.976	9.995
IН, мА	8.988	8.988	8.988	8.988	8.988	8.599	8.017	7.498
δ, %	0.133	0.133	0.133	0.133	0.133	4.45	10.92	16.71

Олинган натижаларга ишлов бериш.

Симуляция нитижасида ток оқими хатолигини ҳисоблаш. Биринчи ҳисоблашда ток оқими хатолигини 0.133% ни ташкил этди. Симуляцияни биринчи марта ишга туширганда Iу бошқарувчи ток оқими хатолиги 3% гача бўлиши мумкин.

Бу ерда, I_у ток вариант бўйича, 𝐼_из ток олчаб олинади.

Бошқарув ток қийматидан четлашишни ҳисоблаш: