Схеманинг NI-Multisim дастурий муҳитида йиғилган ҳолати
Берилган параметр: EП=V1=12 В Iу=9 мА, Uзи=2В.
Берилган параметр бўйича дастлабки ҳисоблашлар:
R1 қаршиликни ҳисоблаш.
Уч транзисторли (Уилсон) БТГ учун R1 қаршиликни ҳисоблаш.
Кремнийдан тайёрланган транзисторларда UБЭ=0,6….0,8 В гача бўлади. R1 ни қуйидаги формула билан ҳисоблаш мумкин. Бунда, UБЭ=0,7В.
R1= (ЕП – 2Uзи) / Iу = =888.888Ω.
Ишни бажариш.
Келтирилган схемани берилган параметрлар асосида NI Multisim датурий муҳитида йиғиб, олинган натижаларни жадвални тўлдирамиз:
Юклама қаршилигининг қийматини RН = 0 Ом дан RН = 1,5R1 кОм гача 0,1 кОм қийматга ошириб борамиз ва натижаларни жадвалга ёзиб оламиз.
RH1 = 0 R1 = 0 Ω
RH2 = 0.1 R1 = 88.88 Ω
RH3 = 0.2 R1 = 177.7776 Ω
RH4 = 0.3 R1 = 266.6664 Ω
RH5 = 0.4 R1 = 355.5552 Ω
RH6 = 0.5 R1 = 444.444 Ω
RH7 = 0.6 R1 = 533.3328 Ω
RH8 = 0.7 R1 = 622.2216 Ω
RH9 = 0.8 R1 = 711.1104Ω
RH10 = 0.9 R1 = 799.9992Ω
RH11 = 1 R1 = 888.888 Ω
RH12 = 1.1 R1 = 977.7768 Ω
RH13 = 1.2 R1 = 1066.6656 Ω
RH14 = 1.3 R1 = 1155.5544 Ω
RH15 = 1.4 R1 = 1244.4432 Ω
RH16 = 1.5 R1 = 1333.332Ω
Rн,кОм
|
0
|
88,88
|
177,7776
|
266,6664
|
355,5552
|
444,444
|
533,3328
|
622,2216
|
URН, В
|
0
|
0.799
|
1.598
|
2.397
|
3.196
|
3.995
|
4.794
|
5.592
|
IН, мА
|
100
|
8.988
|
8.988
|
8.990
|
8.988
|
8.988
|
8.988
|
8.988
|
δ, %
|
0.133
|
0.133
|
0.133
|
0.133
|
0.133
|
0.133
|
0.133
|
0.133
|
Rн,кОм
|
711,1104
|
799,9992
|
888,888
|
977,7768
|
1066,6656
|
1155,5544
|
1244,4432
|
1333,332
|
URН, В
|
6.391
|
7.190
|
7989
|
8.788
|
9.587
|
9.935
|
9.976
|
9.995
|
IН, мА
|
8.988
|
8.988
|
8.988
|
8.988
|
8.988
|
8.599
|
8.017
|
7.498
|
δ, %
|
0.133
|
0.133
|
0.133
|
0.133
|
0.133
|
4.45
|
10.92
|
16.71
|
Олинган натижаларга ишлов бериш.
Симуляция нитижасида ток оқими хатолигини ҳисоблаш. Биринчи ҳисоблашда ток оқими хатолигини 0.133% ни ташкил этди. Симуляцияни биринчи марта ишга туширганда Iу бошқарувчи ток оқими хатолиги 3% гача бўлиши мумкин.
Бу ерда, Iу ток вариант бўйича, 𝐼из ток олчаб олинади.
Бошқарув ток қийматидан четлашишни ҳисоблаш:
Do'stlaringiz bilan baham: |