1- laboratoriya ishi. Ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish. Integral mikrosxema (ims)

Bipolyar tranzistorlarda barqaror tok generatorini o'rganish.
Ishning maqsadi: - Tok stabilizatorlarini qurish uchun ish printsiplari va elektron yechimlarni o'rganish.
Barqaror tok manbalari
Barqaror tok manbalarini yarimo'tkazgichli tranzistorlar yordamida juda oddiygina qurish mumkin. Shunday qilib, agar bipolyar tranzistor asosiy tokning doimiy qiymati bilan faol rejimda ishlayotgan bo'lsa, unda uning chiqishi oqimi 1-rasmga muvofiq kollektor va emitter terminallari orasidagi kuchlanishga biroz bog'liqdir.
Rasm 4.1 – Tranzistor xarakteristikasi
Doimiy effektli tranzistor doimiy eshik voltajini saqlab turganda pentod xarakteristikasi sohasida ishlayotganda shunga o'xshash xususiyatlarga ega.
Е_П ta'minot kuchlanishining berilgan qiymati uchun R_Н yuk liniyasining kesishish nuqtasi chiqish xarakteristikasining ab segmentida yotishi kerak. I.e. yukning qarshiligi shartni qondirishi kerak .
Aslida, 2-rasmga muvofiq, bipolyar tranzistorda oqim manbaini yaratish muammosi doimiy qiymatning tayanch oqimini o'rnatish usulini tanlash bilan bog'liq. Emitent rezistor Re ning kiritilishi bir qator salbiy oqimlarni hosil qiladi.

2 -Rasm– Bipolyar tranzistorning tok manbai
OOS oqim manbaini chiqish qarshiligining oshishiga va uning barqarorligining oshishiga olib keladi, ammo tranzistor bazasida kuchlanishning ko'payishini talab qiladi. Bunday manbaning chiqish oqimi
.
Yuqori harorat barqarorligini olish uchun zener diyodining TKN tranzistorning harorat beqarorligini qoplashi kerak.
Yuqori chiqish qarshiligiga ega bo'lgan oqim manbalari OOS oqimidan foydalangan holda amperli konturlar asosida qurilishi mumkin. Chiqish tokining ruxsat etilgan qiymatini oshirish uchun amperlarning tranzistorlar bilan birikmasidan foydalaniladi. Bundan tashqari, amperga asoslangan tok manbalarining ko'plab zanjirlari muvofiqlashtirilgan rezistorlardan foydalanishni talab qiladi.
Ish tartibi:
1 Transistordagi tok stabilizatorini o'rganish.
1.1 3-rasmga muvofiq kontaktlarning zanglashiga olib boring.
1.2 VD1 zener diyotining belgilangan turini o'rnating (2-jadval).
1.3 Formulaga muvofiq R1 qiymatini hisoblang ,
Bu yerda Е_П – elektr ta’minoti kuchlanishi;
U_стаб –satabilitronning stabilizasiya kuchlanishi;
I_стаб– stabilitronning nominal toki;
I_б – tranzistorning baza toki, quyidagicha formulada aniqlanadi
I_б = I_к/h_21Э,
Bu yerda I_к = I_н – kollektor oqimi yuk oqimiga teng, ya'ni 1-jadvalda ko'rsatilgan stabilizatorning chiqish oqimi.
h_21Э – tranzistorning kuchlanish koeffitsenti (shu turdagi transistor uchun 2N5227 - 198),

3-rasm – Tranzistorning barqaror toki