1-Amaliy mashgulot Mantiq algebrasi qonunlari va qoidalarini o’rganish Amaliy mashg’ulotni maqsadi

Tranzistori –tranzistorli mantiqiy elementlar

TTM ning oddiy bazaviy elementi, 4a- rasmga binoan diod hossalarini va tranzistorli kuchaytirgichni biriktiruvchi, ko‘p emitterli tranzistordan foydalanish hisobiga tezlikni ortirishga, iste’mol qilinayotgan quvvatni kamaytirishga va mikrosxemalarni tayorlash texnologiyasini mukammallashtirishga imkon yaratadi
TTM ning baza elementi VA-YO‘Q mantiqiy amalini ham bajaradi. Signalning quyi darajasida (mantiqiy nol) VT₁ ko‘p emitterli tranzistorning hech bo‘lmaganda bitta chiqishida oxirgisi to‘yingan holatda bo‘ladi, VT₂ esa yopiq. Sxemaning chiqish qismida yuqori darajali kuchlanish mavjud bo‘ladi (mantiqiy bir). Signalning yuqori darajasida barcha kirishlarda VT₁ aktiv invers rejimda ishlaydi, esa to‘yingan holatda bo‘ladi. Bu yerdai tavsiflangan TTM baza elementi, tayorlanish texnologiyasi sodda bo‘lganiga qaramasdan, to‘sqinqa bardoshliligi quyiligidan, yuklash qobiliyati kichikligi va sig‘imiy kuchlanish bilan ishlashda tezligi kichikligi sababli keng qo‘llanilmaydi. Uni, 4b-rasmga binoan, yuqori to‘sqinqa bardoshlilik va katta yuklash qobilyati talab qilinmaganda, ochiq kollektorli mikrosxemalarni ishlab chiqarishda ishlatish maqsadga muvofiqdir rasmga muvofiq, oldingi sxema bilan taqqoslaganda TTMning baza elementi yaxshilangan parametrlarga ega. Biroq sxemadagi chiqishlarning birikishi mumkin emas.



4a-rasm 4b-rasm