1-лаборатория ишини бажаришда керак бўладиган Electronics Workbench дастурининг компонентлари

13.2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:
13.2.1. 13.4- расмда келтирилган схема, ўлчаш асбоблари ўлчанадиган КП103 майдоний транзистор паспорт кўрсатмалари билан танишиб чиқинг. (5- иловага қаранг)
Сокол расмини чизиб олинг ва тадқиқ этилаётган транзисторнинг чегаравий параметрлари У_СИ._ЧЕГ, И_С.ЧЕГ, П_ЧЕГ қийматларини ёзиб олинг. 13.4 – расмда келтирилган схемани йиғинг.

13.4-расм
13.2.2. Сток кучланишининг У_СИ=1/3 У_СИ.ЧЕГ ва 2/3 У_СИ.ЧЕГ қийматлари учун иккита бошқарув характеристикасини ўлчанг (У_СИ.ЧЕГ қиймати паспорт кўрсатмаларидан олинади). Ўлчаш натижаларини 13.1 – жадвалга киритинг ва ундан фойдаланиб бошқарув характеристикасини қуринг. Тажрибада У_ЗИ кучланиш қийматини 0 дан бўсағавий кучланиш У_БЎС гача ўзгартиринг.
13.2.3. Затвордаги кучланишнинг учта қийматида (У_ЗИ=0; 0,25У_БЎС; 0,5У_БЎС) чиқиш характеристикалар оиласи И_С=ф(У_СИ) ни ўлчанг.
Тажриба ўтказишдан аввал И_С – У_СИ координаталар тизимида транзисторнинг рухсат этилган ишчи режими соҳаларини белгилаб олинг. (13.5 - расм)
13.1 – жадвал

УЗИ, В	ИС, мА
	УСИ=1/3 УСИ.ЧЕГ	УСИ=2/3 УСИ.ЧЕГ

Изоҳ: Р_С.ЧЕГ чизиғини қуриш учун У_СИ кучланишининг 0 дан У_СИ.ЧЕГ қийматлари оралиғида ихтиёрий бир нечта қийматлари танланади ва шу нуқталарда сток токи И_С=Р_С.ЧЕГ /У_СИ ҳисобланади.

Тажрибада олинган нуқталарни 13.2 – жадвалга киритинг ва тайёрланган графикда уларни белгиланг (13.5 - расм). Бунда транзистор учун ишлаш рухсат этилган соҳадан чиқиб кетмасликка эътибор беринг.

13.4-расм
13.2 – жадвал

УСИ, В	ИС, мА
	УЗИ=0	УЗИ=0,25УБЎС	УЗИ=0,5УБЎС

13.2.4. Транзистор сток токига температунинг таъсирини тадқиқ этиш. Тадқиқ этилаётган транзисторни термостатга жойлаштиринг ва тегишли температура қийматини ўрнатинг, сток кучланишнинг У_СИ=1/3У_СИ.ЧЕГ қийматида ва Т=40 ⁰C ва 80 ⁰C температураларда иккита бошқарув характеристикаси И_С=ф(У_ЗИ) ни ўлчанг.

Ўлчаш натижаларини 13.3 – жадвалга киритинг ва улардан фойдаланиб Т=40 ⁰C ва 80 ⁰C температуралардаги иккита бошқарув характеристикаси И_С=ф(У_ЗИ) ни қуринг.
13.3 – жадвал

УЗИ, В	ИС, мА
	Т=40 ^0С	Т=80^0С

13.3. Тажрибада олинган натижаларни ишлаш.
13.3.1. 2.2. бандда ўлчанган бошқарув характерискаларини 13.1 – ифода ёрдамида аппроксиматсияланг. Аппроксиматсия натижаларини Қурилган И_С=ф(У_ЗИ) графигида акс эттиринг.
13.3.2. Бошқарув характеристикаларидан фойдаланиб, транзистор тиклигини У_СИ=1/3 У_СИ.ЧЕГ ишчи нуқтада аниқланг

С қийматини худди шу нуқта учун 8.2 – формула ёрдамида ҳам аниқланг.
13.3.3. 2.3 – бандда ўлчанган чиқиш характеристикалар оиласида У_{СИ ТЎЙ} =У_ЗИ – У_БЎС оралиққа мос келувчи, чизиқли режим билан тўйиниш режими орасидаги чегарани кўрсатинг.
13.3.4. Чиқиш характеристикалар оиласидан фойдаланиб, қуйидаги ишчи нуқталар учун транзистор чиқиш қаршилигини аниқланг:
- тўйиниш режимида (У_СИ=1/3У_{СИ ЧЕГ}, У_ЗИ=0,25У_ЧЕГ);
- чизиқли режимда У_СИ=0 ва затвор кучланишининг учта қийматида (У_ЗИ=0; 0,25У_БЎС; 0,5У_БЎС).
Ҳисоблашлар натижаларини 13.4 – жадвалга киритинг ва улардан фойдаланиб чизиқли режим учун р_ЧИҚ нинг У_ЗИ га боғлиқлик графигини қуринг.

13.4 – жадвал

УЗИ,В	РЧИҚ, кОм
	УСИ=1/3УСИ.ЧЕГ	УСИ=0
УЗИ=0
УЗИ=0,25УЧЕГ
УЗИ=0,5УЧЕГ

13.3.5. 2.4 – бандда ўлчанган бошқарув характеристикаларида, турли температураларда ўлчанган бошқарув характеристикалари кесишадиган термо барқарор нуқтанинг И_СТ ва У_ЗИТ координаталарини аниқланг

14-ЛАБОРАТОРИЯ ИШИ

Канали индукцияланган МДЯ-транзистор характеристикаларини тадқиқ этиш.
Бу ишни бажаришда сток токи занжиридаги қаршилик қийматининг узатиш характеристикаси кўринишига таъсирини ўрганиб чиқинг. Квази чизиқли юклама сифатида турли майдоний транзисторлар қўлланилганда узатиш характерискалар турлича бўлишига аҳамият беринг.
Мантиқий сигналлар сатҳларини аниқлашда калитнинг узатиш характеристикаси У_ЧИҚ=ф(У_КИР) дан фойдаланилишига эътибор беринг. (14.1- расм)
Мантиқий нол У⁰ ҳамда мантиқий бир У¹ сатҳлар узатиш характеристикаси ва унинг кўзгули акси (пунктир чизиқ) кесишган нуқталардан аниқланади.
ΛУ = У¹ – У⁰ мантиқий сигналларнинг сатҳлар фарқи деб аталади.

14.1-расм
14.1. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:
14.1.1. МДЯ транзисторда ясалган калит узатиш характеристикасига юклама қаршилигининг таъсирини У_ЧИҚ=ф(У_КИР) тадқиқ этиш.
н- турдаги канали индуктсияланган МДЯ транзисторда бажарилган калит схемаси 14.2- расмда келтирилган. Схема э2 = 9В манбадан таъминланади. Кириш кучланиши У_КИР росланувчи э1 кучланиш манбаидан берилади. Чиқиш кучланиши У_ЧИҚ ва истеъмол қилинаётган токни ўлчаш учун рақамли волтметр ва амперметрлардан фойдаланинг. ВТ1 сифатида К176ЛП1 микросхемадаги н-каналли транзисторларнинг бирини олинг. Ишлаш қулай бўлиши учун иловада келтирилган микросхема принтсипиал схемасини чизиб олинг ва электродлари рақамларини белгилаб олинг.

14.2-расм
Тажрибани қуйидаги тартибда олиб бориш тавсия этилади:
- МДЯ транзистор сток занжирига чизиқли резистор Р=51 кОм ни уланг;
- кучланиш манбаи қийматини э2=9 В қилиб ўрнатинг;
- кириш кучланишини 0 дан 9В гача ўзгартириб бориб, У_ЧИҚ=ф(У_КИР) ва И_ИСТ=ф(У_КИР) боғлиқлигини ўлчанг;
- қаршиликнинг Р=10 кОм ва 3,5 кОм қийматлари учун ўлчашларни такрорланг;
- тажриба натижаларидан фойдаланиб У_ЧИҚ=ф(У_КИР) боғлиқлик графикларини қуринг.