1-ma’ruza. Yarim oʻtkazgichli xotira qurilmalari reja

XQ xotirasini oshirish. Zaruriyat tugʻilganda XQ mikrosxemalarni birlashtirish mumkin, bu bilan xotira sigʻimini oshirish mumkin boʻladi. Buning uchun, ular maxsus chiqishga “qobigʻ tanlovi” (QT) ega boʻlishi kerak.

1.3-rasm. Ikki koordinata tanlamali xotira qurilmasining xotira elementi

1.4-rasm. Sigʻimi 256 bit boʻlgan xotira qurilmasi

64 ta toʻrt zaryadli soʻz (256 bit) sigʻimiga ega XQ tuzilish sxemasi 1.4- rasmda keltirilgan. U har biri 16 toʻrt razryadli soʻzlar sigʻimiga ega boʻladi. Mikrosxemalarning barcha sonlarni yoʻzish shinalari ketma-ket ulangan boʻladi. Shunga oʻxshash tarzda, sonlarni oʻqish va manzil shinalari oʻzaro ulangan boʻladi. Har bir XQ yacheykasi mikrosxema raqamiga mos boʻluvchi manzilga ega boʻlib, unda yacheyka, shuningdek uning mikrosxema ichidagi joylashishi koʻrsatilgan boʻladi.
Shuning uchun aniq yacheyka tanlamasini amalga oshirish uchun “qodigʻ tanlovi” shinasiga mikrosxema raqami kodini oʻrnatish kerak, manzilli shinalarda esa mikrosxema raqami kodini, ichidagi yacheyka manzili kodini oʻrnatish kerak boʻladi. Keltirilgan sxemaga asosan, soʻzni yoʻzilishi “Yoʻzish” shinasidagi signal boʻyicha amalga oshiriladi, soʻz oʻqilishi esa “oʻqish” signaldagi signal boʻyicha amalga oshiriladi.



1.5-rasm. Oʻn olti razryadli soʻzni saqlash uchun mikrosxemani birlashnirilishi

1.5-rasmda 16 ta oʻn olti razryadli soʻzlarni (XQ sigʻimi - 256 bit) saqlash maqsadida, oʻsha mikrosxemalarning birikmasi koʻrsatilgan. Bu yerda, hamma mikrosxemalarning manzilli shinalari, shuningdek qoʻbig tanlovi shinalari birlashitirilgan boʻladi. Birinchi mikrosxemaning kod yozilish signalida yozuvchi sonining birinchi toʻrtta razryadi oʻrnatilib, ikkinchi mikrosxemaning oʻxshash shinalariga keying toʻrtta razryad oʻrnatiladi. XQ ishlash jarayonida hamma mikrosxemalarning bogʻlangan “KT” shinalariga ruxsat signali uzatiladi.

XQ mikrosxemalari yigʻindi sigʻimga ega boʻlish va boshqa taqsimot variantlariga ega boʻlish uchun birlashtiriladi.