1-ma’ruza. Yarim oʻtkazgichli xotira qurilmalari reja

Informatsion sigʻim – toʻplanishdagi xotira elementlari miqdori bilan aniqlanadi va saqlanuvchi maʻlumot bit soni bilan baholanadi. Yirikroq sigʻim oʻlchovlar birliklari bayt (8 bitga ega) bilan oʻlchanadi, kilobit (kbit=2¹⁰=1024 bit), kilobayt, megabit (Mbit-2²⁰ bit), megabayt.
XQ tezkorligi – toʻliq sikldagi murojaatlar vaqti, ikkita ketma-ket xotira qurilmasi murojaatlari orasidagi minimal ruxsat etilgan vaqt bilan baholanadi. Ishlash prinsipi va yozilgan maʻlumotni ishlatish boʻyicha XQ, operativ (OXQ) va doimiy (DXQ) larga boʻlinadi.
Xotira elementi. Bir koordanatali XQ bir qismi 1.2-rasmda tasvirlangan. U bir soʻzning ikki razryadini saqlash uchun, ikkita xotira elementlaridan iborat boʻladi.
Bevosita aloqali bipolyar tranzistor asosidagi xotira elementi boʻlib trigger hisoblanadi. Agar VT1 tranzistor ochiq boʻlsa, xotira elementiga 0 yoʻzilgan deb qabul qilamiz va shu bilan birga VT2 yoʻpiq boʻladi. +Ek dan - Ek ga (“yerga”) triggerning ochiq tranzistori orqali tok, emitter zanjiri orqali oʻtishi mumkin. Sxema boʻyicha yuqoridagi emitterlar, razryad shinalarga ulangan boʻladi, pastkilari manzilli shinalarga bogʻlangan va ularga chiqarilgan boʻladilar. Koʻrib chiqilayatgan XE kiradigan yacheykani tanlashda, ushbu manzilli shinasi qoʻzgatiladi – uning potensiali oshadi va pastki emitterlar orqali oʻtuvchi tok zanjiri uziladi.
Saqlash rejimida XE tanlanmaydi, manzilli shina past potensialga, razryadlilari esa – yuqoriroq potensialga ega boʻladi. Shuning uchun, ochiq tranzistor toki pastki emitter orqali manzilli shinalarga va undan “yerga” yoʻnalgan boʻladi.
Yozilish rejimida yacheyka xotira elementlarining tanlamasi amalga oshirilib, berilgan manzil shinasi yuqori potensialga ega boʻladi, va ochiq tranzistorning toki faqatgina razryadli shinaga oqib oʻtishi mumkin. Ushbu XE yoziluvchi ikkilik oʻzgaruvchisining va yoʻzilish ruxsat beruvchi signalning kirishda paydo boʻlishi bilan, bir razryadli shina (masalan, ShR1) yuqori potensialni qabul qiladi, boshqasi (shina Sh R1) invertor hisobiga - quyi (past) potensialga ega boʻladi. Agar bungacha, trigger 0 (VT1 ochiq) holatda boʻlgan boʻlsa, endi 1(VT2 ochiq) holatiga oʻtadi.

1.2-rasm. Bir koordinata tanlamali xotira qurilmasining xotira elementlari

Oʻqilish rejimida, yana xotira elementlari yacheykasi tanlamasi amalga oshiriladi, manzilli shina yuqori potensialni qabul qiladi, razryad shinasi boʻyicha oʻqish kuchaytirgichning kirishlaridan biriga oqib oʻtadi. Uning chiqishida, VT2 ochiq boʻlsa mantiqiy 1 hosil boʻladi va agarda VT2 ochiq boʻladigan boʻlsa, mantiqiy 0 paydo boʻladi.

Bundan oldingiga oʻxshash ikki koordinatali tanlamali (1.3-rasm) XQ uchun, xotira element uch emitterli transistor asosidagi triggerdan iborat boʻladi. Har bir tranzistorning uchinchi emitterlari, ikkinchi manzilli shinaga ulangan va chiqarilgan boʻladi.