10 – маъруза дифференциал кучайтиргич. Носимметрик дк схемаси дк асосий параметрлари

Ўртача кириш токи I_{КИР.ЎРТ} - ҳам ДКнинг аниқлик параметрларидан ҳисобланади. Ўртача кириш токи силжиш токидан анча катта қийматга эга ва турли ДК ларда 1÷7·10³ нА бўлади. Ўртача кириш токи сигнал манбаи қаршилиги R_Г орқали ўтиб, унда кучланиш пасайиши ҳосил қилади. Бу кучланиш ўзини кирувчи синфаз сигналдек тутади. К_U.СФ марта сўндирилган ушбу кучланиш ДК чиқишида ёлғон сигнал сифатида ҳосил бўлади.
ДК кучайтириш коэффициенти коллектор занжиридаги R_К юклама қаршилигига боғлиқ бўлади. Интеграл технологияда R_К қийматининг ортиши билан, кристаллда у эгаллаган юза ортади ва транзисторлар иш режимлари сақланган ҳолда, кучланиш манбаи қиймати ҳам ортади. Шунинг учун ДКларда кучайтириш коэффициентини ошириш учун, R_К резисторлар ўрнига, динамик (актив) юкламадан фойдаланилади. Динамик юклама биполяр ёки майдоний транзисторлар асосида ҳосил қилинади. Юклама сифатида иккинчи БТГ ишлатилган ДК схемаси 7.3 – расмда келтирилган. Иккинчи БТГ p – n – p турли VT3 ва VT4 транзисторлар асосида яратилган. Биринчи БТГ илгаригидек ДК сокинлик режимини белгилайди ва эмиттер қаршилиги сифатида ишлатилади.

7.3 – расм. Динамик юкламали ДК схемаси.

БТГларнинг статик қаршилиги дифференциал қаршилигига нисбатан кўп марта кичик. Бу ҳолда БТГдан сокинлик токи оқиб ўтиши ҳисобига кучланиш пасайиши, унинг статик қаршилиги билан аниқланади. Сигнал берилганда коллектор токларининг ўзгариши ҳисобига чиқиш кучланишининг ўзгариши унинг дифференциал қаршилиги билан боғлиқ бўлади. Шунинг учун (7.3) формулада R_К ўрнига R_ДИФ қўйилиши керак. Бунда кучайтириш коэффициентининг каскадда рухсат этилган максимал қиймати топилади. Ташқи юклама уланганда кучайтириш коэффициентининг абсолют қиймати фақат унинг қаршилиги R_Ю билан аниқланади, яъни (7.3) формулада R_К ўрнига R_Ю қўйилиши керак.
ДКнинг асосий параметрларига дифференциал ва синфаз сигналларни кучайтириш коэффициентидан, синфаз ташкил этувчини сўндириш коэффициентидан ташқари кириш ва чиқиш қаршиликлари ҳам киради.
Симметрик чиқишда юклама қаршилиги R_Ю эътиборга олинмаганда ДКнинг чиқиш қаршилиги
.

Симметрик киришда ДКнинг кириш қаршилиги чап ва ўнг томонлар кириш қаршиликлари йиғиндисига тенг бўлади ва сигнал манбаига нисбатан кетма - кет уланган бўлади. R_Э=0 бўлганда:

.


β = 100, r_Э = 250 Ом ва r_Б = 150 Ом бўлсин, бунда R_КИР = 5,35 кОм бўлади.
β нинг қиймати транзистор сокинлик токига I_Б0 боғлиқ. Шунинг учун кириш қаршилигини ошириш учун ДКни кичик сигнал режимида ишлатиш керак. Каскад кучайтириш коэффициенти ва ДК кириш қаршилигини сезиларли ошириш мақсадида таркибий транзисторлардан фойдаланилади. Кўпроқ Дарлингтон схемаси ишлатилади (7.4 – расм). Бундай ДКнинг ток бўйича кучайтириш коэффициенти
.
Таркибий транзисторнинг кириш қаршилиги


.

бўлади. Ўзгартиришларни киритиб:

.

7.4 – расм. Таркибий транзисторлар асосидаги ДК схемаси.

Демак, таркибий транзисторлар қўлланилганда ДК кириш қаршилиги β марта ортар экан.