10 maʼruza Oddiy va murakkab invertorli ttm reja Sodda invertorli ttm me sxemasi


Аlohida kalitlar (qayta ulagichlar) asosan analog sxemalarda qoʼllaniladi. Mantiqiy sxemalarda har bir qayta ulagich chiqishi bir yoki bir necha boshqa qayta ulagichlar kirishiga ulanadi


Download 424.5 Kb.
bet5/9
Sana18.06.2023
Hajmi424.5 Kb.
#1555278
1   2   3   4   5   6   7   8   9
Bog'liq
2L4kuF72NC06jUinG45XJMpdTPLcax4vSjypM9zQ

Аlohida kalitlar (qayta ulagichlar) asosan analog sxemalarda qoʼllaniladi. Mantiqiy sxemalarda har bir qayta ulagich chiqishi bir yoki bir necha boshqa qayta ulagichlar kirishiga ulanadi.

  • Аlohida kalitlar (qayta ulagichlar) asosan analog sxemalarda qoʼllaniladi. Mantiqiy sxemalarda har bir qayta ulagich chiqishi bir yoki bir necha boshqa qayta ulagichlar kirishiga ulanadi.
  • Qayta ulagichlar ketma –ketligi ishga layoqatligini taʼminlash maqsadida kirish va chiqishlar boʼyicha mantiqiy 0 va mantiqiy 1 sathlar muvofiqlashtirilgan boʼlishi kerak.
  • Аfsuski, mazkur turdagi qayta ulagichlarda sathlar mosligi mavjud emas, chunki U1 va U2 chiqishlardan olinayotgan chiqish kuchlanishi doim U0 dan katta boʼladi. Shu sababli bunday qayta ulagichlarni ketma – ket ulab boʼlmaydi. Buning uchun maxsus muvofiqlashtiruvchi kaskadlar qoʼllaniladi. Ular kuchlanish sathini siljitish qurilmasi deb ataladi. Emitter qaytargichlar bunday qurilmaning sodda sxemasi boʼlib hisoblanadi. Qaytargichda chiqish (emitter) potentsialining sathi tayanch potentsial sathidan U* kattalikka past boʼladi.
  • Tok qayta ulagichini EBM elementga oʼzgartirish uchun uning chap yelkasini parallel ulangan (kirishlari boʼyicha) tranzistorlar bilan almashtirish kerak.

Ikkita kirishli EBM ME sxemasi

Chiqishda emitter qaytargichlarning qoʼllanilishi mantiqiy oʼtishni 0,7V gacha va xalaqitlarga bardoshlikni deyarli 0,3V gacha oshirdi. Bundan tashqari, emitter qaytargichdagi kichik chiqish qarshiligi tufayli sxemaning yuklama qobiliyati ortdi va yuklamadagi sigʼim qayta zaryadlanishi tezlashdi.

  • Chiqishda emitter qaytargichlarning qoʼllanilishi mantiqiy oʼtishni 0,7V gacha va xalaqitlarga bardoshlikni deyarli 0,3V gacha oshirdi. Bundan tashqari, emitter qaytargichdagi kichik chiqish qarshiligi tufayli sxemaning yuklama qobiliyati ortdi va yuklamadagi sigʼim qayta zaryadlanishi tezlashdi.
  • Manbaning manfiy qutbi umumiy deb olingan EBM sxemaning kamchiligi boʼlib chiqish signali mantiqiy sathlarining kuchlanish manbai qiymatiga bogʼliqligi hisoblanadi. Bundan tashqari, chiqish umumiy nuqta bilan qisqa tutashganda emitter qaytargich tranzistori ishdan chiqadi.
  • Kuchlanish manbai YeM ning musbat qutbini umumiy nuqtaga ulab aytib oʼtilgan kamchiliklarni bartaraf etish mumkin.
  • Bunda, sxemaning ish printsipi, albatta oʼzgarishsiz qoladi

Download 424.5 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7   8   9




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling