16 – маъруза интеграл микросхемалар режа

---

16 – маъруза 
 
ИНТЕГРАЛ МИКРОСХЕМАЛАР
 
Режа: ИМСларнинг яратилиш тарихи. 
ИМС нинг тавсифланиши. 
Яримўтказгичли ИМС лар. 
ИМСлар яратишнинг технологик жараёни. 
 
1947 йилнинг 23 декабрида 3та америка физиклари: Уильям Шокли, 
Джон Бардин ва Уолтер Браттейнлар ҳамкасбларига янги яримўтказгичли 
асбоб – кучайтиргич ёки транзисторни намойиш этишди.
У радиолампаларга нисбатан миниатюр, арзон, мустаҳкам, чидамли 
ҳамда кам қувват истеъмол қилар эди.
1956 йилда транзистор ихтирочилари Нобель мукофотига сазовор 
бўлишган. 
Уильям Шокли, Джон Бардин ва Уолтер Браттейн 
Биринчи ИМСлар 1958 йилда яратилди. ИМСларнинг ҳажми
иҳчам, оғирлиги кам, қувват сарфи кичик, ишончлилиги юқори бўлиб,
ҳозирги кунда уч конструктив – технологик вариантларда ишлаб 
чиқарилмоқда: қалин ва юпқа пардали, яримўтказгичли ва гибрид.
2000 йилда Джек Килби , Кремер и Жорес Алферовлар биринчи ИМС 
яратишганлиги учун Нобель мукофотига сазовор бўлишган. 
Интеграл микросхема – юқори зичликда жойлаштирилган элемент ва 
компонентларнинг (транзистор, диод, резисторлар ва ҳ.к.з) конструктив ва 
электрон жиҳатдан уланган микроэлектрон қурилмаси бўлиб, сигналларни 
қайта ишлаш (ўгириш) учун мўлжалланган. 

---

ИМС (
англ.
 chip «юпқа пластинка» маъносини ҳам билдиради. 
Интеграл микросхема (ИМС) ўта ихчам, ўта пишиқ, кичик таннархга 
эга бўлган ва кам қувват истеъмол қиладиган радиоэлемент ясаш йўлидаги 
уринишлар маҳсулидир.
ИМС элементи деб, конструкцияси бўйича кристалл ёки асосдан 
ажралмайдиган, электрорадиоэлемент (ЭРЭ) функциясини бажарувчи 
ИМСнинг қисмига айтилади. 
ИМС компоненти деб, дискрет элемент функциясини бажарувчи, лекин 
монтаждан аввал мустақил маҳсулот бўлган ИМСнинг бўлагига айтилади. 
ИМСлар 22X22X4 ммли тўғри тўртбурчак шаклдаги ёки диаметри 9,4 
мм бўлган цилиндр шаклдаги металл ёки металл шиша қобиқларга 
жойлаштирилади. Қобиқлар яна полимер материаллардан ҳам ясалиши 
мумкин, чиқишлари эса латундан ясалади. 
Қобиқсиз микросхемалар полимер материал бўлган термореактив 
компаунд билан усти қуйиб ҳимояланади. 
ИС лар қуйидаги критериялар (мезонлар) бўйича қуйидаги гуруҳларга 
бўлинади, интеграция даражаси бўйича-кристалда жойлаштирилган 
элементлар сони (кичик-100 тагача элемент, ўрта-100-1000, катта-1000-10000, 
ўта катта-10000 дан ортиқ), қайта ишланаётган сигнал тури бўйича-рақамли, 
аналогли ва аналог-рақамли, ишлаб чиқиш технологияси ва қўлланилган 
материали бўйича-яримўтказгичли, пленкали ва ҳ.к.з. 
Интеграция даражасига кўра: кичик, ўрта, катта, ўта катта, ультра