16 – маъруза интеграл микросхемалар режа

катта ва гига катта ИМСлар; 
Қабул қилинаётган, сақланаётган ва ишлов берилаётган сигнал турига 
кўра: аналог ва рақамли ИМСлар; 
Тайёрланиш конструктив-технологик турига кўра: яримўтказгичли, 
пардали ва гибрид ИМСлар; 
Актив элемент турига кўра: биполяр транзисторли ва МДЯ-
транзисторли ИМСлар; 
Истеъмол қувватига кўра: кам қувватли, ўрта қувватли, катта 
қувватли ИМСлар; 
Ишчи частотасига кўра: паст частота, ўрта частота ва юқори 
частота ИМСлари; 
Элементларни бир-биридан изоляцияланиш усулига кўра ва х.з. 
ИМСлар 6та элементдан иборат бўлган белгиланиш тизими ёрдамида 
классификацияланади: 
Биринчи элемент (К – ҳарфи) – ИМС кенг кўламда қўлланилиш учун 
мўлжалланганлигини билдиради. 
Экспорт учун мўлжалланганлари ЭК ҳарфлари билан бьелгиланади. 

---

Иккинчи элемент (ҳарф) материал ва кобиқ турини билдиради (А- 
пластмассали планар, Е-металл-полимерли, чиқишлари 2қатор қилиб 
ясалган,
И-шишакерамикли планар, Б-қобиқсиз ва х.з.).
Учинчи элемент (битта сон) – ИМСнинг конструктив-технологик турини 
билдиради (1,5,6,7-яримўтказгичли, 2,4,8-гибрид, 3-бошқа: пардали, керамик, 
вакуумли). 
Тўртинчи элемент (иккита ёки учта сон) – ИМС сериясининг тартиб 
рақамини билдиради. Иккита сон бирлаликда-аниқ серия рақамини 
билдиради. 
Бешинчи элемент (иккита ҳарф) – ИМСнинг функционал вазифасини 
билдиради. 
Олтинчи элемент бир турдаги ИМС сериялари ичидаги ишланма тартиб 
рақамини билдиради. 
Яримўтказгичли ИМС тузилмасининг асосий элементи бўлиб кристалл 
хизмат қилади — яримўтказгичнинг қисман (кремнийли) монокристалик 
подложкаси (пластинаси). 
Қуйидаги яримўтказгичли ИС кенг қўлланилади: 
биполяр; 
МДЯ (МОЯ) – металл-диэлектрик (оксид)-яримўтказгич; 
БиМОЯ – биринчи ва иккинчи турларнинг қўшилмаси (бирлашмаси). 
Я/ўтказгичли ИС яратиш технологиясида я/ў (кремний) пластинасини 
навбатма-навбат донор ва акцепторлар киритмалари билан легирлаш 
асосланган, натижажа хар хил ўтказувчанликка эга юпқа қатламлар ва қатлам 
чегараларида p–n ўтишлар ҳосил бўлади. Айрим қатламлар резисторлар 
сифатида, p–n ўтишлар-диодли ва транзисторли тузилмаларда қўлланилади. 

---

Легирлаш локал тарзда махсус тешикли маскалар ёрдамида амалга 
оширилади, улар ёрдамида эса киритма атомлари пластинанинг керакли 
соҳаларига киритилади. Маска ролини одатда SiO2 кремний диоксиди 
бажаради, кремнийли пластинанинг ёпилувчи сирти. Ушбу пленкада хар хил 
услубларда керакли шаклдаги деразалар ҳосил бўлади. 
Биполяр ИС нинг асосий элементи бўлиб n–p–n-транзистор (биполярный 
транзистор) хизмат қилади ва унинг тайёрланишига бутун технологик цикл 
йўналтирилади. 
Бошқа элементлар, имкон қадар қўшимча технологик операцияларсиз 
ушбу транзистордан яратилади. 
МДЯ (МОЯ) ИС асосий элементи бўлиб МДЯ (МОЯ) транзистори 
хизмат қилади. 
Биполяр ИС элементларини улар кристал орқали алоқа қилмасликлари 
учун бир биридан изоляция қилиш керак бўлади. МДЯ (МОЯ) элементлари
бир биридан изоляция қилишни талаб этмайди. Бу унинг биполяр ИС га 
қараганда унинг афзаллиги ҳисобланади. 
Охирги вақтда подложка (таглик) материали сифатида арсенид-галлий 
кенг тарқалди. Ушбу асосдаги яримўтказгичли микросхемаларда актив 
элемент сифатида бошқарилувчи металл-яримўтказгич ўтишли майдоний 
транзисторлар (МЕЯ) хизмат қилади. 
Яримўтказгич ИМСлар тайёрлаш учун асосий материал бўлган -