19. Н. П. Клокова Тензорезисторы. М.: Машиностроение, 1990. 220 с

8. Jiseok Kim Band Structure Calculations of Strained Semiconductors Using Empirical Pseudopotential Theory. // University of Massachusetts Amherst. Submitted to the Graduate School of the University of Massachusetts Amherst in partial fulfillment of the requirements for the degree of doctor of philosophy. February 2011. Electrical and Computer Engineering. – 171 p.
10. П.А. Скворцов Разработка методики расчета и проектирования упругого элемента тензодатчика на структуре “кремний на сапфире”. Дисс. на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.02.06 – Динамика, прочност машин, приборов и аппаратуры. Москва, 2019. – 153 с.
12. И.Н. Баринов Полупроводниковые чувствителные элементы датчиков давлений на основе структуры “Кремний-на-диэлектрике”: дисс. канд. техн. наук. Пенза, 2005. 210 с.
14. Е.М. Белозубов, В.А. Василев, И.Р. Вергазов, Н.В. Громков, С.А. Москалёв Датчики давления с частотным выходным сигналом на основе нано и микроэлектромеханических систем с уменшенным влиянием температуры // НиКа. 2010.
15. В.В. Бычков Высокоточные аналоговые и цифровые измерителные преобразователи давления: дисс. …канд. техн. наук. Томск, 2006. 232 с.
16. В.И. Ваганов Интегралные тензопреобразователи. – М.: Энергоатомиздат, 1983. 132 с.
17. В.С.Волков, И. Н. Баринов, В. Ю.Дарвин Микрооптомеханический преобразовател на основе карбида кремния для высокотемпературных датчиков давления // Международный симпозиум «Надежност и качество»: труды. НиКа. 2012.
18. И.В. Волохов Технологические методики повышения стабилности параметров тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления: дисс. канд. техн. наук. Пенза, 2008. 143 с.
19. Н.П. Клокова Тензорезисторы. – М.: Машиностроение, 1990. 220 с.
20. Т.П. Кривченко Полупроводниковые датчики компании Motorolla / Т.П. Кривченко, И.Н. Чепурин // Электронные компоненты. № 2, 2003. – С.43.
21. Левшина Е.С., Новицкий П.В. Электрические измерения физических величин: (Измерителные преобразователи). Учеб. Пособие для вузов. – Л. Энергоатомиздат. Ленингр.отд-ние, 1983. 320 с.
30. Г. Виглеб Датчики. Устройство и применение. Перевод с немецкого М.А. Хацернова. Москва: «Мир». 1989. – 194 с.
33. Г.Н. Лукянов Сенсоры и датчики физических величин – СПб: Университет ИТМО, 2020. – 57 с.
35. Н.М. Богатов Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур. // Автореферат дисс. на соискание ученой степени доктра физ.мат наук по спец.: 01.04.10- Физика полупроводников и диэлектриков. Воронеж, 1999. – 31 с.
43. А.С. Чернов Исследование и разработка оптоволоконного микро-оптоэлектромеханического Кремниевого фотоволтаического датчика давления. Дисс. на соискание ученой степени кандидата технических наук. Специалност 05.27.01 – Твердотелная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах (технические науки). Новосибирск – 2019. – 160 с.
55. Р. Муминов, Ш. Шоюсупов, Ш. Шоюсупов, Я Чуллиев, Ш. Рахматиллаев Влияние ултрозвуковых воздействий на спектралную характеристику полупроводниковых фотоэлементов. // Научно-технический журнал «Узбекгидроэнергетика» 2021*№1 (9). C. 60.
62. SiC UV Photodiode Selection Guide. Manufacturer: sglux GmbH. Enterprise Co, LTD. http://www.jinzon.com/pdf/UV_photodiode_selection_ guide.pdf
64. V.E. Ankudinov, D.D.Aflyutinova, M.D. Krivilev, G.A.Gordeev Komputernoe modelirovaniye protsessov perenosa I deformatsii v sploshnyx sredax. Uchebnoe posobiye. Ijevsk.: Udmurtsky universitet, 2014. -108 s.
66. J. Ziyaitdinov Mono- va polikristall kremniy asosidagi p-n-strukturalarning fotoelektrik harakteristikalariga xaroratning tasiri. 01.04.07 – Kondensirlangan holat fizikasi ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori diss. avtoreferati. Farg’ona, 2022. -56 s.
67. M. Muydinova diss…. Kremniy va kremniy asosidagi p-n-strukturalarning fotoelektrik xususiyatlarini tadqiq qilish. 01.04.10 – Yarimo`tkazgichlar fizikasi ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori diss. avtoreferati. Toshkent, 2021. -46 s.
68. Р.Алиев, М.Носиров. Физика ўқитишда ахборот технологияларидан фойдаланиш. Тошкент, 2012, (монография). -168 б.
73. Jeffery L. Gray “The physics of the solar cell”, Purdue university, West Lafayette, Indiana, USA, 2011
74. Kim, Jiseok, "Band Structure Calculations of Strained Semiconductors Using Empirical Pseudopotential Theory" (2011). Open Access Dissertations. 342.
81. K. Kůsová et al., “Direct Bandgap Silicon: Tensile-Strained Silicon Nanocrystals,” Advanced Materials Interfaces, vol. 1, no. 2, p. 1300042, Apr. 2014, doi: 10.1002/ADMI.201300042.
97. Т. В. Молодечкина, В. Ф. Алексеев, М. О. Молодечкин Физические основы проектирования радиоэлектронных средств. Учебно-методический комплекс. Новополоцк. ПГУ. 2013. – 224 c.
98. Ж.Г. Ковалевская Структура и свойства поверхностных слоев и покрытий при модифицирующей ултразвуковой обработке. Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. Спациалност: 05.16.09 Материаловедение (машиностроение). Томск – 2018. -334 c.