2. Aripov X. K., Abdullayev A. M., Alimova N. B., Bustanov X. X., Obyedkov ye. V., Toshmatov Sh. T. Elektronika. Darslik. T.: Fan va texnologiya nashriyoti, 2011. 426 b. Qiyinlik darajasi – 1

2. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T. Sxemotexnika. Darslik. T.: Tafakkur bo’stoni, 2013. 447 b.
3. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T. Raqamli mantiqiy qurilmalarni loyihalashtirish. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 396 b.
Qiyinlik darajasi – 3

…………… sxemasi: 1 ta manba, ko`p emitterli transistor, bipolyar transistor, 2 ta resistor, chiqish elektrodi dan tashkil topgan.

sodda invertorli tranzistor – tranzistorli mantiq ME

integral –injektsion mantiq

KMDYA

emitterlari bog’langan mantiq

№ 145.

Manba: 1. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Maxsudov J.T., Tulyaganov A.A., Toshmatov Sh.T. Elektronika va sxemotexnika. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 376 b.
2. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T. Sxemotexnika. Darslik. T.: Tafakkur bo’stoni, 2013. 447 b.
3. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Bustanov X.X., Toshmatov Sh.T. Raqamli mantiqiy qurilmalarni loyihalashtirish. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 396 b.
Qiyinlik darajasi – 3

ME tezkorligini oshirish muammosi Philips va IBM firmalari tomonidan BT asosida ………….. negiz elementi yaratilishiga sabab bo’ldi.

integral –injektsion mantiq

tranzistor – tranzistorli mantiq

emitterlari bog’langan mantiq

murakkab tranzistor – tranzistorli mantiq

№ 146.

Manba: 1. Aripov X.K., Abdullayev A.M., Alimova N.B., Maxsudov J.T., Tulyaganov A.A., Toshmatov Sh.T. Elektronika va sxemotexnika. Darslik. T.: Aloqachi, 2017. 376 b.