2-lekciya ims lar tayarlaw texnologiyasi. Ims aktiv hám passiv elementleri reje

Perdeli ha’m gibridli mikrosxemalar
Perdeli IS – bul dielektrik tiykar betine jag’ig’an elementleri perde ko’rinisinde orinlang’an mikrosxema. Perdeler to’men basimda tu’rli materiallardan juqa perdeler ko’rinisinde sho’kpeler hasil qiliw joli menen alinadi.
Perde hasil qiliw usili ha’m og’an baylanisli bolg’an qalin’lig’Ina ko’re juqa perdeli IS (perde qalin’lig’i 1 – 2 mkm g’e shekemgi) ha’m ва qalin’ perdeli IS (perde qalin’lig’i 10 – 20 mkm g’e shekemgi ha’m ulken) lerge bo’linedi.
Ha’zirgi ku’nde turaqli perdeli diodlar ha’m tranzistorlar aytarliqtay joq, usi sebepli perdeli ISlar tek passiv elementleri rezistorlar, kondensatorlar ha’m t. b.) dan payda etilgen.
Gibridli IS (yaki GIS) – bul perdeli passiv elementler menen diskret aktiv elementler kombinaciyasinan payda etilgen, jalg’iz dielektrik tiykarinda jaylasqan mikrosxema. Diskret konponentlerdi ildirmeli elementler dep ataydi. Korpussiz yaki mikrominiatyur metal korpusli mikrosxemalar gibridli. IMS ler ushin aktiv elementler bolip esaplanadi.
Gibridli integral mikrosxemalardin’ tiykarg’I abzallig’I: salistirmali qisqa islep shig’iw waqtinda analog ha’m sanli mikrosxemalardin’ ken’ tu’rlerin jaratiw mu’mkinshiligi; ken’ nomenklaturag’a iye bolg’an passiv elementler hasil qiliw mu’mkinshiligi; MDYa – a’spablar, diodli ha’m tranzistorli matricalar ha’m joqari jaramli mikrosxemalardin’ shig’iwi sanaladi.


Yarim o’tkizgishli IMS ler
Tranzistordin’ paydalaniw tu’rine ko’re yarim o’tkizgishli IMS lerdi bipolyar ha’m MDYA IMS lerge ajiratiw qabil qiling’an. Bunnan tisqari, keyingi waqitlarda basqariliwshi o’tiwli maydanli tranzistorlar jasalg’an IMS lerden paydalaniw u’lken a’hmiyetke iye. Bul klassqa galliy arsenidinde jasalg’an IMS ler, zatvorli Shottki diode ko’rinisinde orinlang’an maydanli tranzistorlar kiredi. Ha’zirgi ku’nde bir waqittin’ o’zinde de bipolyar, ha’m maydanli tranzistorlar qollanilg’an IMS ler jaratiw tendenciyasi belgilenbekte.
Eki klassqa tiyisli yarim o’tkizgishli IMS ler texnologiyasi yarim o’tkizgish kristallin izbe-iz donor ha’m acceptor aralaspalari menen legirlew (kiritiw)ge tiykarlang’an. Na’tiyjede bet astinda tu’rli o’tkiziwshen’likke iye bolg’an juqa qatlamlar, yag’niy n–p–n yaki p–n–p strukturali tranzistorlar hasil boladi. Bir tranzistordin’ o’lshemleri eni bir neshe mikrometrlerdi quraydi. Oz aldina bo’lek elementlerdin’ izolyaciyasi yaki р-n o’tiw ja’rdeminde, yaki dielektrik perde ja’rdeminde a’melge asiriliwi mu’mkin. Tranzistorli struktura tek tranzistorlardi emes, balki basqa elementler (diodlar, rezistorlar, kondensatorlar) jasawda qollaniladi.
Mikroelektronikada bipolyar tranzistorlardan tisqari ko’p emmiterli ha’m ko’p kollektorli tranzistorlar da qollaniladi.
Ko’p emmiterli tranzistorlar (KET) uliwma baza qatlami menen birlestirilgen bir kollektor ha’m bir neshe (8-10 g’a shekem ha’m onnanda ko’p) emmiterden quralg’an. Olar tranzistor – tranzistorli logika (TTL) sxemalarin jaratiwda qollaniladi.
Ko’p kollektorli tranzistordin’ strukturasida, KET strukturasina uqsas boladi, biraq integral – injekcion logika (I²L) dep ataliwshi injekcion derekli logikaliq sxemalar jasawda qollaniladi.