2N4265 транзисторининг параметрларини тахлил қилиш

• 
  2N4265 транзисторининг параметрларини тахлил қилиш
  

1.1. UE sxemasi asosida 2N4265 tranzistorining kirish va chiqish statik xarakteristikalarining grafigini tuzish.

UE sxemasiga asosida 2N2369A tranzistorining kirish xarakteristikalari ya’ni Uke = 0 V va Uke = 10 V bo‘lganida Ib = f(Ube) bog‘liqlik oilasi grafigini tuzish.

• 
  Tranzistorning kirish xaraktrestikalarini aniqlash sxemasi.
  

• 
  2N4265 tranzistorning UE sxemasiga mos ravishda Uke = 0 V va Uke= 10 V bo‘lganda Ib = f(Ube) kirish xarakteristikalari.
  

^UКЭ^=0В			^UКЭ^=10В
^IБ^,^мкА	^UБЭ^,^мВ	^IБ^,^мкА		^UБЭ^,^мВ
25	500	25		698
50	610	50		721
75	620	75		736
100	625	100		750
125	635	125		755
150	653	150		765
175	643	175		770
200	650	200		780
250	660	250		787
300	663	300		800
350	666	350		810

• 
  Berilgan qiymatlar asosida Ib = f(Ube) kirish xarakteristikalari.
  

• 
  Yuqorida aniqlangan 2N4265 tranzistori Ib=f(Ube) qiymatlardan foydalanib h parametrlarini aniqlaymiz
  

• 
  A nuqtaning koordinatalri: Ibp=50 mkA, Ubep=721 mV.
  

• 
  Ib1=25kmA , Ib2=75mkA , Ubel=698mV,Ubel=736Mv
  
• 
  H11e=(736-698)mV/50mkA=760om
  
• 
  Uke=Uke2-Uke1=22V-0V=22V
  
• 
  Ube=Ube4-Ube3=721mV-610mV=111mV
  
• 
  H12e=111mV/22V=5.04*10^(-3)
  

Ib=Ib3-Ib1=50mkA
Ik=Ik2-Ik1=-20mA+7.5mA=-12.5mA
H21e=-12.5mA/50mkA=-250
Uke=Uke2-Uke1=2.5V-1.5V=1V
Ik=Ik4-Ik3=-14mA+13.7mA=-0.3mA
H22=-0.3mA/1V=-0.3*10^(-3)
Demak:
2N4265 tranzistorning kirish va chqish qarshiligi:
R(kirish)=1/(-0.3*10^(-3))=-3.3kOm
R(chqish)=-250Om

2N4265 tranzistorning tok kuchi bo’yicha uzatish koeffitsienti β ni aniqlaymiz:

• 
  Β=h21e=-250
  
• 
  Xulosa
  
• 
  Mustaqil ishni bajarish davomida 2N4265 tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalarini o'lchadim,grafikdan tranzistorning parametrlarinin hisoblashni o'rgandim.h parametrlar nima ekanligini o'zimda ko'nikma ortirdim