3-маъруза микросхемалар. Уларнинг принципиал, тузилиш ва функционал схемалари
Download 254.82 Kb. Pdf ko'rish
|
3-маруза
|
п турдаги транзистор ясалганда асос кристалл ва транзисторнинг
коллектор ва база сохалари орасида р — п — р турдаги зарарли транзистор хосил бўлади. Зарарли элементларнинг таъсирини хисобга олиш учун транзисторнинг турли хил эквивалент схемаларидан фойдаланилади. Микроэлектрониканинг ривожланиши дискрет ярим ўтказгичлар техникасида 27 мавжуд булмаган янгича биполяр транзисторни ясаш имкониятини берди. Кўп эмиттерли ёки кўп коллекторли транзисторлар шулар жумласидандир. 3.31- расмда кўп эмиттерли транзисторнинг таркибий схемаси ва схемада белгиланиши курсатилган. Уни умумий база ва коллекторга эга булган бирнеча п—р—п транзисторнинг тўплами деб караш мумкин. Бунда хар бир қўшни эмиттер жуфти база қатлами билан биргаликда зарарли п — р — п — турдаги транзисторни хосил қилади. Агар эмиттерлардан бирига туғри, иккинчисига тескари кучланиш уланса, туғри кучланиш уланган эмиттердан база қатламига электронлар киритила бошлайди, тескари уланишли эмиттер эса, улардан база қатламида рекомбинацияланиб улгурмаганларини қабул килади. Натижада ёпик туриши зарур булган катламдан ток ўта бошлайди. Бу зарарли эффект хисобланади. Бундан қутулиш учун эмиттерлар орасидаги масофа катта (10—45 мкм) килиб олинади, чунки база катламига ўтган электронлар каваклар билан тўла рекомбинацияланиб улгуриши керак. Кўп коллекторли транзисторларнинг таркибий қисми кўп эмиттерли транзисторларникига ўхшаш бўлади. Лекин ишлаш режими фарк, қилади. Униполяр транзисторлар хам биполяр транзисторларни ясаш технологияси асосида яратилади. Лекин уларни ясаш осонроқ, чунки элементларни химоя килиш талаб килинмайди ва тўпламдаги қўшни транзисторларнинг исток ва стоклари қарама-қарши йўналишда уланган р — п ўтишлар билан бир-биридан ажратилгап булади. Натижада транзисторларни ўзаро жуда якнн масофада жойлаштириб, схема элементлари зичлигини ошнриш имкони туғилади. Униполяр транзисторлардан энг кўп тарқалгани МОП турдаги трапзисторлардир. Бунга сабаб уларнннг кириш каршилиги катта ва тузилишининг соддалнгидир. Айрим ИМСда п ёки р — турдаги каналга эга МОП транзисторлар жуфти кенг ишлатилади. Бундан жуфт транзисторлар комплементар транзистор деб аталади ва электрон калит васифасида ишлатилади. ИМСларнинг турларини аниқлаш ГОСТ 18682—73 тасдиқлаган шартли белгилар асосида олиб борилади. У микросхеманинг кандай шакл ва технологик асосда ишлаб чикарилганини, кандай максад учун ишлатиш мумкинлигини хисобга олади. Куп микросхемалар манба кучланишининг катталиги, кириш ва чикиш қаршилиги, сигнал сатхи каби катталикларни хисобга олган холда тўпламлар — серияларга бирлаштирилади. Бир серияга кирадиган микросхемалар шундай танланадики, улардан бир бутун радиоэлектрон қурилмани ясаш мумкин булсин. Ясалиш шакли ва технологиясига қараб ИМС лар 3 та гурухга булинади ва рақамлар орқали ифодаланади: а) 1, 5, 6, 7—ярим ўтказгичли микросхема; б) 2, 4, 8—дурагай микросхема; в) 3—пардасимон, вакуумли, керамикали (сопол)микросхема. Микросхема белгисида унинг серияси рақамлар билан ифодаланадиган икки элементдан ташкил топади. Унда биринчи рақам микросхемани ясашдаги шакл ва технологиясини ифодаласа, иккинчиси — икки хонали (эскича) ёки уч хонали (янгича) рақам — сериянинг тартиб номерини кўрсатади. Масалан, 1801 серия 801 тартиб номерли ярим ўтказгичли" ИМС деб ўкилади. 252 серия—52—номерли дурагай микросхемадир. Кандай максадга хизмат килишига караб ИМС лар яна гурух бўлимлари (подгруппа) ва куринишга ажратилади. (Масалан, генераторлар, кучайтиргичлар, мантиқий элементлар ва бошкалар). У микросхема белгисида сериядан кейинёзиладиган икки харф билан ифодаланади. Микросхема белгисида серия белгисидан олдин К, КМ, КН, КР ва КА харфлар ёзилган булади. Улар микросхемани ишлаб чиқарган заводдан Download 254.82 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|