3-Mavzu. Quyosh elementlari materiallari va konstruksiyalari

2.2.1. Shotki to’siqli fotoelement tuzilishi

maydon hisobiga etib boradilar, yani zaryad toshuvchilar dreyfi hisobiga. Kristall yarimo’tkazgich asosidagi QE da zaryad toshuvchilar katta diffusion uzunlik (100-200 mkm)ga ega bo’lganliklari uchun elektr maydonsiz ham elektrodlarga etib bora oladilar.

2.2.2. p-i-n struktura energetik zonalar diagramma(a)si va elektr maydoni hisoblangan taqsimoti(б)
Agar p-i-n –strukturani tayorlashda birinchi p – qatlamni hosil qilsak (2.2.3-rasm). Uni hosil qilish uchun uncha katta bo’lmagan miqdorda (<10¹⁸ sm³) kerak bo’ladi, demak legirlanmagan qatlamning sezilarli kirlanishi yuz bermaydi. Agar birinchi bo’lib n – qatlam yasalsa, unda qoldiq fosfor mavjudligi i – qatlam xossa-sini o’zgartirib yuboradi. Shafof o’tkazuvchi elektrod yuzasida p – qatlamning ho-sil qilinishi u bilan yaxshi elektrik kontakt bo’lishi ta’minlanadi. Lekin yorug’lik-ning asosiy qismi i – soha yutishi uchun p – qatlamning qalinligi kichik (10 nm) bo’lishi kerak.
a-Si:H asosida zanglamaydigan po’lat taglikli p-i-n –strukturali boshqa QE dan foydalaniladi. Yorug’lik n –soha bilan kontakda bo’lgan shafof elektrod tomo-nidan tushmoqda. Natijada metall taglikning qaytarash qobiliyati hisobiga va bor bilan legirlangan p-qatlamga nisbatan fosfor bilan legirlangan a-Si:H plyonkada (n – soha) yorug’likning kam optik yutilishi tufayli qisqa tutashuv tok zichligi oshadi.

2.2.3. Shisha (a) va po’lat (б) taglikli p-i-n - strukturasi
Ko’rib o’tilgan p-i-n –elementlarni tadbiq qilishdagi problema ularni faqat-gina bir o’lchamda mukkamallashtirish mumkinligi. Bu masalada ko’ndalang o’tishli QE katta imkoniyatlarga ega. Izolyasiyalovchi taglik yusasiga perpen-dikulyar qilib a-Si:H ning p-i-n –strukturasi hosil qilinadi (2.2.4 – rasm). Bunday QE ti kontak sifatida shafof o’tkazuvchi oksid va shafof oyna qatlami hosil qilishni talab qilinmaydi, uni mikroelektronikaning standart texnologiyasi asosida yasash mumkin.

2.2.4. Ko’ndalang o’tishli quyosh batariyasi