4- лаборатоия иши майдоний транзисторда ясалган кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш

4- ЛАБОРАТОИЯ ИШИ


Майдоний транзисторда ясалган кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш


Ишдан мақсад: Майдоний транзистордан ясалган кучайтиргич босқичини тадқиқ қилиш ва динамик характеристикалари ва дифференциал параметрларини ўлчаш.

БТда ясалган УБ кучайтиргич схемаси

Схеманинг NI-Multisim дастурий муҳитида йиғилган ҳолати
Берилган параметрлар: NI Multisim дастурий муҳитида майдоний транзистор-2N4416

Талаба Т/р	2
A	0.5
	3
	15

Вариант №2.
Берилган параметр бўйича дастлабки ҳисоблашлар:
UСИ кучланишини ҳисоблаш: 𝑈СИ ≈ 0,5Еп = 0,5 ∗ 15 = 7.5 V
RС ни ҳисоблаш:
UЗИ ни ҳисоблаш: 𝑈ЗИ(𝜔𝑡) = −(𝐸1 − 𝑨 sin(𝜔𝑡));
𝑈ЗИ(𝜔𝑡)1 = −(1,35 − 0,8 sin(0 )) = −1,35;
𝑈ЗИ(𝜔𝑡)2 = −(1,35− 0,8 sin(30 )) = −0,95;
𝑈ЗИ(𝜔𝑡)3 = −(1,35− 0,8 sin(60 )) = −0,65;
𝑈ЗИ(𝜔𝑡)4 = −(1,35− 0,8 sin(90 )) = −0,55;
𝑈ЗИ(𝜔𝑡)5 = −(1,35− 0,8 sin(120 )) = −0,65;
𝑈ЗИ(𝜔𝑡)6 = −(1,35− 0,8 sin(150 )) = −0,95;
𝑈ЗИ(𝜔𝑡)7 = −(1,35− 0,8 sin(180 )) = −1,35;
𝑈ЗИ(𝜔𝑡)8 = −(1,35− 0,8 sin(210 )) = −1,75;
𝑈ЗИ(𝜔𝑡)9 = −(1,35− 0,8 sin(240 )) = −2,04;
𝑈ЗИ(𝜔𝑡)10 = −(1,35− 0,8 sin(270 )) = −2,15;
𝑈ЗИ(𝜔𝑡)11 = −(1,35− 0,8 sin(300 )) = −2,04;
𝑈ЗИ(𝜔𝑡)12 = −(1,35− 0,8 sin(330 )) = −1,75;
𝑈ЗИ(𝜔𝑡)13 = −(1,35 − 0,8 sin(360 ))=-1,35.

	0	30	60	90	120	150	180	210	240	270	300	330	360
	-1.35	-0.95	-0.65	-0.55	-0.65	-0.95	-1.35	-1.75	-2.04	-2.15	-2.04	-1.75	-1.35
	3	4.478	5.305	5.369	5.305	4.478	3	1.791	1.096	0.875	1.096	1.791	3
	7.498	3.805	1.737	1.578	1.737	3.805	7.498	10.51	12.25	12.80	12.25	10.51	7.498

Ўлчаш натижалари:

Олинган натижаларга ишлов бериш
Олинган жадвал асосида қуйдаги коэффициентлари қийматларини ҳисоблаб топилади:
Характеристика тиклиги: UСИ = const бўлгандаги ;

Ички (дифференциал) қаршилик:
UЗИ = const бўлгандаги

Кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти:
бўлганда, ёки .


Олинган натижалар асосида графиклар:

𝑼ЗИ = 𝒇(𝝎𝒕);

𝑰С = 𝒇(𝝎𝒕);


𝑼СИ = 𝒇(𝝎𝒕);

𝑰С = 𝒇(𝑼ЗИ);


𝑰С = 𝒇(𝑼СИ);

𝑼СИ = 𝒇(𝑼ЗИ);
Хулоса:
Мен ушбу лабаратория ишида майдоний транзисторда ясалган кучайтиргич схемаси параметри ва характеристикалари билан танишдим ва Мултисим дастури ёрдамида характеристикаларини олиб улар асосида тегишли хулосалар олдим. Майдоний транзисторда ясалган кучайтиргични тадбик этишда биз p-n билан бошкарилувчи Майдоний транзистордан фоидаландик яьни n типли. Олинган натижалар асосида графиклар хосил килдик, кириш токининг кучланишга чикиш токига богликлигини карайдиган болсак, кириш кучланиши канча паст болса чикиш кучланиши шунча паст болди. Бундан куриниб турибдики паст кучланиш оркали ишлаш эхтимоли яратилади буни ракамли курилмаларда фоидаланашимиз мумкин.