4-laboratoriya ishi maydonli tranzistorning ishlashini o’rganish Tajriba maqsadi

Urv
USI
9.8 V	0.24 V

ifodadan quyidagini olamiz





b) zatvor kuchlanishining ta’sirini o’rganish


Eslatma: barcha ossilogrammalarda kirish signali yuqorida va chiqish signali pastda keltirilgan.


U_ZI= -10 V

Y I: 2 V/bo’linma . DC
YII 2 V/bo’linma DC
Gorizontal yoyish 0.2 millisekund/ bo’linma
Zatvor kuchlanishi U_ZI=-10V bo’lganda (R_IS >> Rv) o’zgaruvchan signal shakli buzilmagan.
U_ZI = -2.8 V U_ZI = -1.5 V

Y I: 2 V/ bo’linma DC

YII 2 V/ bo’linma DC
Vaqt yoyilmasi 0.2 ms/bo’linma
■ Agar zatvor kuchlanishi -3 V< U_ZI <-1.4 V oraliqda bo’lsa, manfiy yarim davr qirqqiladi(so’ndiriladi).Musbat yarim davr esa buzilmasdan o’tadi.


U_ZI = -2.8 V

Y I: 2 V/ bo’linma DC
YII 2 V/ bo’linma DC
Vaqt yoyilmasi 0.2 ms/bo’linma
Zatvor kuchlanishi U_ZI<-1.4 V bo’lganida signalning musbat yarim davri ham so’nadi
U_ZI = 0 V


Y I: 2 V/ bo’linma DC
YII 50 mV/ bo’linma DC
Vaqt yoyish 0.2 ms/ bo’linma

• 
  Zatvor kuchlanishi U_ZI=0 V bo’lganida (R_ZI<V), o’zgaruvchan signal yana buzilmasdan o’tadi ammo kuchli so’ngan va siljigan:
  

Susaytirish koeffitsiyentini hisoblash

• 
  Kirish signali U_E,SS =4 V bo’lib U_A,SS=88 mV, gacha susaygan bo’lsa unda:
  

ya’ni kirish signali 97.8 % susaytirilib 2.2% qoldi. Bu o’z navbatida normal ochiq holdagi o’tish qarshiligining R_V qarshilik nisbatiga mos keladi.

1. 
   Ifodadan so’nish koeffitsiyentining quyidagi qiymatiga ega bo’lamiz: