7- маъруза Дифференциал кучайтиргич

Носимметрик кириш ва чиқишли ДК схемаси

• Интеграл технологияда RК қийматининг ортиши билан, транзисторлар иш режимлари сақланган ҳолда, кучланиш манбаи қиймати ҳам ортади.
• Шунинг учун ДКларда кучайтириш коэффициентини ошириш учун, RК резисторлар ўрнига, динамик (актив) юкламадан фойдаланилади.
• Динамик юклама (RК) биполяр ёки майдоний транзисторлар асосида ҳосил қилинади.
• Юклама сифатида иккинчи БТГ ишлатилган ДК схемаси кейинги слайдда келтирилган.

Носимметрик кириш ва чиқишли ДК схемаси

• Иккинчи БТГ p – n – p турли VT3 ва VT4 транзисторлар асосида қурилган.
• Биринчи БТГ илгаригидек ДК сокинлик режимини белгилайди ва эмиттер қаршилиги сифатида ишлатилади.

Носимметрик кириш ва чиқишли ДК схемаси

• β нинг қиймати транзистор сокинлик токи IБ0 га боғлиқ бўлганлиги сабабли кириш қаршилигини ошириш учун ДКни кичик сигнал режимида ишлатиш керак.
• Каскад кучайтириш коэффициенти ва ДК кириш қаршилигини сезиларли ошириш мақсадида таркибий транзисторлардан фойдаланилади.
• Кўпроқ Дарлингтон схемаси ишлатилади.
• Таркибий транзисторлар қўлланилганда ДК кириш қаршилиги β марта ортади.

Таркибий транзисторлар асосидаги ДК схемаси

• Эътиборингиз учун рахмат!