9-ma’ruza Yarim o’tkazgich materillarning asosiy xossalari. Yarim o’tkazgichning elektr o’tkazuvchanligi. Yarim o’tkazgich materiallar tarkibidagi qo’shimchalar reja

Agar qo’shimchaning energetik sathi zonadan pastroq zonaga o’tishi natijasida “teshik” yoki “kovak” qoldiradi. Elektron bir sathdan ikkinchi sathga ko’chishida uning o’rnida qolgan teshik ham siljiydi. Teshikning siljish yo’nalishi maydon vektori (E) yo’nalishiga yoki musbat zaryad yo’nalishiga mos tushadi. Bu turdagi yarim o’tkazgichlar teshikli (P-turli) yarim o’tkazgichlar deyilib, ularning qo’shimchalari “atseptor”lar deyiladi. Elektr o’tkazuvchanlik tajribada osongina aniqlanib, bunda turli yarim o’tkazgichning bir tomoni qizdirilsa, u yerda ozod elektronlar soni keskin ko’payib, bu qism manfiy zaryadga ega bo’ladi. Agar p-turli o’tkazgichning ham bir tomoni qizdirilsa, u yerda teshiklar keskin ko’payib, kristallning bu qismi musbat zaryadga ega bo’lib qoladi.

• 
  Agar qo’shimchaning energetik sathi zonadan pastroq zonaga o’tishi natijasida “teshik” yoki “kovak” qoldiradi. Elektron bir sathdan ikkinchi sathga ko’chishida uning o’rnida qolgan teshik ham siljiydi. Teshikning siljish yo’nalishi maydon vektori (E) yo’nalishiga yoki musbat zaryad yo’nalishiga mos tushadi. Bu turdagi yarim o’tkazgichlar teshikli (P-turli) yarim o’tkazgichlar deyilib, ularning qo’shimchalari “atseptor”lar deyiladi. Elektr o’tkazuvchanlik tajribada osongina aniqlanib, bunda turli yarim o’tkazgichning bir tomoni qizdirilsa, u yerda ozod elektronlar soni keskin ko’payib, bu qism manfiy zaryadga ega bo’ladi. Agar p-turli o’tkazgichning ham bir tomoni qizdirilsa, u yerda teshiklar keskin ko’payib, kristallning bu qismi musbat zaryadga ega bo’lib qoladi.
  

Yarim o’tkazgichlarning “n” turdagi asosiy zaryad eltuvchilari elektronlar, “p” turlisida esa teshiklar hisoblanadi. “p-n” o’tishda yarim o’tkazgich (germaniy, kremniy va hokazo) yuzasidan qo’shimcha (indiy, fosfor)larni eritish orqali hosil qilinadi. Bunda monokristall yupqa taxtacha shaklida kesib tekislanadi, saqlaniladi, tozalanadi va grafitli kassetaga o’rnatilib, pechda ma’lum vaqt issiqlik ta’sir ettiriladi. Bu usul elektronli yarim o’tkazgichda esa donor qo’shimchasini eritishga asoslangan. “p-n” o’tishi elektr-kimyoviy, kristall olish (o’stirish mobaynida) va boshqa usullarda ham hosil qilinadi. Agar yarim o’tkazgich kristallida p-n-p yoki (n-p-n) o’tishlar hosil qilinib, bu qismlar (emitter–1, kollektor–2, elektrod-3)ga simlar ulansa, tok kuchaytiruvchi asbob-tranzistor vujudga keladi.

• 
  Yarim o’tkazgichlarning “n” turdagi asosiy zaryad eltuvchilari elektronlar, “p” turlisida esa teshiklar hisoblanadi. “p-n” o’tishda yarim o’tkazgich (germaniy, kremniy va hokazo) yuzasidan qo’shimcha (indiy, fosfor)larni eritish orqali hosil qilinadi. Bunda monokristall yupqa taxtacha shaklida kesib tekislanadi, saqlaniladi, tozalanadi va grafitli kassetaga o’rnatilib, pechda ma’lum vaqt issiqlik ta’sir ettiriladi. Bu usul elektronli yarim o’tkazgichda esa donor qo’shimchasini eritishga asoslangan. “p-n” o’tishi elektr-kimyoviy, kristall olish (o’stirish mobaynida) va boshqa usullarda ham hosil qilinadi. Agar yarim o’tkazgich kristallida p-n-p yoki (n-p-n) o’tishlar hosil qilinib, bu qismlar (emitter–1, kollektor–2, elektrod-3)ga simlar ulansa, tok kuchaytiruvchi asbob-tranzistor vujudga keladi.