Qidiruv: Транзистор
Таркибий транзисторлар асосидаги ДК схемаси-
Схема двухтактного выходного каскада усилителя с составным транзистором в комплементарной паре
- Выходные каскады
Транзисторли сигналлар аралаштиргичлари схемалари
- 12-маъруза. Частота ўзгартиргичлари
Бир турдаги МДЯ-транзисторли электрон калит
- Мавзу: Мантиқий интеграл схемаларнинг негиз элементлари Транзистор-транзиторли мантиқ
Эксперимент 5 - Получение входной характеристики транзистора в схеме с общей базой
- Лабораторная работа №2 исследование стабилитрона цель: Исследование характеристики и параметров стабилитрона
 | 14-лаборатория иши канали индукцияланган мдя-транзистор характеристикаларини тадқиқ этиш 34.66 Kb.  1 | o'qib |
 | Мавзу: Мантиқий интеграл схемаларнинг негиз элементлари Транзистор-транзиторли мантиқ 0.6 Mb. 5 | o'qib |
| Умумий исток уланиш схемасидаги майдоний транзистор статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш 167.23 Kb. 1 | o'qib |
| InAlN/Gan hemt-транзистор гигагерцового диапазона Deg. Как правило, в качестве легированного барьерного слоя используется твердый раствор, а роль Сборник 1.48 Mb. 3 | o'qib |
| Транзисторные усилители Транзистор Ku – коэффициент усиления по напряжению; Rвх – входное сопротивление; Rвых – выходное сопротивление 68.97 Kb. 2 | o'qib |
| 5- лаборатоия иши бўйича ҳисобот бтда ясалган барқарор ток генераторини тадқиқ этиш Ni multisim датурий муҳитида фойдаланилиш тавсия этиладиган транзистор: bc547A 128.91 Kb. 3 | o'qib |
| Самостоятельная работа по предмету: Физические основы компьютера на тему: Транзистор Принял Npt igbt транзисторы Microsemi с рабочим напряжением 650 в для промышленных применений Самостоятельная работа 205.6 Kb. 9 | o'qib |
| 1. Описание объекта проектирования Igbt транзистором и сам igbt транзистор делают возможным регулирование скорости дпт путём широтно – импульсной модуляции (шим) Решение 390.88 Kb. 6 | o'qib |
| 13 – маъруза мдя транзисторида ясалган мантиқий элементлар SiO2 мдя – транзистор яратилди, кейинчалик эса унинг асосида гуруҳ усулида ишлаб чиқариш йўлга қўйилди 34.36 Kb. 2 | o'qib |
 | 19 Маъруза мдя транзисторларида ясалган мантиқий элементлар SiO2 мдя транзистор яратилди, кейинчалик эса унинг асосида гуруҳ усулида ишлаб чиқариш йўлга қўйилди 10.46 Kb. 1 | o'qib |
| Тошкент ахборот технологиялари университети урганч филиали компютер инжиниринги факултети SiO2 мдя – транзистор яратилди, кейинчалик эса унинг асосида гуруҳ усулида ишлаб чиқариш йўлга қўйилди 60.56 Kb. 2 | o'qib |
| 9-маъруза: Узлуксиз ростловчи компенсацион стабилизаторлар Vt1 ростловчи транзистор, Ry, vт2 ўзгармас ток кучайтиргичи, rг1, vd1 таянч кучланиши манбаи ва R1, rп, R2 резистив кучланиш бўлгичилардан ташкил топган 133.33 Kb. 2 | o'qib |
| Биполяр транзисторлар (БТ) Режа Uэб, Uкб ёрдамида эмиттер ўтиш тўғри йўналишда, коллектор ўтиш эса тескари йўналишда силжийди. Бу ҳолда, транзистор 0.58 Mb. 1 | o'qib |
| Гурух талабаси Дурдиев Бахром. Мдя транзисторлар асосидаги баъзавий мантиқий элементлар SiO2 мдя – транзистор яратилди, кейинчалик эса унинг асосида гуруҳ усулида ишлаб чиқариш йўлга қўйилди 31.45 Kb. 2 | o'qib |
 | 2. Эмиттерлари боғланган мантиқ. Мдя транзисторида ясалган мантиқий элементлар Комплементар инверторлар Vt1 транзистор эмиттери ҳисобланган инжектор (И), кучланиш манбаи билан r резистор орқали уланади ва унинг қаршилиги талаб этилган токни таъминлайди 28.09 Kb. 6 | o'qib |