Qidiruv: Транзистор

Схема последовательного стабилизатора на биполярном транзисторе
- Стабилизатор напряжения на основе стабилитрона. Как работает стабилитрон. Обозначение стабилитрона на схеме
Почему транзисторная структура служит основой для изготовления
- Ознакомится с технологией и классификацией подготовки имс
Шиклаи таркибий транзистори
-
Биполяр транзисторда бажарилган электрон калит (инвертор) схемаси
- Мантиқий элемент
BC547A транзисторининг параметрларини ҳисоблаш
- Мустақил иш Мавзу: «умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторли кучайтиргич каскадини ҳисоблаш»
Устройство и принцип действия биполярного транзистора
- Электронные компоненты
Канали қурилган МДЯ – транзисторлар тузилмаси ва уларнинг схемада шартли белгиланиши
- Mustaqil ishi Мавзу: Умумий исток уланиш схемасидаги канали индукцияланган мдя
Биполяр транзисторли электрон калит
- Фаргона политехника институти
Фототранзисторы
- Учебное пособие для студентов, обучающихся по направлениям 654300 и 551100
Транзистор способен усиливать по мощности подводимые к нему сигналыТранзистор способен усиливать по мощности подводимые к нему сигналы
Im1 и выходное напряжение Um2, а зависимыми переменными входное напряжение Um1 и выходной ток Im2 можно составить систему уравнений (1), задействуя h-параметры
101.38 Kb. 5
o'qib
Биполяр транзистор (БТ). Таърифи стуктураси ва ишлаш принципиБиполяр транзистор (БТ). Таърифи стуктураси ва ишлаш принципи
Эмиттерли ўтиш тўғри йўналишда силжийди, а коллетрли эса тескари (аксинча). Айтишларича бу ҳолатда транзисторнинг кучайтирувчи хусусияти номоён бўлганда, у актив ёки нормал режимда фаолият кўрсатади
42.5 Kb. 1
o'qib
Лабораторная Работа №5 На тему: исследование однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе транзистор формата npnЛабораторная Работа №5 На тему: исследование однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе транзистор формата npn
Npn типа 2N5657, переменный резистор с электрическим сопротивлением 10 кОм, источник постоянного тока напряжением 12 Вольт и рисуем схему
Лабораторная работа 276.64 Kb. 1
o'qib
2-лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш2-лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш
Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В
116.65 Kb. 1
o'qib
2-лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш2-лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш
Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В
197.51 Kb. 1
o'qib
Arslonov Jamshidbek Neymat o’g’liningArslonov Jamshidbek Neymat o’g’lining
Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В. Манба кучланиши E=12 в ва коллектор занжиридаги қаршилик Rк = 600 Ом олиниб Rб =
0.52 Mb. 1
o'qib
10- маъруза Оддий ва мураккаб инверторли ттм режа Содда инверторли ттм мэ схемаси10- маъруза Оддий ва мураккаб инверторли ттм режа Содда инверторли ттм мэ схемаси
Vt2 ва vt3 транзисторлар, R4 резистор ва vd диод), бошқарилувчи фаза ажратувчи каскад (VT1 транзистор, R2 ва R3 резисторлар) дан ташкил топган
1 Mb. 1
o'qib
Биполяр транзистор физик параметрлариБиполяр транзистор физик параметрлари
Cтатик ва дифференциал кучайтириш коэффициентлари бир биридан фарқ қиладилар, шу сабабли талаб қилинган ҳолларда улар ажратилади. Ток бўйича кучайтириш коэффициентининг коллектордаги кучланишга боғлиқлиги Эрли эффекти билан тушунтирилади
0.56 Mb. 6
o'qib
20- mavzu Bipolyar tranzistorlar Reja Bipolyar tranzistor haqida tushuncha20- mavzu Bipolyar tranzistorlar Reja Bipolyar tranzistor haqida tushuncha
Uэб, Uкб ёрдамида эмиттер ўтиш тўғри йўналишда, коллектор ўтиш эса тескари йўналишда силжийди. Бу ҳолда, транзистор
381 Kb. 4
o'qib
6 маъруза: Оддий инверторли ттм. Мураккаб инверторли ва Шоттки барьерли ттм. Интеграл-инжекцион мантиқ6 маъруза: Оддий инверторли ттм. Мураккаб инверторли ва Шоттки барьерли ттм. Интеграл-инжекцион мантиқ
Vt2 ва vt3 транзисторлар, R4 резистор ва vd диод), бошқарилувчи фаза ажратувчи каскад (VT1 транзистор, R2 ва R3 резисторлар) дан ташкил топган
74.08 Kb. 3
o'qib
10 – маъруза дифференциал кучайтиргич. Носимметрик дк схемаси дк асосий параметрлари10 – маъруза дифференциал кучайтиргич. Носимметрик дк схемаси дк асосий параметрлари
Vt2 транзистор ва rк2 резистордан ташкил топган. Rэ резистор иккала елка учун умумий. Ҳар бир елка манфий тали уэ уланган каскадни ташкил этади
217.5 Kb. 2
o'qib
1. Умумий маълумотлар1. Умумий маълумотлар
Uэб, uкб ёрдамида эмиттер ўтиш тўғри йўналишда, коллектор ўтиш эса – тескари йўналишда силжийди. Бу ҳолда транзистор актив ёки нормал режимда ишлайди ва унинг кучайтириш хоссалари намоён бўлади
188 Kb. 5
o'qib
13- маъруза Биполяр транзисторлар (БТ)13- маъруза Биполяр транзисторлар (БТ)
Uэб, Uкб ёрдамида эмиттер ўтиш тўғри йўналишда, коллектор ўтиш эса – тескари йўналишда силжийди. Бу ҳолда, транзистор актив ёки нормал режимда ишлайди ва унинг кучайтириш хоссалари намоён бўлади
1.39 Mb. 4
o'qib
Усилитель нч мощностью 0,5 Вт Усилитель нчУсилитель нч мощностью 0,5 Вт Усилитель нч
VT1 является предварительным каскадом усиления, а транзистор vt2 служит для согласования с оконечным каскадом на транзисторе V такая схема включения vt2 и vt3 позволила упростить схему усилителя нч
35.94 Kb. 1
o'qib
2 лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш2 лаборатория иши Биполяр транзисторда ясалган уэ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш
Rb резистор ёрдамида ўрнатилади. База токи Iб=100мкА олинган, яъни Iб∙Rб + Uбэ = E, N2923 транзистор учун Iб=100мкА да Uбэ ≈ В. Манба кучланиши E=12 в ва коллектор занжиридаги қаршилик Rк = 600 Ом олиниб Rб =
22.31 Kb. 1
o'qib

1   2   3   4




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling