Qidiruv: полупроводниках
Рис.5. Плоская модель идеальной решётки полупроводника- Рациональное применение полупроводниковых приборов требует знания физических принципов их работы
Полупроводниковые приборы
- Yarimo’tkazgichlarning yana bir muhim xususiyati ular elektrik o’tkazuvchanligining temperaturaga o’ta sezgirligidir
Электропроводность полупроводников
- Кристалларнинг энергетик зоналари
Цель легирования полупроводников это
-
Физика полупроводников и диэлектриков
- Физика полупроводников и диэлектриков Основы статистики электронов и дырок в полупроводниках
Секция A. ОПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В НИЗКО-РАЗМЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ …
- Министерство высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан Академия наук Республики Узбекистан Министерство инновационного развития Республики Узбекистан
 | Контактные явления в полупроводниках 465 Kb.  5 | o'qib |
 | Общие сведения о полупроводниках полупроводники с собственной электропроводностью Лекция 222.99 Kb. 4 | o'qib |
 | Моделирование температурной зависимости осцилляций Шубникова-де Гааза в полупроводниках 354.5 Kb. 5 | o'qib |
 | Физика полупроводников и диэлектриков Основы статистики электронов и дырок в полупроводниках 0.79 Mb. 5 | o'qib |
 | Исследование неоднородности кластерного типа в полупроводниках «шлагом» вынесенным кристаллитам при их рекристаллизации и представляющим собой различные примеси и включения Исследование 22.77 Kb. 2 | o'qib |
| Доклад по микро- и оптоэлектронике Ec, а в р-полупроводниках ниже уровня Ev. В результате этого в пределах энергетического интервала de=Ev-Ec любому энергетическому уровню в зоне проводимости n-полупроводника может соответствовать такой же энергетический уровень за Доклад 1.45 Mb. 4 | o'qib |
| Поглощение света в полупроводниках J интенсивность света, т е количество световой энергии, проходящей в единицу времени через нормальное единичное сечение. На границе вакуум твердое тело свет отражается. Коэффициент отражения r определяет долю энергии Курсовая 320.81 Kb. 3 | o'qib |
| Нукус давлат педагогика институтида кўп йиллик уқитувчи фаолиятини амалга ошириб, илмий ишва ҳимоя қилмаган уқитувчилар ҳақида маълумот Физика ўқитиш методикаси «Процессы самоорганизации в полупроводниках со сложными рекомбинационными комплексами» ндпи нинг илимий кенгашида тасдиқланди. 2020-йил 5-декабрь 5-и/к сонли буйруқ 14 Kb. 1 | o'qib |
| Определение температурной зависимости ширины запрещенной зоны в полупроводниках с учетом колебаний решетки под действием магнитного поля г. Гулямов2, У. И. Эркабоев1, Р. Г. Рахимов1, Н. А. Сайидов1, У. Б. Негматов1 Ge и Si. Показано, что температурное уширение энергетических состояний зоны проводимости и валентной зоны может существенно изменить ширину запрещенной зоны и вместе с другими известными механизмами объяснить температурную зависимость ширины запрещенной 361.1 Kb. 5 | o'qib |
1