AllotropiyaAynan bir elementning xossalari va strukturalari tuzilishining turli ko’rinishida mavjudligi. Amorf modda

Nanozarra Chiziqli o’lchami bo’yicha har bir uchta tomoni o’lchovi 1nm dan katta 100 nm dan esa kichik bo’lgan zarra.

n – turli yarim o’tkazgich Yetarli miqdorda do nor kirishma kiritil gan va o’tkazuv chanligi kiritilgan donor atomlar miq dori bilan aniqlana digan materialdir. n – turli yarim o’tkaz gichda erkin elelek tronlar konsentratsi yasi kovklarnikidan juda ko’p bo’ladi. (n>>p)

Noasosiy zaryad tashuvchilar Mazkur yarim o’tkazgichda asosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasidan nisbatan kam konsentratsiyali harakatchan zaryad tashuvchilar.

Noto’g’ri o’tish Elektron bir holatdan ikkinchi holatga (masalan, valent zonadan o’tkazuvchanlik zonasiga) o’tganda uning (electronning) to’lqin vektori o’zgaradigan o’tishidir.

n-tur yarim o’tkazgich metall kontakt Bunday kontaktda elektronlar yarim o’t-kazgichdan metallga o’tganligi tufayli ya-rim o’tkazgich kon-takt qismida elek-tronlar kamaygan soha paydo bo’ladi.

n-tur yarim o’tkazgich- metall kontakt Bunday kontaktda elektronlar metalldan yarim o’tkazgich to-monga o’tganligi uchun yarim o’tkaz-gich kontakt qismi elektronlar bilan bo-yitilgan bo’ladi. Uning qarshiligi ya-rim o’tkazgich qar-shiligidan kam bo’la-di. Bunday kontaktda tok qiymati yarim o’tkazgich material qarshiligi bilan aniq-lanadi.
O

Oddiy yarim o’tkazgich Bir xil kimyoviy element atomlaridan tuzilgan yarim o’tkazgich materialdir. Oddiy yarim o’tkazgichlarga, Mendeleyev jadvalining IV guruh elementlari (Si, Ge, Sn) kiradi.

Optik tebranishlar Kristall panjaradagi atomlarning sinxron holda har xil fazada (bir biriga qarama qarshi yo’nalish bo’yicha muvozanat holatdan siljishi) tebranishlardir.

Omik kontakt Metall-yarim o’tkaz-gich kontaktda kon-takt qarshiligi yarim o’tkazgich qarshiligi-dan yetarli darajada kam bo’lgan va VAX -si chiziqli xarakterga ega bo’lgan kontakt.

Optojuftlik Nur chiqaruvchi va uni qabul qiluvchi elementlardan tashkil topgan yarim o’tkaz-gichli optoelektron as-bob. Nur chiqaruvchi element sifatida infra-qizil nur chiqaruvchi diod, yorug’lik nuri chiqaruvchi diod, ya-rim o’tkazgichli lazer-dan foydalanish mum-kin.

Optoelektronika Bir vaqtning o’zida optik va elektr usulla-ridan foydalangan hol-da ma’lumotlarni saq-lash, uzatish, yozishga imkon beradigan ya-rim o’tkazgich quril-masi.
P

Polikristall O’lchamlari o’ta ki chik (0,1÷100 mkm) bo’lgan monokristal lardan tarkib topgan qattiq jism.

p – turli yarim o’tkazgich Yetarlicha miqdorda akseptor kirishma ki ritilgan va undagi kovaklar miqdori, kiritilgan akseptor atomlar miqdoriga mos keladigan material.

Passiv taglik Integral sxemalar olishda taglikning tayanch, ussiqlik o’tkazuvchi vazifasini bajaruvchi lekin aktiv ta’sirga ega bo’lmagan qismiga aytiladi.

p-tur yarim o’tkazgich-metall kontakt B u xil kontaktda elektronlar yarim o’t-kazgichdan metallga o’tishi bilan yarim o’tkazgich kontakt qismi kovaklar bilan boyigan bo’ladi, ya’-ni yarim o’tkazgich kontakt yaqinidagi qatlamning qarshili-gi, yarim o’tkazgich-ning o’zining qarshi-ligidan kichik bo’la-di.

p-tur yarim o’tkazgich- metall kontakt - Bu xil kontaktda elektronlar metalldan yarim o’tkazgichga o’tib, u yerdagi ko-vaklar bilan rekombi-natsiya qilishib yarim o’tkazgichning kon-taktga yaqin qismida kovaklar sonini ka-maytirganligi uchun u qatlam qarshiligi yarim o’tkazgich qar-shiligidan katta bo’-ladi.

p-n o’tish Elektr o’tkazuvchan-lik turi har xil bo’lgan yarim o’tkazgichlar asosida yaratilgan kontakt-qurilma.

p-n o’tish VAX-sining temperaturaga bog’liqligi p-n o’tish VAX-si berilgan diod uchun doimiy bo’lmay temperaturaga o’ta bog’liqdir.

Planar tranzistor Yarim o’tkazgichli plastinka yuzasida ho-sil qilingan to’siqlar-dagi darchalar orqali kirishma atomlarini diffuziya qilish orqali p-n o’tishlar kontakt sohalari plastinka yu-za tekisligida hosil qi-linadi.
Q

Qattiq jism Moddaning agregat holati. Juda katta bo’lmagan tashqi ta’sirda (deformatsi ya, temperatura, bo sim, ...) o’z turg’un shakl va hajmiga ega bo’lgan, hamda uni tashkil etgan atomlar ning o’z muvozanat holatlari atrofida is siqlik ta’sirida o’ta sust tebranishlarga ega bo’lgan jismdir

Qisqa tutashuv toki Fotoelementlarning qutblari o’zaro nagruzka, ya’ni tashqi qarshiliksiz ulanganda (ya’ni R_H=0 bo’lganda) oqib o’tadigan tok miqdori.
R

Ruhsat etilgan zona Qattiq jismlarda atomlar orasidagi masofa kamayishi natijasida, ularning elektron qobiqlari ning o’zaro bir biri ga kirishishi oqibati da atomdagi elektron energetik sathlarga mos holda energetik zonalar paydo bo’li shi – ya’ni elektron turishi mumkin bo’l gan zonalar. Bunday zanjirlar bir biridan taqiqlangan zonalari bilan ajraladi.

Rekombinatsiya jarayoni Nomuvozanatiy zaryad tashuvchilar elektron va kovaklar uchrashib, ularning yo’q bo’lishi. Bunda elektron yana kimyoviy bog’lanish holatiga qaytadi.

Rekombinatsiya markazlari (sathlari) Elektron va kovaklarning o’zaro uchrashib yo’q bo’lishga (rekombinatsiya bo’lishiga) imkon yaratuvchi nuqsonlar va ular hosil qilgan energetik sathlar.

Relaksatsiya vaqti Tashqi ta’sir natijasida (elektr maydon) zaryad tashuvchilar muvozanati buziladi va tashqi ta’sir olingandan so’ng yana oldingi muvozanat holatiga qaytish uchun kerak bo’lgan vaqt yoki qisqacha tashqi ta’sir olingandan so’ng, zaryad tashuvchlar muvozanat (umuman har qanday sistema) holini tiklash uchun kerak bo’lgan vaqt ().
S

Supramolekulyar tuzilmalar Ikki yoki undan ortiq molekulalardan iborat bo’lgan yuqorimolekulyar tuzilma bo’lib, molekulalararo o’zaro ta’sir tufayli saqlanib turadi.

Segnetoelektrik O’z o’zidan qutblanish qobiliyatiga ega va tashqi elektrik maydon ta’sir qilganda qutblanish yo’nalishini o’zgartirishi mumkin bo’lgan dielektrik.

Silitsidlar Kremniy bilan boshqa metall atomlarning ma’lum tartibda va ma’lum temperaturada hosil qiladigan yangi modda– qotishma.

Simmetriya Har qanday jismning ma’lum operatsiya yordamida (aylanish, ko’chish, ...) o’z o’ziga mos tushishi.

Simmetriya o’qi Ma’lum bir o’q (to’g’ri chiziq) atrofida kristall ma’lum burchakka aylantirilganda, uning o’ziga o’zi mos tushishi.

Simmetriya tekisligiKristalldagi ma’lum nuqtalarda, tekislik o’tkazilganda kristallni ayni bir xil bo’laklarga bo’linishini ta’minlaydigan tekislikdir

Simmetriya markazi Shaklning qarama qarshi, parallel, teng, ammo teskari yo’nalgan qismlarini tutashtiruvchi chiziqlarning kesishgan matematik nuqtasi.

Solishlirma qarshilik Uzunligi va kesim yuzasi bir birlikka teng bo’lgan silindr simon o’tkazgich ning elektr qarshili giga aytiladi. Solishtirma qarshilik qiymati solishtirma o’tkazuvchanlik qiymati bilan teskari bog’langan:

Solishtirma elektr o’tkazuvchanlik Uzunligi va kesim yuzasi bir birlikka teng bo’lgan silindrsimon o’tkazgichning elektr o’tkazuvchanligiga teng kattalik. U solishtirma elektr qarshiligining tesari qiymatiga teng. Solishtirma o’tkazuvchanlik bilan belgilanadi va uning birligi ^–1.

Salt o‘tish kuchlanishi Fotoelementga ulangan nagruzka qarshiligi R_n cheksiz bo’lganda unga tushadigan kuchlanish. U V_xx bilan belgilanadi.

SiO₂ – Oksid kremniy Kremniy (Si) va kislorod (O) atomlari kimyoviy birikmasidan iborat material bo’lib, kremniyni kislorodli muhitda qizdirish natijasida hosil bo’ladi: Quruq kislorod muhitida qizdirish; Nam kislorod muhitida qizdirish; Suv bug’i muhitida qizdirish; Mikroelektronikaning asosiy materiali sifatida kremniyni tanlanishiga sabablardan biri SiO₂ ni hosil qilish texnologik qulay, sifatli dielektrik qatlam, kirishmalar diffuziyasidan yaxshi himoyalovchi qatlamdir.
T

Ta’qiqlangan zona Qo’shni elektron zonalar orasidagi masofa (energiya shkalasi bo’yicha). Asosan yarim o’tkazgichlarda valent zonaning shipi (bu zonadagi ruxsat etilgan maksimal energiya qiymati) hamda o’tkazuvchalik zonasining tubi (bu zonadagi ruxsat etilgan minimal energiya qiymati) bilan belgilanadi. Odatda aynan ana shu ko’rsatkichni yarim o’tkazgichning ta’qiqlangan zonasi kengigi deb ataladi. Yarim o’tkazgichlar da hamma valent elektronlar kimyoviy bog’lanishda qat nashganligi tufayli T=0°K erkin elek tronlar bo’lmaydi. Berilgan issiqlik yo ki yorug’lik hisobiga kimyoviy bog’la nishda ishtirok etgan elektronni ma’lum energiya berib ozod qilish mumkin. Ana shundagina bu elektron elektr toki o’tkazishda qatnashadi. Shuning uchun ta qiqlangan zona de ganda har qanday yarim o’tkazgich kimyoviy bog’la nishdagi elektronni ozod qilish uchun (ya’ni bog’lanish energiyasiga teng energiya) kerak bo’l gan energiyaga ayti ladi va E_g bilan bel gilanib, uning qiy mati eV larda o’lcha nadi.

Tunnelash Kvant zarralarining, shu bilan birga elektronarning ham ajoyib xususiyati bo’lib, energiyasi berilgan potensial to’siq energiyasidan kichik bo’lganda ham ushbu to’siqdan o’ta olish xususiyatidir. Biror energiyali electron, o’zidan o’tish uchun kattaroq energiya talab qiluvchi to’siqqa uchraganda, undan qaytmaydi, balki to’lqin singari energiya sarfi bilan to’siqdan o’tib ketadi.

Translyatsiya Har qanday elementar panjaraning ma’lum yo’nalish bo’yicha o’z o’ziga parallel holda siljishi. Translyatsiya yordamida xohlagan yo’nalish bo’yicha xohlagan hajmdagi kristallni hosil qilish mumkin.

To’rtinchi tartibli koordinatsion son Kub kristall panjarada 4 tartibli koordinatsion sonlar soni 6 ta bo’lib, ular orasidagi masofa ga teng.

Tugunlararo diffuziya Kirishma atomlari ning panjarada tugunlararo siljishi orqali bo’ladigan diffuziya

Tugunlar bo’yicha diffuziya (Vakansiya bo’yicha diffuziya) Kirishma atomlari bu holda faqat tugundan tugunga diffuziya qilinadi. Atom tugun da turganda ham kim yoviy bog’lanishda qatnashib, ham ke yingi tugunga o’tishi uchun u yerda bo’sh joy (vakant) hosil bo’lishi kerak.

To’la kompen satsiyalangan yarim o’tkazgich Elektroaktiv donor va akseptorlar konsentartsiyasi teng bo’lgan materialdir ,Agar donor yoki akseptor ikki karrali zaryadlangan bo’lsa ; bo’lgani uchun kabi bo’ladi.

Tok tashuvchilarning harakatchanligi Zaryad tashuvchilarning, tashqi bir birlik elektr maydon kuchlanganligi ta’sirida olgan dreyf tezliklariga son qiymati jihatdan teng bo’lgan kattalik bo’lib, u harfi bilan ifodalanadi. Elektron va kovaklar harakatchanligi, kristalldagi mavjud nuqsonlar tabiati, ularning konsentratsiyasi, temperatura va boshqa ta’sirlarga juda bog’liq bo’ladi. Harakatchanlik yarim o’tkazgich materiallarning asosiy fundamental parametrlaridan biridir. Uning qiymati temperaturaga, kirishma atomlar konsentratsiyasi va tashqi ta’sirlarga o’ta bog’liqdir.

To’g’ri o’tish Elektron bir holatdan ikkinchi holatga (masalan, valent zonadan o’tkazuvchanlik zonasiga) o’tganda uning to’lqin vektori (impulsi) o’zgarmay qoladigan o’tishidir. Bunday o’tishda fononlar ishtirok etmaydi.

Taglik Ustga har xil yo’llar bilan yangi material qatlam o’stirish uchun ishlatiladigan, sirti juda yahshi sifatli ishlov berilgan material.

To’g’ri maydonda p-n o’tish p-n o’tishga tashqi manba ulanganda p-tomonga uning mus-bat (+), n-tomonga esa manfiy (-) qutbi ulangan holat. Bu ho-latda tashqi elektr maydon yo’nalishi p-n o’tishdagi ichki elektr maydon yo’na-lishiga teskari bo’la-di.

Teskari maydonda p-n o’tish Bu holatda tashqi maydonning manfiy (-) qutbi p-tomonga, musbat (+) qutbi n-tomonga ulangan bo’-ladi. Bunda tashqi elektr maydon va p-n o’tishning ichki elektr maydon yo’nalishlari bir-biriga mos tusha-di. Natijada kontakt potensiallar farqi or-tadi.

Teshilish p-n o’tishga teskari yo’nalish bo’yicha uning chegaraviy qiy-matidan ortiqcha elektr maydon kuch-langanligi qo’yilgan-da p-n teskari tok qiy-matining o’ta tez oshib ketishi.

Tunnel teshilish p-n o’tishda elektron-larning taqiqlangan zona ichidan tunnel orqali o’tishi. Bu hodisa kvant mexani-kasida tunnel effekt ya’ni elektronlar po-tensial to’siqdan tun-nel orqali o’tish hodi-sasi asosida ishlaydi.

Tunnel diodi Tunnel effekti asosida ishlaydigan yarim o’tkazgichli qurilma. Tunnel effekti diod-larda kirishmalar kon-sentratsiyasiga kuchli bog’liq bo’ladi.

To’g’rilovchi diod O’zgaruvchan tokni o’zgarmas tokka ay-lantirish uchun foyda-laniladigan yarim o’t-kazgichli diod. To’-g’irlovchi quyi chas-totali diodlar odatda sanoat chastotasida (50 Gs) o’zgaruvchan tokni to’g’rilashda ishlatiladi.

Teskari diod Kirishma atomlari konsentratsiyasi kritik miqdorda bo’lib, tes-kari kuchlanishda tok tunnel effekti hisobiga to’g’ri tokdan ko’p bo’ladi.

Termistor Temperatura ortganda qarshiligi kamayadi-gan (manfiy qarshilik-ning temperatura koeffitsiyentiga ega bo’lgan) yarim o’t-kazgichli termorezis-tor.

Tiristor Uch va undan ortiq p-n o’tishlarga ega bo’l-gan, yopiq holatdan ochiq holatga va ak-sincha o’ta oladigan yarim o’tkazgichli as-bob. Tiristor struktu-rasi, o’tkazuvchanlik tipi ketma-ket o’zga-radigan 4 ta yarim o’t-kazgich sohasidan iborat. Uchta p-n o’tish va 2 ta omik kontaktga ega. Chetki n-sohadagi omik kon-takt – katod, chetki p-sohadagi omik kontakt anod deyiladi.
U

Ultradispers zarra Nanozarra kabidir. Izoh – asosan boshqa sohalarda qo’llaniladi, masaln granulometriyada.
V

Valent zonasi Qattiq jismda elektronlar bilan butunlay to’lgan zonaning eng ustki (energiya ko’rsatkichi bo’yicha) qismidir. Absolyut nol tempe raturada hamma energiya holatlari elektronlar bilan band bo’lgan ruhsat etilgan zonaning yuqori chegarasiga aytiladi. Ya’ni T=0°K temperaturada elektronlar atomga bog’langan bo’ladi. Kristallda zonalar tuzilishi (strukturasi) ga qarab, valent zonalar, yetarlicha murakkab bo’lishi mumkin.

Valentlik Ayni element atomlarining boshqa elementning muayyan sondagi atomlarini biriktirib olish yoki ularning o’rnini olish xossasi. Valentlik bir ligi qilib vodorod atomining valentligi qabul qilingan. U bar cha birikmalarda bir valentlidir.

Valent zonadagi kovaklareffektiv holat zichligiValent zonasidagi bir birlik energiya oralig’ida (intervali da)kovaklar joylashishi mumkin bo’lgan holatlar miqdori ga aytiladi.

VAX ning to’g’rilash koeffitsiyenti Berilgan muayyan to’g’ri va teskari elektr maydon kuch-langanlik qiymatida shunga mos o’tayot-gan toklar nisbatini ko’rsatadi. . Odatda bu qiymat k >1000 bo’-ladi. Qancha katta bo’lsa shuncha yax-shi.

Varistor Yarim o’tkazgichli re-sistor bo’lib qarshiligi berilgan kuchlanishga qarab o’zgaradi va bunday elementlar ke-ramik materiallarning karbid kremniy bilan qo’shilishidan hosil bo’ladi.
X

Xususiy tok tashuvchilar konsentratsiyasi Yarim o’tkazgichda kirishma atomlari mavjud bo’lmagan holda, berilgan tem peraturada faqat is siqlik ta’sirida valent zonadan o’tkazuv chanlik zonasiga elektronlarning chi qishi orqali paydo bo’lgan erkin elek tron va kovaklar konsentratsiyasidir.