Article · December 021 citations reads 535 authors: Some of the authors of this publication are also working on these related projects

Ключевые 
слова: 
Солнечный 
воздухoнагреватель, 
конвективная 
теплопередача, 
турбулизатор, aналитический метод, нагревание, температура воздуха. 
The methods of increasing of the heat exchanger on flate solar air heater are considered in the 
article. Analitical method of heat irradiation calculation from turbulators is proposed. 
Key words: Solar air heater, convective heat transfer, turbulator, analitical method, heat 
emission,air temperature. 
 

 
 
РАЗРАБОТКА ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО СЕНСОРА ТЕМПЕРАТУРЫ НА 
ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА Si(111) 
Ш.Х. Эргашев, И.Р. Бекпулатов, Ж.Б. Хужаниёзов, Б.Т. Куйлиев, Б.Э. Хайриддинов,
А.С. Рысбаев
 
Каршинский государственный университет
(Получена 26.03.2015 г.) 
 
Ушбу ишда юқори сезгирликка эга бўлган температура датчиги яратишнинг янги усули 
тўғрисида маълумот берилмоқда. Муаллифлар томонидан яратилган усул Si(111) монокристалининг 
икки томонига Р
+
 ва В
+
ионларини кетма-кет энергиясини камайтириб киритишдан ва кейинчалик 
термик ёки лазер нурланиши ёрдамида қиздиришдан иборатдир. Олинган датчик 20 дан 550 К гача 
чизиқли ишчи характеристикага эга.
Таянч сўзлар: датчик температура, монокристалл, кремний, ионли имплантация, энергия ва 
нурланиш дозаси, р-i-n– структура, термик, инфрақизил лазер нурланиши ёрдамида қиздириш. 
В работе приводится описание нового способа получения высокочувствительного датчика 
температуры с линейной температурной рабочей характеристикой в области от 20 до 550 
К.Способ заключается в проведении поэтапной ионной имплантации Р
+
и В
+
в разные стороны 
монокристалла Si(111) с постепенным уменьшением энергии и последующим кратковременным 
термическим или лазерным отжигом. 
Ключевые слова: датчик температуры, монокристалл, кремний, ионная имплантация, энергия 
и доза облучения, р-i-n– структура, термический, лазерный и инфракрасный отжиг. 
The description of a new way of reception of the high-sensitivity gauge of temperature with linear 
temperature performance data in area from 20 to 550K is given in the article. The methods consist of 
carrying out of the stage-by-stage ionic implantation Р
+
 and В
+
 every which way monocrystal Si(111) with 
gradual reduction of energy and the subsequent short-term thermal or laser annealing. 
Key words: 
sensor of temperature, single-crystal, silicon, ionic implantation, energy and dose of 
irradiation, р- i - n is a structure, thermal, laser and infrared annealing.