Best scientific research 2022

m 
- O'YuCh field of the potential barrier. 
𝐼
𝐶𝐻
= 𝐷 ∗ 𝑃 = exp (−
𝛼𝐸
𝑔
3
2
𝑉 − 𝑉
𝐾
+ 𝑉
𝑀
𝑑
) (𝟏)

---

BEST SCIENTIFIC
RESEARCH - 2022 
157 
with the expression (here the model presented by Kahn for the density of states D 
can be used). Using the above expression, we obtained VAX of excess currents according 
to the Chaynovet model for the tunnel diode. In the Chaynovet model, the density of states 
is equal to D=1 and the voltage drops under the influence of the field are 
1. 𝑽
𝒎
=
𝟎. 𝟓𝑽 ,  𝟐. 𝑽
𝒎
= 𝟎. 𝟔𝑽 𝟑. 𝑽
𝒎
= 𝟎. 𝟕𝑽 , 𝟒. 𝑽
𝒎
= 𝟎. 𝟖𝑽 𝟓. 𝑽
𝒎
= 𝟏𝑽
, the volt-
ampere characteristic of the excess current in the tunnel diode was obtained according to 
the Chaynovet model (Fig. 1). 
Figure 1. In a germanium-based tunnel diode 
at room temperature for strong biasing 
1. 𝑽
𝒌
=
𝟎. 𝟓(𝑽) ,  𝟐. 𝑽
𝒌
= 𝟎. 𝟔𝑽 𝟑. 𝑽
𝒌
= 𝟎. 𝟕𝑽 , 𝟒. 𝑽
𝒌
=
𝟎. 𝟖𝑽 𝟓. 𝑽
𝒌
= 𝟏𝑽 
as a result of different electric 
field Chaynovet volt-ampere characteristic for 
the tunnel diode from expression (2) taking 
into account the excess current in the tunnel 
diode in the model. 
As a result of the influence of the magnetic field, we give the energy dependence of the 
density of states[11] at different temperatures using the following expression (2) for the 
conduction and valence zones. 
𝜌
𝐶
(𝐸) =
1
4𝜋
2
(
2𝑚
ℎ
2
)
3
2
ℎ𝜔
𝐻
𝑐
∑
1
√𝐸 − 𝐸
𝐶
− (𝑛 +
1
2)ℎ𝜔
𝐻
𝑐
𝑛
𝑒
0
𝑑Е  
𝜌
𝑣
(𝐸) =
1
4𝜋
2
(
2𝑚
ℎ
2
)
3
2
ℎ𝜔
𝐻
𝑣
∑
1
√𝐸−𝐸
𝑣
−(𝑛+
1
2
)ℎ𝜔
𝐻
𝑣
𝑛
𝑒
0
𝑑Е (2) 
We consider the effect of magnetic field and ultra-high frequency field on the excess current 
generated in the tunnel diode. In that case, if we generalize the terms (1) and (2) given 
above, we get the following expression. 

---