Биполярные транзисторы

3.4. Основные параметры биполярных транзисторов. Основными параметрами, характеризующими транзистор как активный нелинейный четырехполюсник (при любой схеме включения), являются коэффициенты усиления:
по току  ; (3.1)
по напряжению  ; (3.2)
по мощности  ; (3.3)
а также:
входное сопротивление 
выходное сопротивление 
Чтобы определить входные и выходные токи и напряжения при различных схемах включения транзистора, изобразим рисунок 3.14.
Используя приведенные выше выражения и схемы, изображенные на рисунке 3.14, получаем формулы для расчета параметров транзисторов при различных схемах включения.

Рис. 3.14. Схема включения транзистора с ОБ (а), ОЭ (б), с ОК (в)
В схеме с ОБ.
; (3.4)
где α≈1, т.е. схема с ОБ не усиливает ток.
(3.5)
где  - сопротивление открытого эмиттерного перехода, составляющее, как уже отмечалось, десятки Ом;
(3.6)
(3.7)
где  >>1, так как  >> .
, (3.8)
Из полученных выражений видно, что схема с ОБ характеризуется малым входом сопротивлением, отсутствием усиления по току, большим усилением по напряжению и мощности.
В схеме с ОЭ.
(3.9)
где β≈100, т.е. схема с ОЭ значительно увеличивает ток.
(3.10)
(3.11)
(3.12)
т. к.  >> , схема дает значительное увеличение напряжения.
(3.13)
Таким образом, схема с ОЭ имеет большее, чем схема с ОБ, входное сопротивление, и усиливает сигнал по току, напряжению и мощности.
В схеме с ОК.
(3.14)
т.е. схема с ОК имеет 
(3.15)
(3.16)
т.е. 
Таким образом, схема с ОК (схема эмиттерного повторителя) имеет значительно большее значение входного сопротивления, чем любая другая схема включения транзистора, и усиливает сигнал по току и мощности. Большое значение входного сопротивления схемы с ОК предопределяет широкое применение на практике эмиттерного повторителя в качестве согласующего устройства.
Полученные значения параметров транзистора для различных схем его включения представлены в табл. 3.2. Анализ данных свидетельствует об универсальности схемы с ОЭ (см. рис. 3.14 б), обеспечивающей усиление транзистора как по току, так и по напряжению. Этим объясняется широкое применение указанной схемы включения транзистора в нелинейных цепях. Высокие значения β обуславливают также усилительное свойство транзистора по току, заключающееся в возможности малыми входными токами (током I_б) управлять существенно большими токами (током I_к≈βI_б) в выходной (нагрузочной) цепи.
Таблица 3.2 Параметры транзистора для различных схем его включения

Вид схемы	Токи		Напряжения		Основные параметры				Примечание
С общей базой
С общим эмиттером
С общим коллектором

Перечисленные параметры определяются с помощью статических характеристик, которые содержатся в справочной литературе.
Статические характеристики используются для расчета нелинейных цепей, содержащих транзистор.