Биполярные транзисторы


Download 215.95 Kb.
bet4/4
Sana12.03.2023
Hajmi215.95 Kb.
#1262243
1   2   3   4
Bog'liq
Промышленная электроника

3.5. Эквивалентные схемы БТ. Эквивалентные схемы применяются для анализа цепей, содержащих транзисторы.
Эквивалентная схема биполярного транзистора на постоянном токе, являющаяся нелинейной физической моделью биполярного транзистора, называется моделью Эберса-Молла (рис. 3.15). Представленная модель характеризует только активную область транзистора, не учитывая его пассивную (паразитную) область. Данная модель хорошо отражает обратимость транзистора - принципиальную равноправность обоих его переходов. Эта равноправность особенно ярко проявляется в режиме двойной инжекции, когда на обоих переходах действуют прямые напряжения.

Рис. 3.15. Эквивалентная схема транзистора модели Эберса-Молла
Физическая модель биполярного транзистора Эберса-Молла обычно применяется для работы транзистора при больших изменениях напряжения и тока.
Параметры эквивалентной схемы могут быть определены либо расчетным, либо экспериментальным путем. Однако расчет не всегда обеспечивает требуемую точность из-за трудности учета контролируемых и неконтролируемых явлений в транзисторе. Поэтому очень часто транзистор представляют четырехполюсником, заменив физические эквивалентные схемы более удобными на практике эквивалентными схемами в h- и y-параметрах.
Эквивалентная схема транзистора в h-параметрах (рис. 3.16 а) отражает зависимость выходного тока I2 и выходного напряжения U1 от его входного тока I1 и выходного напряжения U2 транзистора.

Рис. 3.16. Эквивалентные схемы транзистора в h-параметрах (а) и y-параметрах (б)
Эта зависимость определяется системой уравнений:

(3.17)

где  и  - изменение входного и выходного напряжений соответственно;  и  - изменения соответствующих токов.
Коэффициенты уравнений (3.17) определяют экспериментально с помощью опытов короткого замыкания на выходе и обратного холостого хода на входе транзистора.
Для схемы, изображенной на рис. 3.16 а, можно определить, что


(3 .18)


Полученные h-параметры имеют следующий физический смысл: h11 и h21 — входное сопротивление и коэффициент передачи тока эмиттера при коротком замыкании на выходе транзистора; h12 и h22 – величины, обратные коэффициенту усиления по напряжению (коэффициент обратной связи по напряжению) и выходному сопротивлению (выходная проводимость) при обратном холостом ходе на входе транзистора. На практике h-параметры применяют, как правило, для анализа низкочастотных схем.
Эквивалентная схема транзистора в y-параметрах используется для анализа высокочастотных схем. В этом случае независимыми переменными являются напряжения ΔU1 и ΔU2, а зависимыми токами - токи ΔI1 и ΔI2. Тогда систему уравнений, характеризующих работу транзистора как четырехполюсника, можно представить в общем виде:

(3.19)

Коэффициенты системы уравнений (3.19) для схемы, изображенной на рис. 3.16 б, определяются при прямом и обратном коротком замыкании четырехполюсника.


(3 .20)


Физический смысл коэффициентов (3,20): y11 – величина, обратная входному сопротивлению, т.е. входная проводимость при коротком замыкании; y12 - проводимость обратной передачи, т.е. величина, характеризующая воздействие выходного напряжения на входной ток при обратном коротком замыкании; у21 - проводимость прямой передачи, т.е. величина, характеризующая влияние входного напряжения на выходной ток при коротком замыкании; y22 - величина, обратная выходному сопротивлению, т.е. выходная проводимость при обратном коротком замыкании.
Download 215.95 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling