Биполярные транзисторы
Download 215.95 Kb.
|
Промышленная электроника
3.5. Эквивалентные схемы БТ. Эквивалентные схемы применяются для анализа цепей, содержащих транзисторы.
Эквивалентная схема биполярного транзистора на постоянном токе, являющаяся нелинейной физической моделью биполярного транзистора, называется моделью Эберса-Молла (рис. 3.15). Представленная модель характеризует только активную область транзистора, не учитывая его пассивную (паразитную) область. Данная модель хорошо отражает обратимость транзистора - принципиальную равноправность обоих его переходов. Эта равноправность особенно ярко проявляется в режиме двойной инжекции, когда на обоих переходах действуют прямые напряжения. Рис. 3.15. Эквивалентная схема транзистора модели Эберса-Молла Физическая модель биполярного транзистора Эберса-Молла обычно применяется для работы транзистора при больших изменениях напряжения и тока. Параметры эквивалентной схемы могут быть определены либо расчетным, либо экспериментальным путем. Однако расчет не всегда обеспечивает требуемую точность из-за трудности учета контролируемых и неконтролируемых явлений в транзисторе. Поэтому очень часто транзистор представляют четырехполюсником, заменив физические эквивалентные схемы более удобными на практике эквивалентными схемами в h- и y-параметрах. Эквивалентная схема транзистора в h-параметрах (рис. 3.16 а) отражает зависимость выходного тока I2 и выходного напряжения U1 от его входного тока I1 и выходного напряжения U2 транзистора. Рис. 3.16. Эквивалентные схемы транзистора в h-параметрах (а) и y-параметрах (б) Эта зависимость определяется системой уравнений: (3.17) где и - изменение входного и выходного напряжений соответственно; и - изменения соответствующих токов. Коэффициенты уравнений (3.17) определяют экспериментально с помощью опытов короткого замыкания на выходе и обратного холостого хода на входе транзистора. Для схемы, изображенной на рис. 3.16 а, можно определить, что (3 .18) Полученные h-параметры имеют следующий физический смысл: h11 и h21 — входное сопротивление и коэффициент передачи тока эмиттера при коротком замыкании на выходе транзистора; h12 и h22 – величины, обратные коэффициенту усиления по напряжению (коэффициент обратной связи по напряжению) и выходному сопротивлению (выходная проводимость) при обратном холостом ходе на входе транзистора. На практике h-параметры применяют, как правило, для анализа низкочастотных схем. Эквивалентная схема транзистора в y-параметрах используется для анализа высокочастотных схем. В этом случае независимыми переменными являются напряжения ΔU1 и ΔU2, а зависимыми токами - токи ΔI1 и ΔI2. Тогда систему уравнений, характеризующих работу транзистора как четырехполюсника, можно представить в общем виде: (3.19) Коэффициенты системы уравнений (3.19) для схемы, изображенной на рис. 3.16 б, определяются при прямом и обратном коротком замыкании четырехполюсника. (3 .20) Физический смысл коэффициентов (3,20): y11 – величина, обратная входному сопротивлению, т.е. входная проводимость при коротком замыкании; y12 - проводимость обратной передачи, т.е. величина, характеризующая воздействие выходного напряжения на входной ток при обратном коротком замыкании; у21 - проводимость прямой передачи, т.е. величина, характеризующая влияние входного напряжения на выходной ток при коротком замыкании; y22 - величина, обратная выходному сопротивлению, т.е. выходная проводимость при обратном коротком замыкании. Download 215.95 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling