Boshkariladigan r-n o’tishli maydonli tranzistorlar

• Mavzu:Maydonli tranzistorlar
• Reja:
• 1. Boshqariladigan r-n o’tishli maydonli tranzistorlar
• 2. Maydonli tranzistor tuzilishi
• 3. Maydonli tranzistorlarning ishlash prinsipi.

• Boshkariladigan r-n o’tishli maydonli tranzistorlar.

• Maydonli tranzistorlar tayyorlanish texnologiyasi va konstruktiv ijrosiga kura, ikki gruppaga bo’linadi: boshqariladigan r-n o’tishli va zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlar. Maydonli tranzistor-chikish toki kirish kuchlanishi bilan boshqariladigan yarim o‘tkazgichli asbob. Maydonli tranzistorlarda chiqish tokiga ta’sir qiluvchi kirish kuchlanishi elektr maydon hosil qiladi. Maydonli tranzistor-chiqish toki kirish kuchlanishi bilan boshqariladigan yarim o‘tkazgichli asbob. Maydonli tranzistorlarda chiqish tokiga ta’sir qiluvchi kirish kuchlanishi elektr maydon hosil qiladi. Maydonli tranzistorlarda tok asosiy tok tashuvchilar yordamida hosil qilinib, asosiy bo‘lmagan tok tashuvi zarayad muxim rol o’ynamaydi. Shu sababli maydonli tranzistor unipoyalar tranzistor deb ham ataladi.

• Zamonaviy maydonli tranzistorning ideallashtirilgan strukturasi 1– rasmda ko‘rsatilgan. Bu yerda metall kontakt p+ qatlam bilan zatvor vazifasini bajaradi. Bu yerda zatvor n turdagi yarim o‘tkazgichdan MDYa-tranzistor kabi dielektrik bilan emas, balki p-n-o‘tishning kambag‘allashgan qatlam bilan ajratilgan. Umuman olganda p+ -qatlam majburiy hisoblanmaydi. Kambag‘allashgan qatlam metalni bevosita yarimo‘tkazgich bilan tutashuvida ham bo‘ladi. Bunday strukturadagi tranzistorni Shottki to‘siqli maydonli tranzistor deb atashadi

• 1– rasm. Maydonli tranzistorning strukturasi.

• Zatvorning p-n-o‘tishga teskari kuchlanish beriladi va kambag‘allashgan qatlam chuqurligi o‘zgaradi. Teskari kuchlanish qanchalik katta bo‘lsa, kambag‘allashgan qatlam shunchalik chuqur bo‘ladi. Mos ravishda kanal qalinligi w shunchalik kichik bo‘ladi. Shunday qilib, zatvordagi teskari kuchlanishni o‘zgartirgan holda ko‘ndalang yuzasi va bunga mos ravishda kanal qarshiligini o‘zgartirsa bo‘ladi. Stokda kuchlanish mavjud bo‘lganda kanaldagi tok o‘zgaradi, ya’ni tranzistorning chiqish toki.

• ISHLASH PRINSIPI.

• Quvvatning kuchaytirilishi kirish tokining qiymati bilan ta’minlanadi. Maydonli tranzistorda kirish toki zatvor p-n-o‘tishining teskari toki hisoblanadi. Stokdagi kuchlanish nolga teng bo‘lgandagi kanalning qalinligi va qarshiligini zatvordagi boshqarish kuchlanishiga bog‘liqligini aniqlaymiz. Kanalning qalinligini 1 - rasmga muofiq quyidagicha yozishimiz mumkin: w=a-l

• bu yerda a – n-qatlam tubidan o‘tishning metallurgik chegarasigacha bo‘lgan masofa. Muvozanatli potensial to‘siq balandligini hisobga olmagan holda kanal qalinligini zatvordagi kuchlanishga bog‘liqligini olamiz:

• bu yerda UZI deyilganda zatvordagi kuchlanish moduli tushuniladi

• w =0 shartda uzish kuchlanishini topish mumkin. Bu kuchlanishda kambag‘allashgan qatlam kanalni to‘laligicha yopadi va kanalda tokning oqishi tugaydi:

• Statik tavsif.

• Agarda USI kuchlanish berilgan bo‘lsa, kanal orqali tok oqib o‘tadi va kambag‘allashgan qatlamga tegib turuvchi kanal sirti ekvipotensial bo‘lmaydi. Mos ravishda p-n-o‘tishdagi kuchlanish x o‘qi bo‘ylab stok yaqiniga oshgan holda o‘zgaradi. Demak, o‘tishning kambag‘allashgan qatlam kengligi istokdan stok tomon yo‘nalishda oshadi (a– rasm).